238层4D NAND已量产，进入智能手机产品验证

近年来，手机，相机等消费设备使用NAND的需求不断增加。更高密度的NAND芯片，能加速数据密集型环境和工作负载，例如人工智能 (AI) 引擎和大数据分析。对于 5G 智能手机，更大的容量可以更快地启动和切换多个应用，实现更快的移动体验和更快的多任务处理。8kEesmc

近日，SK海力士宣布已开始量产238层4D NAND闪存，并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。8kEesmc

238层NAND闪存特性

238 层“4D Nand”实际上是 3D 的一种形式，238 层NAND器件采用电荷陷阱闪存(CTF) 设计，并采用该公司专有的外围单元 (PUC) 布局，SK海力士将其标记为“4D”NAND。这种特殊的布局可以减小存储设备的尺寸，从而有助于进一步降低 SK 海力士 NAND 的成本。 8kEesmc

海力士表示，其首款238层3D NAND产品是一款512Gb(64GB)3D TLC，其制造效率比公司176 层 3D NAND 节点上制造的同类产品高34%。8kEesmc

假设238LTLC NAND的良率足够高，它将显着降低比特成本，最高可降34%，从而提高产品的成本竞争力。8kEesmc

除了比前代产品更小外，据说新产品在读取期间的功耗降低了 21%，这对移动 PC 和智能手机来说都是一个好处。8kEesmc

SK海力士指出：“公司以238层NAND闪存为基础，成功开发适用于智能手机和PC的客户端SSD（Client SSD）解决方案产品，并在5月已开始量产。8kEesmc

从性能角度来看，SK海力士238层TLC NAND IC的关键优势在于其2400 MT/s的接口速度，这比上一代增加了50%，这是构建顺序读/写速度为12 GB/s 或更高的SSD 所需要的性能，因为具有 1600 MT/s 接口的 3D NAND的传输速率无法满足 PCIe Gen5 x4 接口。 8kEesmc

238层NAND的规格如下：

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• 238层NAND闪存作为世界上最小体积的芯片，生产效率比上一代的176层提升了34%，成本竞争力得到了大幅改善。

• 238层NAND闪存的数据传输速度为每秒2.4Gb，比上一代的速度快50%。并且也改善了约20%的读写性能，由此公司自信，可将为采用该产品的智能手机和PC客户提供更高的性能。

另外，NAND闪存有SLC（Single Level Cell，1）、MLC（Multi Level Cell，2）、TLC（Triple Level Cell，3）、QLC，这取决于一个cell存储多少信息。一个cell能存储的信息越多，同一区域能存储的数据就越多。.8kEesmc

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从智能手机走向数据中心

SK海力士是去年8月宣布成功开发出世界最高238层NAND闪存。

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公司在176层甚至在238层产品，都确保了成本、性能和品质方面的世界顶级竞争力，期待这些产品在下半年能够起到改善公司业绩的牵引作用。”

SK海力士计划在完成智能手机客户公司的验证后，首先向移动端产品供应238层NAND闪存，随后将其适用范围扩大到基于PCIe 5.0的PC固态硬盘（SSD）和数据中心级高容量固态硬盘产品等。

SK海力士238层NAND担当副社长金占寿表示：“公司今后将继续突破NAND闪存技术局限，并加强竞争力，在即将到来的市场反弹周期迎来大转机。”8kEesmc

竞争对手信息

SK海力士现一举成为全球首家将 238 层 4D NAND 商业化的芯片制造商，但存储行业的竞争依然血雨腥风。8kEesmc

2020 年 11 月，美光科技公司宣布开发出 176 层 3D NAND 闪存，在大多数玩家关注 128 层 NAND 的情况下，成为当时全球最高密度的芯片，震惊了市场。去年，美光公司开始大批量生产232层NAND芯片。内存市场龙头三星也誓言要大力投资NAND业务，以拉大与竞争对手的差距。三星去年 11 月表示，它开始批量生产第八代 1 Tb 垂直 NAND (V NAND) 芯片，行业认为其为236 层。8kEesmc

SK 海力士表示，它还计划在不久的将来推出双倍容量的 1Tb、238 层 NAND 产品。8kEesmc

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