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三星电子在Foundry Forum EU 2023 展示其新的汽车工艺战略

自 2019 年开发并量产全球首款基于 28nm FD-SOI 的 eMRAM 以来,三星电子一直在推进基于 14nm FinFET 的 AEC-Q100 1 级应用的开发。

三星电子在10月19日慕尼黑举行的Foundry Forum EU 2023 上,为汽车行业提供先进而全面的工艺解决方案,涵盖了从最先进的2纳米工艺到8英寸传统工艺。RiHesmc

为了满足汽车市场最新创新的需求,三星将为未来汽车技术开发业界首款 5 纳米 eMRAM 解决方案。eMRAM 是用于汽车应用的下一代存储器,可实现高读写速度以及出色的热稳定性。RiHesmc

自 2019 年开发并量产全球首款基于 28nm FD-SOI 的 eMRAM 以来,三星电子一直在推进基于 14nm FinFET 的 AEC-Q100 1 级应用的开发。三星代工计划到 2024 年将产品组合扩大到 14 纳米,到 2026 年扩大到 8 纳米,到 2027 年扩大到 5 纳米。RiHesmc

与之前的 14 纳米技术相比,三星 8 纳米 eMRAM 解决方案的密度提高了 30%,速度提高了 33%。RiHesmc

从创新到传统的汽车工艺解决方案

该公司公布了其先进工艺路线图,并强调计划到 2026 年完成汽车应用 2nm 工艺的量产能力。三星电子还通过扩展其 8 英寸 BCD(双极 CMOS-DMOS)工艺组合来加强其满足客户需求的承诺。RiHesmc

BCD 工艺在一颗芯片上结合了三种不同工艺技术的优势:双极 (B)、CMOS (C) 和 DMOS (D),最常用于功率半导体的制造。三星电子计划到 2025 年将其当前的 130 纳米汽车 BCD 产品组合扩展到 90 纳米。90nm BCD工艺预计比130nm工艺减少20%的芯片面积。RiHesmc

通过采用深沟槽隔离 (DTI) 技术,缩短每个晶体管之间的距离,从而提高功率密度,三星代工厂将能够在高达 120V 而不是仅 70V 的电压下工作,从而扩展了广泛的可能应用。这将使该公司能够在 2025 年之前提供能够支持高达 120V 的 130nm BCD 工艺的工艺开发套件 (PDK)。RiHesmc

通过先进封装联盟进行超越摩尔创新

三星与其 SAFE 合作伙伴以及内存、封装基板和测试领域的主要参与者合作,完成了多芯片集成 (MDI) 联盟的创建。RiHesmc

作为由 20 个合作伙伴组成的全行业合作伙伴关系的一部分,三星是开发 2.5D 和 3D 封装解决方案的领导者,这些解决方案专为从汽车到高性能计算 (HPC) 的所有应用而定制。RiHesmc

责编:Echo
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