功率器件领域重磅收购案尘埃落定！英飞凌完成收购GaN Systems

10月24日，英飞凌科技（infineon）宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems）。已获得所有必要的监管部门审批，交易结束后，GaN Systems 已正式成为英飞凌的组成部分。v8gesmc

目前，英飞凌共有450名氮化镓技术专家和超过350个氮化镓技术专利族，这进一步扩大了英飞凌在功率半导体领域的领先优势，并将大幅缩短新产品上市周期。英飞凌和 GaN Systems 在知识产权、对应用的深刻理解以及成熟的客户项目规划方面优势互补。英飞凌首席执行官 Jochen Hanebeck 表示：“收购 GaN Systems 将显著推进公司的氮化镓技术路线图，并让我们同时拥有所有主要的功率半导体技术，进一步增强英飞凌在功率系统领域的领导地位。”v8gesmc

今年3月，英飞凌科和GaN Systems联合宣布，双方已签署最终协议。根据该协议，英飞凌将斥资 8.3 亿美元收购氮化镓系统公司。氮化镓系统公司是全球领先的科技公司，致力于为功率转换应用开发基于氮化镓的解决方案。该公司总部位于加拿大渥太华，拥有 200 多名员工。v8gesmc

凭借低能耗和小型化的优势，氮化镓器件的适用范围极广。据市场分析机构Yole预测，氮化镓器件为功率应用创造的收入将以 56% 的复合年增长率（CAGR）增长，到 2027 年将达到 20 亿美元左右。因此，氮化镓连同硅和碳化硅一起，配合混合反激（Hybrid Flyback）和多级实施等新型拓扑结构，正逐渐成为制造功率半导体的关键材料。v8gesmc

此外，2022 年 2 月，英飞凌宣布投资 20 多亿欧元，在马来西亚居林建设一座新的前道晶圆厂，以便扩大宽禁带材料产能，巩固其市场地位。第一批晶圆将于 2024 年下半年下线，届时，英飞凌的宽禁带材料制造能力将在现有奥地利菲拉赫工厂产能的基础上实现飞跃。v8gesmc

今年8月，英飞凌宣布将大幅扩建居林晶圆厂，在2022年2月宣布的原始投资基础之上，打造全球最大的200毫米碳化硅（SiC）功率半导体晶圆厂。这项扩建计划得到了客户的支持，包括汽车和工业应用领域约50亿欧元的新设计订单以及约10亿欧元的预付款。v8gesmc

在未来五年内，英飞凌将再投入多达50亿欧元进行居林第三厂区（Module Three）的二期建设。在本世纪末，这项投资再加上计划在菲拉赫与居林工厂的200毫米SiC改造，有望使SiC的年营收达到约70亿欧元。这座极具竞争力的生产基地将帮助英飞凌实现在2030年之前占据全球30% SiC市场份额的目标。英飞凌坚信，公司 2025 财年的碳化硅收入将超过 10 亿欧元的目标将实现。v8gesmc

根据该厂商披露，其已获得约50亿欧元的新设计订单，以及来自现有和新客户的10亿欧元左右的预付款，其中汽车领域包括六家整车厂，三家来自中国。客户包括福特、上汽和奇瑞。可再生能源领域的客户包括SolarEdge和中国三大领先的光伏和储能系统公司。此外，英飞凌和施耐德电气就产能预订达成一致，包括预付硅和碳化硅产品的费用。v8gesmc

除上述涉及功率器件领域通过收购扩张外，近日英飞凌还宣布收购一家低功耗超宽带（UWB）技术先锋公司——3db Access AG（3db）。v8gesmc

据悉，作为安全低功耗超宽带（UWB）技术领域的先锋，该公司如今已成为主要汽车品牌首选的IP供应商。此次收购进一步强化了英飞凌在安全智能访问、精确定位和增强传感方面的半导体产品组合。英飞凌将 UWB 增加到其现有的连接产品阵容中，包括 Wi-Fi、蓝牙/低功耗蓝牙和以及NFC 解决方案。首批物联网用例包括安全访问和身份验证、精确位置跟踪和室内导航以及利用UWB雷达实现存在检测。英飞凌将收购3db公司100% 的股份。双方同意不透露交易金额。v8gesmc

据ABI Research预计，UWB半导体芯片组市场将以每年13%的速度增长，到2028年将达到约31亿美元 。 英飞凌科技安全互联系统事业部总裁Thomas Rosteck表示：“3db在超宽带技术领域的专业知识将加速英飞凌在物联网领域的路线图，以充分利用安全互联设备的市场机遇。双方结合形成的合力将加速UWB技术的推广，从而满足更多汽车、工业和消费类物联网应用的需求。”v8gesmc