其中许多公司也在上游基板和外延材料领域取得了进展
市场研究公司 TrendForce 在最近的总结中指出,过去几年,全球各大公司都在投资 8 英寸碳化硅 (SiC) 生产线,这些投资目前正逐步投入运营。0i7esmc
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在全球范围内,意法半导体 (ST)、安森美、英飞凌、Wolfspeed、罗姆、博世、富士电机、三菱电机、世界领先半导体 (VIS) 和 EPISIL、士兰微电子和 UNT 等公司都已宣布计划建设 8 英寸 SiC 芯片工厂。0i7esmc
TrendForce 补充说,其中许多公司也在上游基板和外延材料领域取得了进展。0i7esmc
意法半导体(ST):5月31日,意法半导体宣布在意大利卡塔尼亚建设新的8英寸SiC工厂,整合SiC生产工艺的各个环节。新工厂预计于2026年开始生产,2033年达到满负荷,最高产能为每周15,000片晶圆,预计总投资约50亿欧元。0i7esmc
意法半导体与中国三安光电合资在中国重庆建设的8英寸SiC制造工厂将成为意法半导体的第三个SiC生产中心。该项目于2023年6月宣布,预计将于2025年第四季度开始生产,预计2028年全面竣工。0i7esmc
安森美(Onsemi):安森美位于韩国富川的SiC晶圆厂于2023年完成扩建,计划在完成技术验证后,于2025年过渡至8英寸生产。届时产能将扩大至现有规模的10倍。0i7esmc
英飞凌:8月8日宣布,英飞凌位于马来西亚居林的8英寸SiC功率半导体晶圆工厂一期正式投入运营,预计2025年实现规模化生产。0i7esmc
Wolfspeed:Wolfspeed拥有全球首座也是最大的8英寸SiC工厂,位于纽约州莫霍克谷,于2022年4月正式开业。截至2024年6月,该工厂已实现20%的晶圆利用率。0i7esmc
2023年1月,Wolfspeed与汽车零部件供应商ZF宣布计划在德国萨尔州建设全球最大、最先进的8英寸SiC器件制造工厂。这一项目已被推迟,现在预计最早也要到2025年才能开工。0i7esmc
ROHM:ROHM在日本福冈县筑后町建设了SiC新工厂,将于2022年开始量产,并计划在2025年前从6英寸晶圆生产过渡到8英寸晶圆生产。2023年7月,ROHM宣布计划在2024年底前在日本宫崎县第二工厂开始生产8英寸SiC基板。0i7esmc
博世:博世位于德国罗伊特林根的工厂于 2021 年开始生产 6 英寸 SiC 晶圆,目前该工厂还生产 8 英寸 SiC 晶圆。位于美国加利福尼亚州罗斯维尔的工厂预计将于 2026 年开始生产 8 英寸 SiC 晶圆。0i7esmc
三菱电机:5月下旬,三菱电机宣布位于日本熊本县的8英寸SiC工厂将于2025年9月完工,投产时间从2026年4月提前至2025年11月。0i7esmc
富士电机:今年 1 月,富士电机宣布未来三年(2024-2026 财年)投资 2000 亿日元用于 SiC 功率半导体生产,其中包括在日本松本工厂的 8 英寸 SiC 产能,预计将于 2027 年开始生产。0i7esmc
联合星科技( UNT)在绍兴市越城区建成首条8英寸SiC MOSFET晶圆生产线,并于今年4月完成工程批量生产,预计2025年实现量产。0i7esmc
士兰微电子:今年6月18日,士兰微电子在厦门正式启动我国首条8英寸SiC功率器件芯片生产线项目,总投资120亿元人民币。项目分两期建设,年产能为72万片8英寸SiC功率器件芯片。一期投资70亿元人民币,预计2025年三季度末完成初步并网,2025年四季度试产,年产量目标为2万片晶圆。二期投资约50亿元人民币。0i7esmc
世界先进半导体(VIS)与EPISIL:9月10日,世界先进宣布拟投资24.8亿新台币收购EPISIL 13%的股权,两家公司将合作研发和生产8英寸SiC晶圆技术,预计2026年下半年实现量产。0i7esmc
泰国首家碳化硅工厂:近日,泰国FT1 Corp合资公司投资115亿泰铢(3.5亿美元),利用从韩国芯片制造商转让的技术,建设泰国首家碳化硅工厂,生产6英寸和8英寸晶圆。该工厂预计将于2027年第一季度投产,以满足汽车、数据中心和储能市场日益增长的需求。0i7esmc
概括0i7esmc
上述14家碳化硅工厂(其中12家在建)中,目前仅有Wolfspeed的Mohawk Valley工厂短期内能够供应8英寸SiC晶圆,TrendForce总结,预计其他厂商明年起将陆续开始供应8英寸SiC晶圆。0i7esmc
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