美光将于下月战略重组，划分四大核心部门

在人工智能浪潮推动下，高带宽内存（HBM）正成为存储巨头的战略要地。为加速追赶行业龙头SK海力士，美光科技近日宣布启动重大组织架构重组，并透露其下一代HBM4技术量产时间表，剑指2026年实现技术突破。bxAesmc

战略重组：四大部门瞄准细分市场‌

美光将业务划分为四大核心部门：bxAesmc

• ‌云内存业务部门（CMBU）‌：聚焦超大规模云服务商（如微软、AWS）的定制化HBM及存储解决方案，直接负责HBM技术研发与商业化；
• ‌核心数据中心业务部门（CDBU）‌：服务戴尔、慧与等OEM服务器客户，满足传统数据中心需求；
• ‌移动与客户端业务部门（MCBU）‌及‌汽车与嵌入式业务部门（AEBU）‌：分别深耕消费电子与汽车智能化市场。

此次调整旨在强化对AI关键客户的服务能力。据韩媒etnews分析，CMBU的设立凸显美光对云巨头定制需求的重视，而CDBU与CMBU的分工则精准切分超大规模客户与OEM客户的差异化需求。bxAesmc

‌Fluxless键合技术成HBM4关键‌

为突破当前HBM堆叠技术瓶颈，美光正加速推进下一代“Fluxless无焊剂键合”技术‌。根据业内人士近日透露，美光公司将从今年第二季度开始与各大后处理设备公司合作，对无助焊剂设备进行质量测试。bxAesmc

据了解，目前美光公司正在采用NCF（非导电粘合膜）工艺来制造HBM。该方法涉及将NCF材料插入每个DRAM堆栈，再使用TC粘合机通过热压缩将其连接起来其原理是NCF受热熔化，连接DRAM之间的凸块，固定整个芯片。bxAesmc

不过，现行NCF工艺在12层以上HBM3E堆叠中面临材料填充不均、边缘溢胶等问题，难以满足HBM4（预计12-16层）更高密度需求。而根据制造商设备的不同，Fluxless技术通过等离子体或甲酸等不同处理方式替代传统助焊剂，直接去除凸块氧化层，可提升堆叠可靠性与良率。bxAesmc

‌力图缩小与SK海力士差距‌

如今，美光已与核心设备商达成深度合作。据The Elec报道，韩美半导体将向美光交付约50台热压TC键合机，远超2024年的交付量，为美光的HBM3E扩产铺路；下一代HBM4产线设备采购与测试同步推进，目标2026年量产，2027-2028年推出更先进的HBM4E。bxAesmc

‌目前，美光12层HBM3E已向英伟达B300芯片供货，但市场份额仍落后于SK海力士。据韩媒分析，此次重组与技术迭代双管齐下，意在通过‌“定制化服务+前沿技术”组合拳争夺AI芯片巨头订单。而三星电子同期启动的无焊剂技术测试，则预示HBM4赛道将迎来更激烈的技术博弈。bxAesmc

‌美光CEO Sanjay Mehrotra表示，新架构将于2025年5月生效，同期启用新财务报告体系。随着HBM在AI服务器中的渗透率持续攀升（TrendForce统计，2023年HBM占DRAM总产值的只有8%，2024年激增至21%，到2025年占比预计将超过30%），美光此番战略调整或为其在万亿级AI存储市场中赢得关键席位。bxAesmc