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中芯国际挺进PRAM存储,蚕食三星40nm产能

近日,中芯国际与阻变式存储器(RRAM)技术领导者Crossbar签订一份代工协议,基于中芯国际40纳米CMOS制造工艺,提供阻变式存储器组件……

近日,中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业中芯国际(SMIC),与阻变式存储器(RRAM)技术领导者Crossbar,共同宣布双方就非易失性RRAM开发与制造达成战略合作协议。

作为双方合作的一部分,中芯国际与Crossbar已签订一份代工协议,基于中芯国际40纳米CMOS制造工艺,提供阻变式存储器组件。这将帮助客户将低延时、高性能和低功耗嵌入式RRAM存储器组件整合入MCU及SoC等器件,以应对物联网、可穿戴设备、平板电脑、消费电子、工业及汽车电子市场需求。
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中芯国际曾发展过130nm到65nm制程的NOR闪存,2014年自主研发的38nm制程取得突破,继而转向更加先进的NAND闪存,将使用40nm工艺代工PRAM阻变式存储器芯片,意味着中芯国际已经进入了下一代内存产业。

RRAM元件能够集成到标准的CMOS逻辑工艺当中,在标准CMOS晶圆的两条金属线之间。这将促成高度集成的非易失性存储器解决方案的实现,将片上非易失性存储器、处理器核、模拟及射频集成在一个单独的芯片上。

高度集成的MCU及SoC设计厂商需要非易失性存储器技术,Crossbar的RRAM CMOS兼容性及对更小工艺尺寸的可扩展性使非易失性存储器组件在更低工艺节点的MCU和SoC中集成成为可能。

Crossbar的RRAM技术与中芯国际专业制造能力的结合将创造独特的存储器架构,安全性更严格,功耗更低,同时提供更大容量和更快的进入时间,摊薄成本缩短入市时间。

目前,中国半导体政策目前主攻存储器产业,2015年以来也透过不断并购相关供应链来加快成长脚步,晶圆产能扩充积极。中国半导体政策持续带给三星存储器部门一定的竞争压力,势必分散三星在晶圆代工产业的专注度。

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