向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了
广告

台积电对英特尔说,这把10纳米决胜局我要赢

英特尔毫无疑问是半导体先进工艺技术的领跑者,台积电、三星在其后亦步亦趋。但摩尔定律的衰微,让半导体微缩工艺竞赛,出现巨大分歧……

究竟谁握有最佳的半导体工艺技术?业界分析师们的看法莫衷一是。但有鉴于主题本身的复杂度以及芯片制造商传递的信息不明确,就不难了解为什么分析师的看法如此分歧了。QZqesmc

市场研究机构Linley Group首席分析师Linley Gwennap表示,英特尔(Intel)将在10nm工艺优于台积电(TSMC)与三星(Samsung),就像在14nm时一样。VLSI Research执行官G. Dan Hutcheson认为,台积电即将量产的10nm工艺将大幅超越英特尔的14nm节点,而且台积电正以较英特尔更快的速度超前进展。此外,International Business Strategies (IBS)创办人兼执行长Handel Jones则指出,英特尔与台积电的10nm工艺技术性能旗鼓相当。QZqesmc

但各方均同意,有多种变量决定了组件如何制造,对于不同类型芯片的影响也各不相同。分析师们还把责任归咎于营销部门,认为他们经常是让情况变得更加模糊,而非厘清现实。QZqesmc

“事实上,没有一种衡量方式能够决定一项技术的性能、功耗与晶体管密度,”Jones说,“金属层M1间距十分重要,但局部互连也会影响到布线的闸极密度与性能;闸极间距对于闸极密度相当重要,但鳍片高度也明显影响性能。”QZqesmc

“互连延迟正成为重大的挑战,尤其是在10nm时有80%的性能都取决于互连延迟的影响,”他补充说。
20160328-Linley-1从Linley Group的衡量指标来看,英特尔比台积电和三星更具优势(来源:Linley Group)QZqesmc

FinFET的高度与线宽可作为衡量技术节点与芯片制造商实力的良好指针。Hutcheson认同这一观点,他并表示,SRAM的单元尺寸也值得考虑。QZqesmc

但是,“我认为技术进展的终极衡量标准在于随着每一技术节点倍增密度的能力,”Hutcheson说,“英特尔至今在每一节点都达到了这一目标。”QZqesmc

也就是说,台积电在10nm达到的M1金属层间距已能“完整微缩(~70%),领先英特尔的14nm,”Hutcheson强调,英特尔持续14nm节点也已经2年了。QZqesmc

随着近期披露10nm与7nm计划,“台积电不仅证明拥有扳回胜局的魔力,同时还踩着比任何人更快的进展步调,”他补充说。QZqesmc

同时,尽管在今年1月,一些厂商还不那么看好其16/14nm节点,但台积电目前的16nm节点“在相同的时间架构下,已经在营收与良率方面双双超越了28nm,”他强调。QZqesmc

节点性能与名称无关?

Gwennap表示,技术节点的传统衡量标准是晶体管尺寸,亦即所测得的最小闸极长度。然而,归功于市场营销的努力,如今的节点名称不再与闸极测量结果吻合了,“但其差距也不算太大——英特尔14nm工艺的闸极长度约相当于三星(Samsung)的20nm。”QZqesmc

不过,Gwennap说,台积电和三星目前“在速度与密度方面都远落后英特尔的14nm工艺,”以此来看,他认为三星的节点更适合称为17nm,台积电则为19nm。“预计在10nm时的情况类似...三星与台积电将在速度与密度方面落后英特尔约一至半个节点。”QZqesmc

然而,光是最小闸极长度并不足以决定一切,Chipworks资深研究员兼技术分析师Andy Wei表示,“定调一项技术是否最优,高度取决于与面积微缩有关的工艺成本。而这可归结为比较布线单元级的技术能力,以及达到该密度所需的成本,Chipworks正是以此作为基准。”
20160328-Linley-2Linley Group认为,三星可望最先推出10nm工艺,但英特尔的表现会更优(来源:Linley Group)QZqesmc

自从德州仪器(TI)为了如何衡量闸极长度而战,工艺节点的命名之争已经持续25年了。Hutcheson说,TI采用有效闸极长度,而硅谷芯片制造商则以更大的闸极长度作为指标。QZqesmc

在1990年代,当线宽微缩至纳米级时,“新的论据认为闸极长度不再适用,因为蚀刻削薄而使M1金属级间距成为更适合的标准——不过却仍由闸极长度决定性能。”QZqesmc

其后,台积电宣称其40nm工艺比英特尔使用的45nm节点更好,但除了“更好”似乎也没提出任何指标,Hutcheson指出,“从那时起,就一直有点像 是『各自表述』一样。例如,Globalfoundries的32nm和28nm之间真正的差异是32nm是SOI工艺,28nm则是bulk工艺。”QZqesmc

台积电已经明确表示其16nm工艺采用20nm的后段工艺技术——FinFET晶体管层迭于顶部。在最近于圣荷西举行的会议,台积电表示,其7nm节点将会较其10nm工艺密度更高1.63倍,Chipworks的Wei说,“这使得2种尺寸微缩0.7倍的性能提高还不到2倍,而节点名称微缩了0.7倍。”QZqesmc

“市场营销元素强烈影响节点的命名,而且着眼于顶级规格,但设计工程师知道他们所选择的技术优点,”Jones表示。毕竟,“只要工艺技术快速、低功耗且低成本,那么怎么称呼都不重要。”QZqesmc

Edit
本文为国际电子商情原创文章,未经授权禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
Rick Merritt
EE Times硅谷采访中心主任。Rick的工作地点位于圣何塞,他为EE Times撰写有关电子行业和工程专业的新闻和分析。 他关注Android,物联网,无线/网络和医疗设计行业。 他于1992年加入EE Times,担任香港记者,并担任EE Times和OEM Magazine的主编。
  • 微信扫一扫,一键转发

  • 关注“国际电子商情” 微信公众号

您可能感兴趣的文章

  • 海关曝光花样“走私”案,涉及CPU、iPhone、旧内存条及

    全球芯片短缺,价格飞涨背景下,一些投机分子开始利用芯片“赚快钱”。继“电子厂芯片窃案”和“芯片抢劫案”后,海关近日也通报多起走私案,涉及CPU、iPhone、旧内存条、电路板及芯片阻容等...

  • 超22亿元人民币!国巨6月营收创33月新高!

    国际电子商情7日讯,被动元件龙头厂国巨6日公布6月业绩报。得益于终端需求持续畅旺,该公司在6月营收月增 3.3%、年增 109.4%,创33个月以来新高...

  • 华为将发射卫星?官方紧急辟谣!

    《国际电子商情》讯,近日国内多家媒体发布消息称,华为将与中国移动公司、中国航天公司合作发射两颗卫星,此次华为发射卫星的举动意在进军6G,并率先抢占6G研发先机。如果成功,相关的成果将会在9月的华为开发者大会上公布消息。

  • 闻泰科技回应8700万美元收购案传闻…

    《国际电子商情》讯,当地时间7月2日CNBC报道,据消息人士透露,在全球芯片短缺之际,中国半导体公司闻泰科技的旗下公司安世半导体(Nexperia)拟以6300万英镑(约合8700万美元)的价格收购英国最大芯片制造商Newport Wafer Fab(NWF)。

  • 半年利润暴增9倍!国产半导体企业业绩在缺芯行情中预增

    2021年上半年,随着全球疫情常态化,各国经济开始复苏,消费电子需求增长,工业、汽车需求回暖,但半导体行业产能紧张、严重缺货的情况不降反增,导致下游终端市场“涨声”不绝,全球半导体市场保持持续高景气。对于上游企业来说,这波“超级行情”直接带动了公司业绩的增长;尤其是国产半导体企业,今年上半年迎来业绩预增潮。

  • 比亚迪半导体IPO进展“神速”,已获深交所受理

    《国际电子商情》讯,6月30日比亚迪股份公布称,子公司比亚迪半导体提交在深圳交易所创业板首次公开发售及上市的申请材料,已接获相关通知。深交所依据相关规定,对申请报告及文件进行核对,认为文件齐备,决定予以受理。这意味着,比亚迪半导体分拆上市的计划,已进入最后阶段。

相关推荐

可能感兴趣的话题