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2016全球闪存高峰会 中国市场旺本土厂商沾光

闪存产业的指标性展会──2016年全球闪存高峰会(2016 Flash Memory Summit)落幕,中国闪存厂商的话语权与能见度正快速攀升……

TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange研究协理杨文得表示,大会连续两年设置中国专场,并由华澜微电子总裁骆建军博士担任论坛主持人,显示出中国市场已成国际关注焦点,中国闪存厂商的话语权与能见度正快速攀升。

由于行动装置需求的快速增长及服务器、数据中心的大量建置,中国市场NAND Flash消耗量呈爆发式增长。DRAMeXchange预估2017年中国市场所消耗的NAND Flash量将占全球30%以上,2020年将占全球逾40%,成为中国大力进军NAND Flash产业,积极建立上中下游完整供应链的主要原因。

杨文得分析,3D-NAND Flash最晚将于2018年超越整体NAND Flash市场的一半,进一步推升固态硬盘存储应用的容量与市场规模,至2020年整体NAND Flash需求将维持每年40%的高增长率,中国巨大的市场发展潜力势必带动众多NAND Flash厂商投入,未来中国厂商的布局更加火热。

本届快闪高峰会中国厂商的动态可从存储制造、主控芯片与应用市场两大面向看出其强大的发展企图。

存储制造端

武汉新芯为目前中国NAND Flash制造端厂商中最具规模者,与国际大厂飞索半导体(Spansion)合作发展3D-NAND Flash,预计2018上半年量产第一世代的3D-NAND产品。今年七月武汉新芯正式与紫光集团成立长江存储科技公司,将有效整合中国在NAND Flash制造端发展能量。杨文得表示,为拉近与国际存储大厂的距离,中国产学界代表也联合展示闪存FTL技术及复旦大学的RRAM商业化尝试,可见中国在闪存布局有长远规划。

主控芯片与应用市场

中国主控芯片厂如华澜微、忆恒创源与华为等一线大厂皆参与盛会,看准固态硬盘未来五年快速成长的商机,各厂正强化在固态硬盘整体存储设备及PCIe高速接口的研发能量。此外,为实现建立自主产业链的目标,华澜微与华为等厂商也展示自主开发的IP与基础性结构研究。杨文得进一步表示,近年来中国主控芯片业者以自主开发或并购等方式获取关键IP技术的进展速度加快,预期两年内将有更多NAND Flash主控芯片厂跨国合作与并购。20160719-ESMC-1

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