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明年手机就能用上3D-NAND,主产地在中国西安

三星将在韩国正在建设的平泽工厂以及中国的西安工厂量产最尖端的64层3D NAND,通过将目前的48层提高到64层来提高产品竞争力……

随着2D技术微缩瓶颈凸显,2016年三星、东芝、美光、SK海力士等纷纷扩大或加快3D NAND投产。三星最早在2013年以24层投入3D NAND生产,2016年主要量产32层和48层3D NAND,将在年底前开始出货64层3D NAND,预计年底前3D NAND生产比重可提升至40%。R75esmc

2016年除了三星,东芝、美光、SK海力士等也在加快投入3D NAND,东芝已出样64层3D NAND,美光和SK海力士在2017年也将分别投入64层和72层3D NAND生产,同时东芝Fab 2、美光Fab 10x已开始进入投产阶段,再加上SK海力士M14在2017年投产,3D NAND市场竞争已进入白热化阶段。
20161010-3DNAND-1
三星除了2013年在中国西安兴建3D NAND专用工厂,还在2016上半年将华城Fab 16改造成48层3D NAND产线,以及计划在2016年底启动Fab 17产线量产3D NAND,现在提前平泽厂的投入时间,可以预见三星在2017年的3D NAND产能将会大增。R75esmc

三星为了稳固在3D NAND市场的领先地位,以及满足市场对高存储密度和高性能NAND Flash的需求,据韩媒etnews 4日报导称,三星平泽厂将提前三个月投产,目前平泽厂的建筑工事进入尾声 ,正修筑工厂外墙,预计12月完工,紧接着开始设备投资,购买无尘室设施和晶圆生产仪器等。R75esmc

据早期报道,三星在2015年投资兴建平泽存储器工厂,第一阶段投资规模达15.6兆韩元,再投入10兆韩元,总投资规模将达25兆韩元以上,主要用于发展10nm工艺和3D技术,预计在2017年投入生产,未来将成为三星重要存储器生产基地。
20161010-3DNAND-2西安三星工厂于2014年5月竣工,产能配置还是传统2D闪存R75esmc

此外,中国西安的三星工厂也将是未来64层堆栈3D闪存的主产地之一,三星12英寸闪存芯片工厂(西安)一期工程投资规模高达441亿元,可以生产最先进的10纳米级闪存芯片,去年发布950 Pro时三星就提到西安工厂是最早量产48层堆栈3D闪存的工厂。R75esmc

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