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死磕三星!传:东芝总投资90亿美元扩产3D-NAND

根据日刊工业新闻7日报导,为了提高3D架构的NAND型闪存(FlashMemory)产能、以因应三星电子等竞争对手加快扩产脚步,东芝(Toshiba)将进一步祭出增产投资,计划在日本岩手县北上市兴建新工厂,该座新厂预计于2018年度动工、2021年度启用,总投资额将达1兆日圆(90亿美元)的规模。东芝目前已在四日市工厂厂区内兴建3D NAND专用厂房“第6厂房”。

该座3D NAND新工厂兴建计划由东芝半导体事业子公司“东芝内存(Toshiba Memory Corporation,以下简称TMC)”负责策划,而东芝是在说明上述新厂兴建计划后才进行TMC的招标作业,因此即便之后TMC易主、预估新厂兴建计划仍将持续。而实际上,TMC卖身钱不过1兆+日圆。hfqesmc

报导指出,东芝因TMC出售案一事和合作伙伴WesternDigital(WD)闹翻、对立情势加剧,因此上述新厂能否如之前一样和WD分担投资额仍旧不明,不过因TMC恐难于单独进行巨额投资,故若无法和WD达成和解的话,恐必须重新思考合作策略、寻找新投资伙伴。
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东芝3日宣布,关于目前已在四日市工厂厂区内兴建的3D NAND专用厂房“第6厂房”投资案,因和WD子公司SanDisk未能获得共识、协商破裂,故所需的设备投资金额将由TMC单独负担,且为了因应内存需求扩大,故投资金额将从原先规划的1800亿日圆加码至约1950亿日圆。东芝指出,计划在2018年度将3D架构产品的产量比重提高至约90%。hfqesmc

早在6月28日,东芝为了展现其在NAND Flash的技术实力,宣布,将在明年量产全球首款采用堆栈96层制程技术的3D NAND Flash产品,且也试作出全球首见、采用4bit/cell(QLC)技术的3D NAND Flash产品。而东芝再出招,宣布已试作出全球首款采用硅穿孔(TSV)技术的3D NAND Flash产品、并将在年内送样。hfqesmc

东芝表示,上述试作品采用堆栈48层制程技术,成功提高省电性能,且和采用打线接合(Wirebonding)技术的产品相比、其电力效率(每单位电力的数据传送量、MB/s/W)可提高至约2倍水平;另外,藉由堆栈16片512Gb芯片、成功实现了1TB的大容量产品。hfqesmc

路透社、美联社等多家外电报导,三星7月4日宣布,至2021年为止,要对位于平泽市的NAND型闪存厂房投入14.4兆韩元,并对华城市新建的半导体生产线投入6兆韩元。位于中国西安的NAND生产基地也会多盖一条生产线,但投资金额和时间表还未定。hfqesmc

最新数据显示,南韩6月份半导体出口价格创下30个月新高,再次证明全球芯片需求持续成长。南韩媒体Business korea.com报导,位于南韩平泽(Pyeongtaek)的三星内存厂正在加速扩厂,产业消息指出,东芝NAND产能仅能满足苹果七成需求,致使苹果紧急向三星下单,三星积极扩充产能或与此有关。hfqesmc

内存厂商大手笔投资,让IC Insights忧心忡忡。该机构7月18日称,内存以往市况显示,过度投资常会造成产能过剩、削弱价格。未来几年三星电子、SK海力士、美光、英特尔、东芝/SanDisk、武汉新芯(XMC)/长江存储(YangtzeRiverStorage)都大举提高3D NAND flash产能,未来可能还有中国新厂商加入战场,3D NAND flash产能过多的可能性“非常高”(veryhigh)。hfqesmc

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