向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了
广告

微缩极限近了 3D NAND离终点还远吗?

随着平面的2D NAND Flash制程逐渐面临微缩极限,3D NAND的平均生命周期也可能比大多数人所想象的更短许多…

在今年的闪存高峰会(Flash Memory Summit)上,三星(Samsung)宣布开发1Tb 3D NAND,并将用于明年推出的商用产品中。不过,我想知道4Tb 3D NAND何时将会出现在市场上。

根据来自三星与东芝(Toshiba)的信息,64层TLC 512Gb 3D NAND芯片尺寸约为130mm2。而假设以串行堆栈64层的条件下,我认为,为了建置4Tb NAND芯片:

  • 需要8串64层串行堆栈,才能实现容量达4Gb的芯片(512Gb×8=4G);
  • 总层数在130mm2的芯片尺寸上达到512层;
  • 处理1个芯片大约需要1年的时间,内存逻辑则需要5周的处理时间;再将建置一个64层内存单元需的5-6周时间乘以8倍(8串64层的堆栈)。因此,处理一个512层的芯片将会需要45-53周的时间。

3De

如果这种简单的估算方法正确的话,那么实际上就不可能实现4Tb NAND芯片了。如果考虑采用四位单元(QLC)以取代三位单元(TLC),那么充其量最多也只能改善25%。因此,QLC 4Tb 3D NAND需要410层,以及大约9个月的晶圆处理时间。

那么16Tb 3D NAND呢?它应该会需要2,048层,以及大约4年的晶圆处理时间。

过去几十年来,NAND在摩尔定律(Moore’s Law)的原则下实现了显着的成长。当摩尔定律逐渐迈向尾声,而平面NAND开始过渡至3D NAND时,许多人预期3D NAND将以垂直方向持续扩展其内存微缩。然而,3D NAND在64层时才能实现与平面NAND相当的价格。因此,3D NAND将开始与平面NAND展开价格竞争。而现在我认为期待4Tb NAND几乎是不可能的。

3D NAND的微缩极限似乎也变得显而易见了。那么,3D NAND将会很快地达到其生命周期的终点吗?我想可能不远了。

二维码

Edit
本文为国际电子商情原创文章,未经授权禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
  • 微信扫一扫,一键转发

  • 关注“国际电子商情” 微信公众号

您可能感兴趣的文章

  • 深入剖析SK海力士最新72层 3D NAND

    拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND,指该芯片具备市场上最高闸极堆栈的产品......

  • 全球存储器产业链汇总

    内存的正式名字叫做“存储器”,是半导体行业三大支柱之一。2016年全球半导体市场规模为3400亿美金,存储器就占了768亿美元。对于你身边的手机、平板、PC、笔记本等所有电子产品来说,存储器就类似于钢铁之于现代工业,是名副其实的电子行业“原材料”。

  • 西部数据拟砸5000亿日元 携手东芝增产3D NAND

    日经新闻10日报道,东芝(Toshiba)存储器事业合作伙伴Western Digital(西数)将在今后3年内对双方的合资事业投资5000亿日元,除了将用于四日市工厂新厂房的兴建费用之外、也将充作预计2020年启用的北上工厂的投资资金。

  • 美光与英特尔将于2019年分手:再见亦是朋友

    英特尔和美光宣布双方未来将独立开发3D NAND技术。日前,Intel宣布和美光的闪存合作即将发生关键性变化,双方的合作会一直持续到2019年初,这个项目完成之后Intel和美光将会正式分道扬镳。

  • 紫光赵伟国:长江存储32层64G 3D NAND芯片明年量产

    12月4日,紫光集团董事长赵伟国在浙江乌镇召开的第四届世界互联网大会上表示,长江存储324G 3D NAND芯片明年实现量产。

  • 三星豪掷260亿美金投资半导体,3D NAND将产能过剩

    三星电子今年的半导体资本支出大幅增加、增幅出乎市场意料之外,科技市调机构IC Insights警告,这会让3D NAND型快闪记忆体供给过剩,也扼杀了中国企业在3D NAND或DRAM市场大展身手的希望。

相关推荐

可能感兴趣的话题