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苹果包下三大厂产能 DRAM本季涨10%、下季再涨5%

由于苹果包下了三星、SK海力士、美光等三大厂第四季行动式DRAM产能,在产能排挤效应发酵下,标准型、服务器、利基型等DRAM持续缺货,第四季合约价顺利再涨6~10%,业界对明年第一季淡季续涨5%已有高度共识,法人点名南亚科、华邦电、威刚将受惠最大。

南亚科受惠于DRAM合约价顺利调涨,加上20纳米制程新产能全面开出,6日公告10月合并营收月增9.2%达新台币50.72亿元,创下单月营收历史新高,与去年同期相较亦大增32.7%。华邦电及威刚尚未公告10月营收,但法人乐观预估华邦电营收将介于新台币43~45亿元间维持高档,改写近17年来的单月营收新高,威刚10月合并营收应可冲上新台币30亿元大关,并改写4年来新高纪录。MG3esmc

由于苹果第四季进入新款iPhone出货旺季,其中iPhone X全球大卖且超乎预期,苹果已通知供应商将扩大采购存储器,三大DRAM厂的行动式DRAM产能已被包下,无多余产能可供应给其它手机厂,导致行动式DRAM第四季合约价大涨10~15%幅度。MG3esmc

在产能排挤效应发酵下,标准型、服务器、利基型等DRAM持续缺货,现货价已连涨6周,创下今年以来现货价最长涨势,缺货最严重的4Gb DDR4颗粒现货价更已一举涨破5美元大关再创历史新天价。MG3esmc

在现货价持续上涨下,第四季合约价顺利调涨6~10%,由于现货价及合约价之间溢价差高达3成,业界因此认为明年第一季就算是存储器淡季,价格仍可望续涨5%。MG3esmc

虽然近期市场传出三星可能扩大DRAM产能消息,但三星日前法说会中已明确表达并无此事。三星表示,2018年资本支出虽大举提升至46.2万亿韩元(约折合411.5亿美元),半导体资本支出仅占64%,平泽厂(Pyeongtaek)新扩产能主要是因应强劲的3D NAND需求,以及聚焦在10纳米晶圆代工产能,明年DRAM位元成长率将与市场平均位元成长率相当。由此来看,三星仍没有大扩DRAM产能计划,也让其它DRAM厂大大松了一口气。MG3esmc

事实上,存储器业界对2018年DRAM市场仍维持吃紧市况看法,龙头大厂三星已在10月底通知渠道商,第一季将再度调涨DRAM价格,行动式DRAM因需求强劲,价格涨幅将超过5%。业界认为,三星在传统淡季敢调涨价格,显示对2018年DRAM市场维持乐观看法,也说明三星在扩产态度上十分节制,不会放弃拉升DRAM获利以推升集团获利表现的策略,这有助于破除近期市场担心三星可能会扩产打乱DRAM产业秩序的疑虑。 MG3esmc

二维码MG3esmc

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