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三星豪掷260亿美金投资半导体,3D NAND将产能过剩

三星电子今年的半导体资本支出大幅增加、增幅出乎市场意料之外,科技市调机构IC Insights警告,这会让3D NAND型快闪记忆体供给过剩,也扼杀了中国企业在3D NAND或DRAM市场大展身手的希望。

IC Insights 14日发表研究报告指出,今年全球半导体资本支出有望成长35%至908亿美元,其中三星今年的支出高达260亿美元、远多于去年的113亿美元,比英特尔、台积电加总起来还要多。

IC Insights总裁Bill McClean指出,他追踪半导体产业这37年来,从未看过如此积极的资本支出计划,三星今年的支出规模,在半导体业界可说是史无前例。(图为三星历年支出统计)

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该机构预测,三星今年第4季的半导体资本支出将达到86亿美元,占全球半导体产业支出总额(262亿美元)的33%。与此同时,三星Q4的导体销售额,对全球占比则将达16%。

IC Insights估计,三星今年的260亿美元半导体支出当中,140亿美元会分配给3D NAND、70亿美元分配给DRAM、50亿美元分配给专业晶圆代工(用来扩充10纳米制程产能)。

三星今年的庞大资本支出,对未来影响极大。该机构相信,3D NAND市场很可能会有一段供过于求的时期,除了三星大举支出外,竞争对手(如SK 海力士、美光、东芝、英特尔等)也会跟着扩充产能、以免丧失市占率。另一方面,三星大举支出,也等于扼杀了中国在3D NAND或DRAM市场大展身手的希望。

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