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重金增建EUV专用产线 三星将于2019年初量产10纳米DRAM

考虑现有ArF浸润式制程,不易将DRAM微缩至10纳米,三星计划在南韩华城厂增建EUV专用的DRAM产线,2019年初生产10nm级(1z)制程DRAM,尽可能在DRAM市场与竞争对手维持技术差距。

据韩媒Digital Times报导,三星电子即将在华城厂区17产线附近的停车场空地增建1条新的EUV专用产线,最快2017年12月就会动工,预定2019年启用,将利用初期10纳米技术生产DRAM,开业界先河。TCNesmc

韩国ETNews报道称,三星华城Line 17工厂预计投资在2.5万亿到3万亿韩元之间,约合22-26.4亿美元,以300mm晶圆计算,扩建之后每月产能将提升3.5万片晶圆,目前的产能约为4万片晶圆/月。TCNesmc

三星华城厂区内有DRAM、NAND Flash、晶圆代工等多种半导体产线,目前三星还在研议是否将这条EUV产线与其余7条原本的半导体产线、输送带连接运行。TCNesmc

业界认为,三星除了要在晶圆代工使用EUV设备,也有意将EUV设备用在DRAM生产,2019年领先同业量产1znm制程DRAM。TCNesmc

三星增建产线会在当地带来交通负荷,但最近华城市政府已通过交通影响环评审议,因此三星只需完成剩余的建厂申请行政流程,立刻就可以动工。三星虽未明确公布将使用几台EUV设备,但业界推测应在4~8台。TCNesmc

皆为保住DRAM市场龙头宝座

半导体大厂抢进先进制程,尤以10纳米以下必须导入波长只有13.5纳米的极紫外光(EUV),才能降低晶圆制造的光罩数,缩短芯片制程流程。由于要价1.5亿美元(折合新台币约45亿元)的EUV设备,目前只有艾司摩尔(ASML)独家供应。TCNesmc

三星在2016年10月开始以现有的曝光设备反复刻画电路量产18nm DRAM,至今尚未公布1ynm DRAM量产计划,业界认为三星已准备好1znm量产技术,只是无法决定导入时间点。TCNesmc

熟悉三星电子情况的人士说,原则上三星的EUV机台只会用在7纳米晶圆代工,不过有些可以拿来生产DRAM。三星最可能以ASML生产的EUV机台进行量产,预料将装设4~8台EUV设备,但机台价格动辄数千亿韩元,制程速度慢是最大缺点,三星能否获利仍是未知数,。TCNesmc

专家预测,虽然导入EUV仍有几项缺点,三星仍会考虑用EUV生产10纳米DRAM,以维持市场龙头宝座。前不久韩媒曾报导三星拟订下ASML近90%的机台,以阻碍台积电等厂的量产进度。TCNesmc

三星是全球DRAM霸主,市调机构的资料显示,2017年第3季三星在移动设备与服务器DRAM市场的占有率各为58.3%、45.9%,DRAM的营业利益率更高达62%。2016年下半年首先量产18纳米DRAM,今年下半年将推进至15纳米,制程领先对手1至2年。TCNesmc

据韩媒报导,三星电子的半导体事业司令部已由器兴移到华城。会长权五铉执掌半导体暨设备解决方案事业部(DS)时期,权五铉的办公室位于器兴厂区,社长金奇南接任DS部长后,每天上下班地点是华城厂区内的半导体零组件研究大楼,业界认为金奇南将会加强对系统半导体事业的管理效率。TCNesmc

SK海力士、美光拼命追赶

另外,三星的竞争对手SK海力士也有意以更先进制程生产DRAM。传闻2017年第4季SK海力士将启动1xnm DRAM生产,并在2018年下半开发出1ynm DRAM制程,但SK海力士并未明确提到是否采用EUV设备。TCNesmc

DRAM第三大厂美光也在拼命追赶。美光已于今年第一季量产18纳米DRAM,计划未来两三年砸下20亿美元,研发13纳米DRAM制程。美光在日本广岛厂增设无尘室设备,并购买了多项高价生产仪器,进入13纳米制程之后,同一片晶圆能分割成更多芯片,生产力将提高20%。TCNesmc

二维码TCNesmc

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