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DRAM涨足七个季度 明年Q1涨5%~10%、Q2再涨5%

日前据台湾媒体报道,DRAM严重供不应求,全球内存芯片龙头三星明年首季再涨价3%至5%之后,业界二哥南韩SK海力士下季也将涨价约5%,全球DRAM价格连续七季上扬,是历来涨势最久的一次,且据韩国业者向国内OEM大厂透露,这波涨势将持续至明年第二季度。

台湾DRAM相关厂商透露,三星、SK海力士陆续通知明年首季调涨DRAM售价,由于二大韩系厂全球DRAM份额总计近八成,在寡占优势下,下游厂商只能接受涨价。

另有国内OEM大厂高层主管表示,近期拜访韩系记忆体厂讨论明年采购量,业者明示明年第一季DRAM合约价格续涨5~10%后,第二季恐将续涨5%以上,希望OEM厂提早备货以免又面临缺货窘境。

第四季是传统DRAM市场旺季,在供不应求下,价格出现涨幅。其中标准型DRAM模组合约价较上季涨7%,4GB DDR4模组均价来到30.5美元创下新高。至于智能型手机搭载行动式DRAM容量大增,带动合约价较上季大涨10~20%,而缺货严重的服务器DRAM合约价格也较上季调涨6~10%。

每年第一季度本是DRAM的传统淡季,但由于苹果iPhone X零组件拉货动能延续到明年初,加上三星、华为、OPPO、vivo等手机厂商将在明年初的MWC大会上推出新款手机,导致行动式DRAM需求维持高档。因此,业界对明年第一季DRAM价格续涨已有共识,以目前各业者协商出来的合约价来看,平均较今年第四季再涨5~10%。

国内OEM大厂高层主管透露,近期拜会韩系记忆体厂,针对明年供货量、采购量、价格等均有深入协商。韩系业者已告知,由于明年DRAM不会有太多新增产能,第一季DRAM合约价调涨5~10%之后,第二季价格续涨机率很高,不排除再涨5%以上,希望OEM厂提早备货。

由于需求太强劲,此波DRAM价格从去年下半年以来每季都调涨,加计下季持续涨价,报价连续七季走扬,堪称DRAM史上时间最长的多头行情。

业界人士分析,造成此波DRAM供不应求,除了来自人工智能、车用、云端服务器、物联网、笔电和行动装置等需求齐发,需求瞬间大增,但主要芯片厂多集中发展3D储存型闪存(NAND Flash),压缩DRAM产能增幅,在“需求大增、供给增加有限”下,市场供需严重失衡。

三星与SK海力士在明年淡季持续调涨售价,反应无意打破目前DRAM供不应求、获利稳定的情况,也将藉由DRAM的获利,作为未来在3D储存型闪存(NAND Flash)发动价格战的主要凭借,并消除外市场买盘观察的预期心理。

本文综合自经济日报、工商时报报道

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