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格罗方德披露7纳米最新进展:提升40%效能、2019年量产

因竞争对手台积电、三星陆续在2018年挺进7纳米先进制程,格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)今年不断地放出自己关于7纳米制程的信息,以期获得业界的关注。近日在2017 年国际电子元件会议(IDEM 2017)上,格罗方德(GlobalFoundries)公布了有关其 7 纳米制程的详细资讯,能效相比14纳米工艺降低40%......

根据科技媒体《ZDNet》的报导,在日前的 2017 年国际电子元件会议(IDEM 2017)上,晶圆代工大厂格罗方德(GlobalFoundries)公布了有关其 7 纳米制程的详细资讯。与当今用于 AMD 处理器,IBM Power 服务器芯片,以及其他产品的 14 纳米制程产品相比,7 纳米制程在密度、性能与效率方面都有显著提升。

格罗方德最新一代的 3D 或 FinFET 电晶体,在 7 纳米制程下具有 30 纳米的鳍间距(导电通道之间的间距)、56 纳米的栅极间距、以及 40 纳米的最小金属间距。此外,7 纳米制程可生产的最小高密度 SRAM 单元尺寸为 0.0269 平方微米。以上公布的这些间距尺寸,相较 14 纳米制程来说已经有了大幅度的进步。对此,格罗方德方面表示,其调整了鳍片形状与轮廓以获取最佳性能。不过,格罗方德却拒绝提供有关该翅片宽度与高度的测量资料。

而根据格罗方德所公布的这些尺寸,不仅类似于台积电的 7 纳米制程,与英特尔宣称跟其他晶圆代工厂 7 纳米制程同等级的 10 纳米制程来说也大致相同。至于,另一家晶圆代工大厂三星,则将于 2018 年初在国际固态电路研讨会(ISSCC 2018)上公布其直接采用 EUV 技术的 7 纳米制程的详细资讯。

总而言之,格罗方德方面预计 7 纳米制程能够达成 2.8 倍的电晶体密度提升,并提高 40% 的性能表现,亦或者是在同等性能条件下将功耗降低 55%。另外在高性能版本上,还能够额外提供 10% 的性能提升。

2018年试生产,2019年量产7纳米工艺

报导中进一步表示,格罗方德的 7 纳米制程将在 2018 年中期进行试生产,2019 年在纽约马尔他工厂进行量产。对此,格罗方德表示,该公司有多种产品现在仍处于投入生产前的最后一个主要设计步骤,而且计划在 2018 年推出。另外,7 纳米制程也是其格罗方德 FX-7 ASIC 产品的基础,目前许多格罗方德的许多客户正在使用 FX-7 ASIC 设计,封装有高频宽存储器的专用高性能芯片,来用于处理机器学习的工作上。

据了解,AMD目前选择全部产品都交给GF代工。其中,采用其最新的14 纳米工艺的包括 Ryzen 处理器,以及服务器领域的 EPYC 处理器。至于,GPU芯片方面,Polaris 北极星用的是GF 的28 纳米工艺,最新的 Vega 织女星则也是则是采用GF的 14 纳米工艺。

还有,AP 处理器部分,现有第7代处理器系由GF的28纳米工艺生产。根据未来的发展蓝图,将在2017年第4季推出的Zen APU,则将会改用GF的14纳米工艺生产。按照AMD的规划,Zen家族未来至少两代产品,包括Ryzen、EPYC都会继续交给GF代工生产,分别采用其7纳米、及7纳米+的工艺。

格罗方德技术长 Gary Patton 在接受媒体联访时表示,格罗方德将转型成为一家全方位服务型代工厂商,其中,对 IBM Microelectronics 的成功收购,为该公司在 3D FinFET 领域带来了大量知识产权与专业技术,使得格罗方德有能力自主研发其 7 纳米制程,以及领先的无线 RF(射频)业务。

Gary Patton 强调,目前格罗方得的美国纽约马尔他晶圆厂正在大量生产 14 纳米芯片,此外,格罗方德公司还营运了另外 4 座晶圆厂,而在中国成都的第 6 座晶圆厂将于 2018 年投入生产。目前除了 AMD 与 IBM 为主要客户之外,其他在多个应用领域都有一定的成绩,包括在人工智能、汽车电子、5G 通讯与物联网等项目。

(部分内容来源:TechNews)

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