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三星70亿美元扩产西安NAND闪存 3月底动工

据韩联社3月14日报道,知情人士透露,三星电子公司计划扩大在西安的NAND闪存芯片生产线,以满足全球对其产品不断增长的需求,将于3月底动工。

消息称,三星计划于3月底开始扩建生产设备,届时三星半导体业务负责人金奇南(Kim Ki-nam)将与陕西省官员共同出席动工仪式。据知情人士称,三星计划在未来三年内为该扩建项目投资约70亿美元(约合人民币442亿元)。

2012年4月,西安高新区成功引进三星电子存储芯片项目,其一期项目总投资达100亿美元,该项目成为三星海外投资历史上投资规模最大的项目,项目于2014年5月竣工投产。

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三星西安工厂

2017年8月29日,三星电子曾宣布在未来3年投资70亿美元,扩大其在中国西安工厂的NAND Flash存储芯片产能,并于2017年8月30日正式签约落户高新区。

但随后据韩国媒体Electronic Times报道,因韩国政府担心流失半导体与面板技术优势,拟下令禁止韩国半导体与面板厂在中国投资新厂,规定三星、SK海力士等记忆体厂,未来只有在紧急的特殊情况下申请豁免,否则不能在中国设新厂。

如今看来,三星或已获得韩国政府的同意,再次启动西安工厂扩产项目。

此外,三星还批准了一项初步投资计划,已于2月在首尔以南的平泽市建立第二家芯片生产线。据悉,平泽市的第一家芯片生产工厂已于2017年7月开始生产芯片。

韩国媒体ETnews报导指出,三星已夺得恩智浦(NXP),以及韩国无厂半导体公司Telechips的晶圆代工订单,有助于在明年第二季7纳米LPP极紫外光(EUV)制程量产前,填补一线客户高通跑单的缺口。

根据来自产业的消息,恩智浦将采用三星14纳米制程生产嵌入式处理器,预计今年底开始量产。除此之外,Telechips的车用资讯娱乐系统处理器Dolphin+与电视机顶盒芯片,今年内也都将交由三星14纳米量产。

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