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三星西安存储芯片二期项目正式开工

3月28日,三星(中国)半导体有限公司存储芯片二期项目开工奠基仪式在西安举行,三星电子在未来三年将为该项目投资70亿美元,工厂扩建预计到2019年结束。

今天(3月28日)上午,去年8月底正式签约的三星(中国)半导体有限公司存储芯片二期项目举行开工奠基仪式,工信部部长苗圩、西安省政府官员以及三星电子首席执行官金奇南社长等出席了开工仪式。

2012年,西安高新区成功引进三星电子存储芯片项目,其一期项目总投资达100亿美元。该项目成为三星海外投资历史上投资规模最大的项目,也是改革开放以来我国电子信息行业最大外商投资项目,陕西乃至西部地区引进的最大外商投资高新技术项目。

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三星电子存储芯片一期项目2014年5月竣工投产,该项目带动了100多家配套企业落户西安高新区,使西安形成了较为完整的半导体产业链。除三星(中国)半导体有限公司之外,三星集团还先后在西安高新区设立了6家公司,涉及动力电池、半导体研发、金融、贸易、建筑等多个领域。

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为满足全球IT市场对高端V-NAND 产品需求的增加,2017年8月30日,三星电子株式会社与陕西省政府签署投资合作协议,决定在西安高新综合保税区内建设三星(中国)半导体有限公司存储芯片二期项目,当时三星电子宣布,未来3年将为该项目投资70亿美元,扩大其在中国西安工厂的NAND Flash存储芯片产能。

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三星电子期待通过此次二期投资,能在中国提高制造业竞争力,并能更加快速地应对中国市场的需求。金奇南在致辞中表示,“将会通过二期的成功运营生产最尖端的存储芯片,为客户提供独具匠心的解决方案,并以此为全球IT市场的成长做出贡献。”

据悉,三星电子向媒体表示,该项目整个工厂的扩建工作要到2019年结束。

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(国际电子商情微信ID:esmcol,本文综合三秦都市报、西部网报道)

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