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三星量产第五代3D V-NAND闪存:96层堆叠,容量翻倍

近日,三星电子宣布,已经开始批量生产第五代V-NAND 3D堆叠闪存,同时拥有超大容量和超高速度。

近两年3D NAND发展速度十分迅猛,2018年各大厂商的之间的堆叠大战一直在进行着,目前市场中的主流产品堆叠层数各家基本持平,都保持在64层的阶段。但是这一平衡即将被打破,三星电子宣布第五代V-NAND 3D堆叠闪存已经开始量产,其堆叠层数达到96层是目前行业纪录,三星第五代V-NAND采用96层堆叠设计,内部集成了超过850亿个3D TLC CTF闪存存储单元,每单元可保存3比特数据,单Die容量达256Gb(32GB)。
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三星第五代V-NAND 3D堆叠闪存业界首次采用Toggle DDR 4.0接口,传输速率提升至1.4Gbps,与前代64层堆栈的V-NAND闪存相比提升了40%。数据写入延迟仅为500微秒,比上代提升30%,而读取信号响应时间也大幅缩短到50微秒。


为了实现上述所有的改进,新一代V-NAND采用了96层层堆叠设计,它们堆叠成金字塔状结构,中间有微小孔,这些小孔用作通道,尺度仅有几百微米宽。这种制造方法包括了许多先进技术,比如电路设计、新工艺技术等。具体细节三星未详述,但该公司称,V-NAND的改进让每个存储层的厚度已经削薄了20%,并使其生产效率提高了30%以上。
 

据了解,三星目前正在全力扩大第五代V-NAND 3D堆叠闪存的生产线以增加产量。另外还有消息称,三星正在计划开发1TB(128GB)容量的QLC V-NAND闪存颗粒,来降低超大容量的SSD产品售价,以满足服务器、超算等高密度存储领域需求。

网络整理
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