预计闪存将占据资本支出的最大份额，而DRAM资本支出今年以最高的速度增长，未来3D NAND闪存市场需求过高的风险很高并且不断增长......
IC Insights预测，今年半导体资本支出总额将增至1020亿美元，这是该行业在一年中首次在资本支出上花费超过1000亿美元。这一1020亿美元的支出水平比2017年的933亿美元增长了9％，比2016年增长了38％。
下图显示，超过一半的行业资本支出预计用于内存生产 - 主要是DRAM和闪存 - 包括对现有晶圆厂线和全新制造设施的升级。总的来说，预计今年内存将占到半导体资本支出的53％。存储设备的资本支出份额在六年内大幅增加，几乎翻了一番，从2013年的27％（147亿美元）增加到2018年的行业资本支出总额的53％（540亿美元），相当于2013-2018复合年增长率为30％。
在所显示的主要产品类别中，预计DRAM / SRAM的支出增幅最大，但预计闪存将占据今年资本支出的最大份额。预计2018年DRAM / SRAM部门的资本支出将在2017年强劲增长82％后出现41％的增长。预计2017年闪存的资本支出将在2017年增长91％后增长13％。
经过两年的资本支出大幅增加，一个迫在眉睫的主要问题是，高水平的支出是否会导致产能过剩和价格下降。记忆市场的历史先例表明，过多的支出通常会导致产能过剩和随后的价格疲软。 三星，SK海力士，美光，英特尔，东芝/西部数据/ SanDisk和XMC /长江存储技术都计划在未来几年内大幅提升3D NAND闪存容量（以及新的中国内存创业公司进入市场） ），IC Insights认为，未来3D NAND闪存市场需求过高的风险很高并且不断增长。
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