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传英特尔第一代64层QLC闪存良率只有48%

Intel发布的首款消费级QLC固态硬盘——660p,采用全新的主控制器及64层堆叠的QLC NAND颗粒,不过前第一代64层QLC闪存的良率只有48%......

本月初Intel发布了首款消费级QLC固态硬盘——660p,采用全新的主控制器及64层堆叠的QLC NAND颗粒,不过近日有消息称,目前第一代64层QLC闪存的良率只有48%。

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Intel“SSD 660p”的定位将介乎在600p及700p之间,采用全新的主控制器及64层堆叠的QLC NAND颗粒,提供512 GB,1 TB,2 TB容量可供选择。SSD 660p专用PCI Express 3.0 x4而设计,采用M.2 2280规格,读取传输速度高达1800 MB / s,写入的传输速度为1100 MB / s,4k随机读取和写入为150,000 IOPS。

660P搭载了慧荣SMI2263主控,带有DRAM缓存,主控是慧荣SMI2262EN的工艺改良版,并且由Intel自主编写固件。采用来自Intel和美光合资的IMFlash工厂的4bit QLC闪存。

 

Intel 660P采用M.2 NVMe接口,支持PCIe 3.0 x4通道,Intel官方给出的数据显示,性能上达到主流M.2 NVMe的水准,最高连续读写速度可达1800MB/s。

同时,价格相当给力,512GB卖99.99美元(约合683元)。

与TLC相比,QLC NAND Flash的储存容量将可增加33%,单颗晶片最高可达到256GB或512GB,P / E循环约为1000次左右略低于TLC,在寿命,速度及稳定性方面QLC虽然比TLC更低,但就胜在容量更大及拥有更便宜的成本。

不过有消息称,目前第一代64层QLC闪存的良率只有48%,也就是生产出来的成片过半报废。对比之下,64层TLC闪存的良率已经达到了90%以上。

这意味着,4bit QLC看似容量密度提高了,但实际成本是高于3bit TLC的。

更糟糕的是,消息人士称,Intel第一代QLC闪存糟糕的良率将伴随整个生命期。

此外英特尔还准备了SSD 760p系列,M.2 2280规格,64层TLC NAND闪存,提供128GB,256GB,512GB,1TB,2TB容量,性能更高一个档次,持续读写可达3.2GB / s, 1.6GB / s,随机读写可达35万IOPS,28万IOPS,并支持AES-256硬件加密,5年产品保固。其中128GB至1TB今年12月份发布。

英特尔和美光除了推出64层QLC提高技术优势,还曾表示第三代3D NAND技术(96层)的开发将于2018年年底或2019年初交付。

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