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我国首款商用100G硅光芯片投产

我国首款商用“100G硅光收发芯片”正式研制投产,该芯片支持100-200Gb/s高速光信号传输,,是目前国际上集成度最高的商用硅光子集成芯片之一......

近日中国信息通信科技集团宣布,我国首款商用“100G硅光收发芯片”正式研制投产。该芯片支持100-200Gb/s高速光信号传输,不仅“身材”超小,性能更高,成本还更低,可通用化,广泛应用于传输网和数据中心光传输设备。

据悉,硅光芯片由国家信息光电子创新中心、光迅科技公司、光纤通信技术和网络国家重点实验室、中国信息通信科技集团联合研制。

在一个不到30平方毫米的硅芯片上,集成了包括光发送、调制、接收等近60个有源和无源光元件,是目前国际上集成度最高的商用硅光子集成芯片之一。该芯片完成封装后,其硅光器件产品的尺寸仅为312平方毫米,面积为传统器件的三分之一。

此次100G/200G全集成硅基相干光收发集成芯片和器件的量产,已通过用户现网测试,性能稳定可靠。

国家信息光电子创新中心专家委员会主任余少华院士称,硅材料来源丰富,成本低,机械性能、耐高温能力非常好,便于芯片加工和封装。借助集成电路已大规模商用的CMOS工艺平台实现硅光芯片的生产制造,可有效解决我国高端光电子芯片制造能力薄弱、工艺能力不足的问题。

7月20日,武汉邮电科学研究院(烽火系)和电信科学研究院(大唐系)联合重组,成立中国信科集团,计划未来5年内投资600亿元发展5G移动通信、集成电路、网络信息安全、光通信、光纤及光器件、特种通信、数据通信、云计算、物联网与智慧城市解决方案等9个产业方向。

此次工信部主导成立国家信息光电子创新中心,推动4家单位通力合作,实现100G硅光芯片的产业化商用,表明我国已经具备硅光产品商用化设计的条件和基础。

未来几年,硅光技术有望在光通信系统中大规模部署和应用,推动我国自主硅光芯片技术向超高速、超大容量、超长距离、高集成度、高性能、低功耗、高可靠的方向发展。

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