广告

紫光国微:已具备世界主流设计水平,但产能无法保证

紫光旗下紫光国微半导体日前表示,在DRAM内存芯片上,该公司已具备世界主流设计水平,但是产能无法保证,产品销量不大......

紫光旗下紫光国微半导体日前表示,在DRAM内存芯片上,该公司已具备世界主流设计水平,但是产能无法保证,产品销量不大。

据悉,紫光国微是紫光集团旗下半导体行业上市公司,专注于集成电路芯片设计开发领域,2018年上半年集成电路业务继续保持了快速发展。

另外根据紫光集团旗下半导体行业上市公司紫光国微于发布的半年报,2018年上半年,公司实现营业收入10.53亿元,同比增加31.55%,实现归属于上市公司股东的净利润1.20亿元,同比下降3.03%。

对于紫光来说,目前最大的重心是放在了国产自主DDR4内存上,按照紫光的计划来说,他们DDR4芯片正在开发中,预计年底前完成并推向市场,其在DRAM存储器芯片产品方面投入加大,目前DDR3是主流产品,DDR4有望在今年内完成开发。

此前国际电子商情曾经报道过,紫光旗下长江存储的1000人团队耗资10亿美元,历时2年研发成功了国内第一颗32层3DNAND闪存芯片,将在2018年第四季度实现量产。

此外,紫光目前还在研发128层堆栈的256Gb核心3D NAND闪存,而今年年底将会量产32层64Gb核心的3D NAND闪存,明年会量产64层堆栈128Gb核心容量的闪存。

日前紫光国微在互动平台上又透露公司的存储器业务为DRAM存储器芯片的设计,该业务具备世界主流设计水平,但由于需要委托代工厂生产制造,而国内相关产业配套缺乏,产能无法保障,产品销量不大,产品主要用于国产服务器及计算机等消费电子领域。

公司表示,目前该业务的主要任务一是持续跟踪国际先进水平,保持设计水平的先进性,同时拓展产品市场,提高盈利能力,保证业务的健康发展。

2017年中国进口了2600多亿美元的集成电路芯片,其中存储芯片就占到了886亿美元,是国内进口最多、同时也是对进口依赖最高的,而国内目前并没有任何大规模NAND闪存及DRAM内存工厂,长江存储、合肥长鑫及福建晋华的晶圆厂还在建设中,2020年之前产能都不太可能影响市场格局。

 

本文为国际电子商情原创文章,未经授权禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
  • 微信扫一扫,一键转发

  • 关注“国际电子商情” 微信公众号