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EUV技术的首款7+纳米芯片明年量产,台积电将成全球首家

台积电采用EUV技术的首款7+纳米芯片已经完成设计定案,明年第二季后将可顺利进入量产,届时台积电将成为产全球首家采用EUV技术量产的晶圆代工厂,5纳米制程预计明年4月可开始进行风险试产,将在2020年上半年进入量产......

晶圆代工龙头台积电采用极紫外光(EUV)微影技术的首款7+纳米芯片已经完成设计定案,支援最多4层EUV光罩。

台积电同时也在加速5纳米制程推进,预计明年4月可开始进行风险试产,支援的EUV光罩层将上看14层,5纳米可望如期在2020年上半年进入量产。

相关人士认为,台积电在晶圆先进制程持续推进,推出可整合多种异质芯片的先进封装技术,最大的竞争对手韩国三星短期内恐难与之抗衡。

由此来看,苹果明后两年将推出的7+纳米A13及5纳米A14应用处理器,可能将继续由台积电拿下独家代工订单。

随着台积电7纳米持续提升产能且良率逐步改善,台积电首款采用EUV技术的7+纳米制程已完成研发并进入试产,与7纳米相较拥有更低功耗表现及更高集积密度。

EUV工艺的7nm+(代号N7+)工艺,晶体管密度再提升20%,功耗降低10%,不过性能没有变化。

第三季初顺利完成客户首款芯片的设计定案,预计年底前会有更多客户芯片完成设计定案,明年第二季后将可顺利进入量产,届时台积电将成为全球首家采用EUV技术量产的晶圆代工厂。

另外台积电新12英寸晶圆厂Fab 18,第一期工程希望抢在年底前完工,明年开始进入装机,第二期工程也已开始动工兴建。

关于台积电5纳米的研发进度,预计明年上半年可获得客户首款芯片的设计定案,明年4月可望进入风险试产。以进度来看,2020年上半年将进入量产阶段。

与初代7nm工艺相比,台积电的5nm工艺大概能再降低20%的能耗,晶体管密度再提高1.8倍,至于性能,预计性能提升15%,如果使用新设备的话可能会提升25%。

为了搭配先进制程微缩及异质芯片整合趋势,台积电除了整合10纳米逻辑芯片及DRAM的整合扇出层叠封装(InFO-PoP),以及整合12纳米系统单芯片及8层HBM2存储器的CoWoS封装等均进入量产,也推出了整合多颗单芯片的整合扇出暨基板封装(InFO-oS)、整合扇出存储器基板封装(InFO-MS)、整合扇出天线封装(InFO-AIP)等新技术,满足未来在人工智能及高效能运算、5G通讯等不同市场需求。

面对三星及格芯在22纳米全耗尽型绝缘层上覆硅(FD-SOI)制程上持续获得订单,台积电优化28纳米推出的22纳米超低功耗(ULP)制程已经进入试产阶段。

目前已有超过40个客户产品完成设计定案,明年将顺利进入量产,超低漏电(ULL)制程预期明年上半年获得客户芯片设计定案。

另外根据国际电子商情之前的报道,台积电已经公布了3nm制程工艺计划,台南园区的3nm晶圆工厂已经通过了环评初审,台积电计划投资6000亿新台币(约为194亿美元),2020年开始建厂,2021年完成设备安装,预计最快2022年底到2023年初投产,3nm厂完成后预计雇用员工达四千人。

不过3nm技术可以说已经接近半导体工艺的物理极限,而其目前也处于实验室阶段,台积电资深处长庄子寿坦言:“3nm制程技术难度高,是很大挑战。”

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