闪存价格跌破！从上游供应解读未来走势

NAND Flash价格在经历2年涨价的时期后，2018年回归理性，截至到10月初，2018年NAND Flash价格指数已累积下滑高达57%，NAND Flash每GB价格下探至0.1美金，基本已回到了2016年涨价前的价格水平。acTesmc

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近期，即使在传统的Q3旺季，也依然未能扭转NAND Flash价格下滑的颓势，中国闪存市场ChinaFlashMarket预计，受传统淡季需求减弱的影响，Q4 NAND Flash价格可能依然持续下滑的趋势。acTesmc

2018年以来，由于NAND Flash价格持续下滑且跌幅超乎预期，相较于2016年和2017年NAND Flash涨价时期，部分存储产业链企业营收和获利均受到一定的影响，再加上国际原厂三星、东芝、西部数据、美光、英特尔、SK海力士等不仅3D技术快速迭代，而且加码投资新建工厂，同时中国三大存储基地之一的武汉存储基地已进入投产初期阶段。在多方因素影响下，部分市场业内人士纷纷看衰NAND Flash产业。中国闪存市场ChinaFlashMarket认为，NAND跌价是价格冲高回落的自然现象，不必过于担忧。acTesmc

近5年NAND Flash综合价格指数走势acTesmc

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数据来源：中国闪存市场www.chinaflashmarket.com，数据截止至2018年10月15日acTesmc

2018年NAND价格“折腰”， 2019年跌势难改，都是3D技术推进的必然走向

NAND Flash价格走势是由市场供需决定的，2016年和2017年由于处于原厂2D NAND向3D NAND切换的空窗期，使得NAND Flash供应减少，而需求端智能型手机和SSD容量需求依然在增长，导致市场供不应求，同时NAND Flash价涨一倍多。2018年原厂不断扩大64层/72层3D NAND产出量，目前三星、东芝/西部数据、美光/英特尔等3D NAND占比已达到80%，美光甚至可以达到90%，3D NAND产能增加，导致市场供过于求。acTesmc

中国闪存市场ChinaFlashMarket进一步分析，以目前主流的64层3D NAND技术为例，一片Wafer晶圆（12英寸）大约可以切割出1000颗256Gbit的Die。相较于1znm工艺2D技术所切割出的600多颗128Gbit的Die，不仅容量翻倍，单颗Die的总数更是增加了60%，这是导致NAND Flash相关产品价格下滑的主要因素。acTesmc

展望2019年，在2018下半年三星、东芝/西部数据、美光/英特尔、SK海力士等均已发布了其新一代96层3D NAND技术，且三星、东芝/西部数据、美光等已开始量产。根据各原厂技术规划，预计96层3D NAND将在2019上半年规模化量产。据了解，96层3D NAND由于初期良率较低，相较于64层3D NAND没有成本优势，但随着良率的不断提高，成本优势将逐渐显现，中国闪存市场ChinaFlashMarket预计2019年NAND Flash价格将会进一步下滑。acTesmc

Wafer晶圆产能分析acTesmc

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数据来源：中国闪存市场www.chinaflashmarket.comacTesmc

国际原厂NAND拼扩产，DRAM保守以待，如何解读存储市场行情？

2018年新一轮NAND扩产开始，三星除了FAB18这个大型工厂外，还开始新建西安工厂二期工程，东芝除了新工厂Fab6开始投产96层3D NAND，又新建Fab 7，SK海力士M15和英特尔大连二期工厂都开始投产96层3D NAND，还有美光新建的Fab10三期工厂。另外，长江存储武汉基地也开始逐步生产，满载产能可达到15万片/月。acTesmc

根据规划，各家原厂新工厂都将在2019年陆续提高生产量。NAND Flash产能大幅度增加，一是填补2016年和2017年市场供应的缺口，二是为了新一代96层3D技术投产，满足智能型手机和SSD对大容量不断增长的需求。acTesmc

国际原厂新工厂投产情况acTesmc

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数据来源：中国闪存市场www.chinaflashmarket.comacTesmc

反观DRAM市场，相较于NAND Flash产业不断增加的产能，三星、美光、SK海力士三大原厂对DRAM增产持保守态度，三星、美光、SK海力士受惠于两年持续走高的DRAM价格，营收和获利持续走高，所以各家都不急于扩建DRAM工厂，以免产能过剩导致价格惨跌，影响获利。市场数据反馈DRAM在服务器、PC和智能手机的应用没有太大的增幅，而DRAM工艺从2017年2xnm提升到2018年1xnm，增加40%的产能。三星原定每月增产DRAM计划已延期，同时为避免DRAM价格下滑，计划下修2019年2成的DRAM投资额，SK海力士也推迟了DRAM扩产计划。但是DRAM的压力还是与日俱增，形成DRAM堰塞湖。acTesmc

NAND和DRAM两行情与市场需求有关，首先DRAM在智能型手机上的平均LPDDR容量3.2GB，而NAND Flash平均需求则超过80GB；其次PC出货持续萎缩，又遇英特尔处理器缺货，DRAM标配4GB，高配也仅16GB，而PC搭载的SSD容量则在240GB以上，第三：在服务器市场，IBM、百度、阿里、华为等正在部署英特尔傲腾技术和三星Z-NAND来满足大数据存储需求，取代部分DRAM的应用。Optane内存虽然有“内存”之名，但它并非是我们通常理解的DRAM内存。它主要作用是作为缓存设备对硬盘（包括HDD和SSD）进行加速。acTesmc

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3D XPoint的优势。按官方数据，3D XPoint的读写速度和寿命均为NAND Flash的1000倍，延迟是NAND Flash的千分之一，DRAM的10倍；存储密度则是内存的10倍。acTesmc

智能手机和SSD主力市场合计消耗85%以上的产能，未来NAND产业依然好光景

在国际原厂3D技术和产能增加的推动下，2018年NAND Flash存储密度预计将较2017年增长42%，达到2300亿GB当量。需求端，2018年全球智能型手机出货将达14.6亿台，高端手机苹果、三星等旗舰机搭载Flash容量由256GB向512GB提升，华为、OPPO、VIVO、小米等从64GB/128GB向128GB/256GB，甚至512GB容量转移，以手机为主的嵌入式产品消耗了43%的NAND产能。acTesmc

2018年高端旗舰机容量成倍增加acTesmc

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SSD在消费类、数据中心以及行业应用需求强劲，2018年全球SSD的出货量将达1.92亿台，相较于2017年增长22%。全球SSD市场所消耗的产能已从2016年的38%上升到43%，尤其是企业级SSD，2018年平均容量已经达到2TB/台，仅企业级市场就消耗了25%的NAND Flash产能。2018年SSD与嵌入式产品合计消耗85%以上的NAND Flash产能，2019年仍然是主力需求市场。acTesmc

全球SSD出货量增长走势（百万/台）acTesmc

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全球企业级SSD出货量增长走势（百万/台）acTesmc

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数据来源：中国闪存市场www.chinaflashmarket.comacTesmc

SSD抢占的是HDD市场，SSD价格下滑是其成长的最大动力，尤其是在消费类市场，2016年和2017年因为NAND Flash缺货，SSD价格大幅上涨，同时也抑制了市场需求的增长。2018年以来SSD价格持续下滑，目前价格已跌破2016年所创下的历史低点，其中240GB和480GB价格在2018年累积跌幅分别达45%、52%，部分240GB价格已跌破30美金，也正因为价格的下滑大大的刺激了市场需求向更大容量的240GB、480GB、960GB普及。acTesmc

2018年1-10月240GB TLC SSD价格走势acTesmc

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2018年1-10月480GB TLC SSD价格走势acTesmc

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数据来源：中国闪存市场www.chinaflashmarket.com，数据截止至10月9日acTesmc

在智能型手机和SSD需求带动下，NAND Flash产业呈现健康的发展趋势，而且随着物联网、人工智能、汽车电子等领域的崛起，将会产生更多的数据量，且要求高速、复杂的处理数据，对NAND Flash的需求不断增加。acTesmc

当下NAND Flash价格下滑，更多的是对企业综合实力的考验，也会加速淘汰没有竞争力的企业，资源会向有竞争力的公司汇聚，2008年市场恶劣的时候，市场存储企业从几百家淘汰到几十家，现在的情况也是类似。acTesmc

“最重要的还是技术创新”这是企业必须一直具备的精神。中国作为存储产业重要的应用市场，需求多样而多变，通过提高企业自身自主创新技术，充分理解本土客户需求，厚积薄发，实现企业的成长。acTesmc