Imec联手ASML布局post-3nm微影技术

 比利时研究机构Imec和微影设备制造商ASML计划成立一座联合研究实验室，共同探索在后3奈米(post-3nm)逻辑节点的奈米级元件制造蓝图。UvFesmc

imec和ASML之间已经建立将近30年的长期合作关系，此次双方这项合作是一项为期五年计划的一部份，将分为两个阶段。首先是开发并加速极紫外光(EUV)微影技术导入量产，包括最新的EUV设备准备就绪。UvFesmc

第二阶段将共同探索下一代高数值孔径(NA)的EUV微影技术潜力，以便能够制造出更小型的奈米级元件，从而推动3nm以后的半导体微缩。UvFesmc

在第一阶段，预计在今年年底前，新实验室将在Imec的无尘室中安装ASML的NXE:3400B量产专用EUV扫描仪，并将寻求发展和改善目前的0.33 NA EUV微影技术。利用Imec的基础设施和技术平台，imec和ASML的研究人员和合作伙伴公司将利用该实验室主动分析和解决诸如缺陷、可靠性和产量等技术挑战，并加速EUV技术的产业化。UvFesmc

NXE:3400B EUV系统具有250W光源，每小时可提供超过125片晶圆的吞吐量，这是大量产的重要要求。安装在Imec的系统还将配备最新的校准和位准感测器，能以高吞吐量实现最佳制程控制，以利于与最新浸润式扫描仪NXT:2000i进行叠对匹配。NXT:2000i扫描仪将于2019年安装在imec的无尘室中。UvFesmc

此外，ASML和Imec还将透过新的ASML YieldStar光学度量系统和ASML-HMI多电子束度量设备扩展度量能力，从而更准确、更快速地评估奈米级结构。UvFesmc

而在第二阶段，Imec和ASML将联手打造一座高NA旳EUV研究实验室，来自两个组织的研究人员将以更高NA实验下一代EUV微影技术。具有更高NA的系统能将EUV光源投射到较大角度的晶圆，从而提高解析度，并且实现更小的特征尺寸。更具体地说，计划安装在联合研究实验室的新型高NA EUV EXE:5000系统，将以0.55 NA取代目前NXE:3400 EUV系统所使用的0.33 NA。UvFesmc

TWINSCAN NXE:3400 EUV将支援7nm和5 nm节点的EUV量产（来源：ASML）UvFesmc

ASML预计，EXE:5000将于2021年上市，并成为其新一代的EUV微影平台。据该公司称，高NA的系统在未来十年后将实现几何晶片微缩，提供比ASML现有EUV系统更好70%的解析度和叠加能力。UvFesmc

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Imec总裁兼执行长Luc Van den hove告诉《EE Times》，这些新机器中的第一台将安装在高NA EUV研究实验室进行早期测试。那么Imec在开发后3nm制程的系统时面临哪些挑战？Van den hove表示，imec重点投入的三个主要的研究领域包括光阻技术、光罩的防尘薄膜技术，以及制程最佳化。UvFesmc

Van den hove说：「光阻技术还需要进一步改进，才能减少缺陷率。」你希望光阻剂更加灵敏，但更高的灵敏度会增加缺陷率。UvFesmc

他说这是一个多次反覆的过程，能够逐步提高性能，但这么多年来的进展速度相当缓慢。然而，他强调，随着更多的EUV系统部署，生态系统中的光阻剂供应商越来越多，很快地就能够以更快的步伐带来更多的改善机会。UvFesmc

EUV的光罩防尘薄膜也来得相当慢。Van den hove表示，最大的挑战仍然是透明度，Imec正计划解决这个问题。Van den hove补充说，Imec在当前EUV技术发展中扮演的角色，就在于组织协调所有参与者——从光阻剂、光罩供应商到检验和计量以及最终的客户——的能力。UvFesmc

编译：Susan HongUvFesmc

(参考原文：Imec, ASML Team on Post-3nm Lithography，by Nitin Dahad）UvFesmc