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DRAM产值Q3再创新高 惟原厂获利恐已触顶

根据DRAMeXchange调查显示,2018年第三季DRAM整体产业营收较上季成长9%,再创历史新高。

根据TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)调查显示,2018年第三季DRAM整体产业营收较上季成长9%,再创历史新高。观察各产品别的报价走势,除了绘图用内存(graphic DRAM)受到虚拟挖矿(cryptocurrency)需求骤减与基期太高的影响,出现3%左右的跌幅,以及消费性市场应用主流DDR3因需求转弱而率先走跌外,其余主流应用别的内存(包含标准型、服务器、行动式内存)仍维持0-2%的季涨幅。

DRAMeXchange指出,有别于过去两年多来营收成长主要由报价上扬所带动,由于DRAM产能已在下半年陆续开出,第三季价格涨幅基本已接近持平,因此营收成长主要来自于位出货量的持续提升。展望第四季,十月份的DRAM合约价已经正式走跌,除了宣告DRAM价格涨势告一段落,供过于求加上高库存水位的影响更导致价格跌幅剧烈。预期在供给端、通路端、采购端库存尚未去化完全前,2019年第一季的合约价恐将面临更大的跌价压力。

从营收角度观察,DRAMeXchange指出,在产业迈向反转之际,小厂受到的冲击较龙头厂来的实时且剧烈,因此大小厂商的表现在第三季开始出现分歧。产业龙头三星受惠于新增产能逐渐放量,位出货成长显著,尽管平均销售单价未有明显变化,但营收仍较上季成长13.6%,来到127.3亿美元的新高,在三大厂中表现最为亮眼。而SK海力士在产出提升及平均销售单价小幅上扬1%的挹注下,营收季增6.0%至81.5亿美元。两大韩厂营收市占分别为45.5%与29.1%,合计约74.6%。

美光集团依旧维持第三,虽然销售单价约略持平,但位出货提升仍带动营收来到59.2亿美元,较前一季成长6.8%,市占率则约略持平在21.1%。

观察原厂获利能力,即便第三季平均销售单价的涨幅已大幅收敛,然各厂仍持续靠着转进先进制程优化成本结构,使得营业利益率仍较前一季上扬。三星的1Ynm在第三季开始出货,因新一代制程在量产初期通常良率较低,拖累部分获利表现,导致三星的营业利益率在三大原厂中成长幅度最小,由前一季的69%微幅上升至70%,但仍创下历史新高,亦显示生产DRAM的毛利已突破8成水位。

至于SK海力士,本季1Xnm的良率显著提升,带动营业利益率从63%成长至66%,表现最为亮眼。美光受惠1Xnm的比重持续提升,拉抬营业利益率从60%升至62%。三大原厂营业利益率持续刷新纪录,但在第四季DRAM价格已正式反转向下且跌幅显著的情况下,成本优化可能已无法抵销报价下滑的冲击,因此原厂获利的高点恐已结束。

由技术面观察,三星今年除了维持1Xnm制程高产出比重外,部分Line 17增加的投片以及平泽厂二楼的DRAM产能,将往下一代1Ynm制程转进。随着平泽厂产能于今年下半年陆续开出,1X+1Ynm产出比重在年底合计将达70%,并于2019年持续提升1Ynm占比。SK海力士经过两个季度的调整与改良,1Xnm良率在第三季显著提升,而中国无锡的第二座12吋厂仍照进度将于年底前完工,并于2019上半年开始贡献产出,但受到中美贸易战的影响,无锡厂扩增投片的脚步不会太积极。而美光方面,台湾美光内存(原瑞晶)已全数以1Xnm生产,下一步将直接转往1Znm,但实际贡献将落在2020年;台湾美光晶圆科技(原华亚科)已于第二季进行20nm往1Xnm的转换,年底前将开始转往1Ynm,并于明年逐步提升比重。

台系厂商部分,南亚科第三季出货量小幅下滑,使营收表现较前一季衰退3.7%。不过在20nm的成本效益带动下,营业利益率仍旧由上一季的46.8%大幅提升至51.0%。然而,受到DRAM报价反转向下影响,加上南科扩厂的折旧费用要开始摊提,获利能力要再攀升恐有一定压力。

力晶科技方面,由于第三季转移较多产能至获利较好的SLC NAND与非DRAM代工产品,因此本身DRAM营收较上季下滑13.3%;华邦DRAM营收则约略持平,出货量和平均销售单价皆呈现稳定。

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