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三星第三代10纳米级DRAM问世,下半年将量产

近日,三星宣布已经克服史上细微工艺的极限,开发出业内首款基于第3代10纳米工艺的1Z纳米工艺DDR4……

3月21日,三星电子宣布开发出业内首款基于第3代10纳米工艺的8Gb DDR4 DRAM,用于高端应用场景。

第三代10nm级工艺即1Z纳米(在内存制造中,X/Y/Z指代际,工艺区间是10~20nm),整合了EUV极紫外光刻技术,单芯片容量8Gb。

据了解,新的10纳米 DDR4与之前的1y-nm版本相比,它的制造效率提高了20%以上,并将以超高的性能和功率效率推动DRAM解决方案的极限。此外,第3代DDR4产品没有使用极端紫外线(EUV)处理,也拉高三星和竞争对手的生产门坎。

随着 1Z 纳米工艺产品问世,并成为业界最小的内存生产节点,目前三星已准备好用新的 1Z 纳米工艺 DDR4 DRAM 满足日益成长的市场需求,生产效率比以前 1Y 纳米等版 DDR4 DRAMUL4 高 20% 以上。

三星表示,1Z 纳米工艺 8GB DDR4 DRAM 的正是大量生产时间将落在 2019 下半年,以因应下一代企业服务器需求,并有望能在 2020 年支持新高阶个人计算机。此外,三星还表示,上述先进技术还将应用于未来的DDR5、LPDDR5、GDDR6产品上。这些具更高容量和性能的 1Z 纳米工艺产品将增强三星在市场的业务竞争力,巩固其在DRAM市场高端应用的领导地位,包括服务器、图形和行动装置等领域。

据悉,三星这款第3代10纳米工艺的8Gb DDR4 DRAM已经获得获得全球PC厂商的评估认证,量产后或将扩大全球客户需求。

不过,就在3月20日,三星电子联席CEO金基南也指出,由于智能机市场增长乏力,数据中心公司削减投资,公司的存储芯片等零部件业务预计将面临艰难一年。

文章综合自ZDNet Korea、Technews报道

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