紧随全球经济运行轨迹，半导体产业保持着“震荡向上”的发展走势。2016-2018年，全球半导体实现了20%以上的空前增长。如今，5G、人工智能、互联网、大数据、云计算等新技术大量涌现，急需新的应用市场来承载。而智能汽车，绝对是承载这些新技术的关键应用之一。H6oesmc
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华虹宏力战略、市场与发展部科长李健H6oesmc
4月11日，在“第八届年度中国电子ICT媒体论坛暨2019产业和技术展望研讨会”上，华虹宏力战略、市场与发展部科长李健分享了电动汽车的历史“芯”机遇。H6oesmc
新能源汽车放量 功率器件迎“第二春”
“自2017年开始，智能手机已显疲态，半导体产业急需新的市场应用拉动业绩上扬，而能够担任多技术融合载体重任的当属智能汽车。”李健分析称，汽车“电子化”大势所趋，从汽车成本结构来看，未来芯片成本有望占汽车总成本的50%以上，这将给半导体带来巨大的市场需求。 H6oesmc
当传统的汽车制造业遇到当今的半导体，就像千里马插上翅膀，会变成下一个引领浪潮的“才子”。李健表示，半导体为智慧汽车带来冷静的头脑，如自动驾驶处理器、ADAS芯片等，同时也带来更强壮的肌肉，让千里马跑得更快，即大量的功率器件，如MOSFET。H6oesmc
据了解，2020年，国内新能源车的销售目标为200万台（全球为700万台）。有别于传统汽车，新能源车配有电机、电池、车载充电机、电机逆变器和空调压缩机等，这都需要大量的功率器件芯片。“电动化”除了车辆本身的变化之外，还给后装零部件带来新需求，同时配套用电设施，如充电桩，也带来大量的功率器件需求。H6oesmc
电动汽车中功率芯片的用途非常广泛，如启停系统、DC/DC变压器、DC/AC主逆变器+DC/DC升压，包括发电机、车载充电机等，都要用到功率器件。李健介绍说，以时下炙手可热的IGBT来说，电动汽车前后双电机各需要18颗IGBT，车载充电机需要4颗，电动空调8颗，一台电动车总共需要48颗IGBT芯片。H6oesmc
“如果2020年国内电动汽车销量达到200万台，后装维修零配件市场按1：1配套计的话，国内市场大约需要10万片/月、8英寸车规级IGBT晶圆产能（按120颗IGBT芯片/枚折算）。基于国内电动车市场占全球市场的1/3，2020年全球汽车市场可能需要30万片/月、8英寸IGBT晶圆产能！除了汽车市场，IGBT在其它应用也需求旺盛，业界预估还需要新建十座IGBT晶圆厂。” 李健表示。H6oesmc
站稳特色工艺脚跟 施行“8+12”战略布局
功率器件一直是华虹宏力的核心业务，主要聚焦在以下4个方面：H6oesmc
- 一是Trench MOS/SGT，即低压段200伏以下的应用，如汽车辅助系统应用12V/24V/48V等；
- 二是超级结MOSFET工艺（DT-SJ），涵盖300V到800V，应用于汽车动力电池电压转12V低电压及直流充电桩功率模块；
- 三是作为电动汽车核心的IGBT，主要是在600V到3300V甚至6500V高压上的应用，如汽车主逆变、车载充电机等；
- 四是GaN/SiC新材料，未来五到十年，SiC类功率器件会成为汽车市场的主力，主要用于主逆变器和大功率直流快充的充电桩上。
首先来看MOSFET，截至2018年第4季度，华虹宏力8英寸MOSFET晶圆出货已超过700万片。据介绍，在对可靠性要求极为严格的汽车领域，华虹宏力的MOSFET产品已通过车规认证，并配合客户完成了相对核心关键部件如汽车油泵、转向助力系统等的应用。H6oesmc
相比基础的硅基MOSFET，超级结MOSFET(DT-SJ)则是华虹宏力功率器件工艺的中流砥柱。超级结MOSFET最显著特征为P柱结构，华虹宏力采用拥有自主知识产权的深沟槽型P柱，可大幅降低导通电阻，且可大幅降低生产成本和加工周期。超级结MOSFET适用于500V到900V电压段，它的电阻更小，效率更高，散热相对低，所以在要求严苛的开关电源里有大量的应用。H6oesmc
其次是硅基IGBT芯片，其在华虹宏力的定位是功率器件的未来。李健认为，硅基IGBT在电动汽车里是核“芯”中的核心，非常考验晶圆制造的能力和经验。目前，基本上车用IGBT是在600V到1200V电压范围。从器件结构来看，IGBT芯片正面类似普通的MOSFET，难点和性能优势在于背面加工工艺。H6oesmc
“IGBT晶圆的背面加工需要很多特殊的工艺制程。以最简单的薄片工艺来说，8英寸晶圆厚700多微米，减薄后需要达到60微米甚至更薄，不采用特殊设备会弯曲而无法进行后续加工。华虹宏力拥有背面薄片、背面高能离子注入、背面激光退火以及背面金属化等一整套完整的FS IGBT背面加工处理能力，使得客户产品能够比肩业界主流的国际IDM产品。” 李健表示。H6oesmc
华虹宏力IGBT相关工艺的量产状态为，早期以1200V LPT、1700V NPT/FS为主；目前集中在场截止型工艺上，以600伏和1200伏电压段为主；未来方向的3300V到6500V高压段工艺的技术开发已经完成，正与客户在做具体的产品验证。H6oesmc
除此，宽禁带材料如GaN和SiC的发展备受业界关注。李健介绍说，宽禁带材料优势非常明显，未来10到15年，宽禁带材料的市场空间非常巨大，但目前可靠性还有待进一步观察。H6oesmc
从市场应用需求来讲，SiC的市场应用和硅基IGBT完全重合，应用场景明确，GaN则瞄准新兴领域，如无线充电和无人驾驶LiDAR，应用场景存在一定的变数。从技术成熟度来讲，SiC二级管技术已成熟，MOS管也已小批量供货。而SiC基GaN虽然相对成熟，但成本高，Si基GaN则仍不成熟。从性价比来讲，SiC比较明确，未来大量量产后有望快速拉低成本。而GaN的则有待观察，如果新型应用不能如期上量，成本下降会比较缓慢。H6oesmc
目前，华虹宏力正通过技术研发，将特色工艺从8英寸逐步推进到12英寸，技术节点也进一步推进到90纳米以下（如65/55纳米），以便给客户提供更大的产能和先进工艺支持。李健表示，公司坚持走特色工艺之路，坚持“8+12”的战略布局。过去，华虹宏力实现了连续超过32个季度盈利的成绩，华虹宏力将通过12英寸先进技术，延伸8英寸特色工艺优势，提高技术壁垒，拉开与竞争者的差距。 H6oesmc
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