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5月原厂新品推荐:FPGA、MOSFET、传感器、电容器

《国际电子商情》惯例带来每月IC新品推荐,五月推荐四个器件,涵盖了主被动器件的国内外厂商……

7nm FinFET工艺的FPGA

5月21日,Achronix半导体公司推出全新的FPGA系列产品,名为Speedster®7t系列,主要满足人工智能/机器学习(AI/ML)和高带宽数据加速应用日益增长的需求。特点有三:一是全新Speedster7t系列产品专为机器学习市场和高带宽网络应用而进行了优化;二是创新架构和ACE软件工具为要求更高性能和更短设计周期的设计提供了全新范式;三是Speedster7t器件采用台积电(TSMC)的7nm FinFET工艺制造。RAgesmc

Speedster2D_WebBanner.pngRAgesmc

据介绍,Speedster7t FPGA系列产品是专为高带宽应用进行设计,具有一个革命性的全新二维片上网络(2D NoC),以及一个高密度全新机器学习处理器(MLP)模块阵列。通过将FPGA的可编程性与ASIC的布线结构和计算引擎完美地结合在一起,Speedster7t系列产品创造了一类全新的“FPGA +”技术。RAgesmc

Speedster7t FPGA器件的大小范围为从363K至2.6M 的6输入查找表(LUT)。支持所有Achronix产品的ACE设计工具现已可提供,可支持包括Speedcore eFPGA和Speedchip™FPGA多晶粒封装芯片(Chiplet)。第一批用于评估的器件和开发板将于2019年第四季度提供。RAgesmc

MOSFET器件新品

5月13日,CISSOID分别展示了最新的高温栅极驱动器、碳化硅(SiC)MOSFET器件。RAgesmc

一款新型栅极驱动器板,该板针对额定温度为125℃的62mm碳化硅MOSFET功率模块进行了优化。该板基于CISSOID的HADES栅极驱动器芯片组,还可以驱动IGBT功率模块,同时可为汽车和工业应用中高密度功率转换器的设计提供散热空间。它支持高频(>100KHz)和快速的碳化硅MOSFET开关(dV/dt>50KV/μs),从而可以提升功率转换器的效率并减小其尺寸和重量。该板专为恶劣的电压环境而设计,支持1200V和1700V功率模块的驱动,隔离电压高达3600V(经过50Hz、1分钟的耐压测试),爬电距离为14mm。欠压锁定(UVLO)、有源米勒钳位(AMC)和去饱和检测等保护功能,确保一旦发生故障时既可以保证安全驾驶,还能为功率模块提供可靠的保护。RAgesmc

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一款新型分立式1200V/40mOhms碳化硅MOSFET晶体管已可供货,其采用TO-247封装,可以在-55°C至175°C的温度范围内正常工作。该MOSFET在251"°C(结温)时,漏极到源极导通电阻是40mOhms,在175°C(结温)时,导通电阻是75mOhms。很低的开关导通和关断能量(分别为1mJ和0.4mJ)使该器件成为高效紧凑的DC-DC转换器、功率逆变器和电池充电器的理想选择。RAgesmc

广州奥松推出集成式温湿度传感器DHT10

近期,广州奥松电子有限公司隆重推出新品集成式温湿度传感器DHT10。其配有一个全新设计的ASIC专用芯片、一个经过改进的MEMS半导体电容式湿度传感元件和一个标准的片上温度传感元件,每一个传感器都经过严格的校准和测试。由于对传感器做了改良和微型化改进,相比前一代传感器,DHT10可靠性水平已经大大提升,可在恶劣的环境下保持更稳定的性能,性价比更高。RAgesmc

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测量精度高:以高精度露点仪出厂前完全标定,温度精度:±0.5℃;湿度精度;±3%RH;RAgesmc

测量范围宽:正常范围在-40℃到80℃之间;湿度测量在0-100%HR之间;RAgesmc

测量分辨率高:温度分辨率最高可达0.01℃;湿度分辨率为0.024%RH;RAgesmc

供电电压宽:使用范围在2.5-5.5V之间;当电压达到3.5-5.5V之间,电流的增长几乎处于水平状态(休眠模式),使得功耗减少至最低。RAgesmc

据介绍,DHT10应用范围非常广,DHT10主要应用在暖通空调、除湿器、测试及检测设备、消费品、汽车、自动控制、数据记录器、气象站、家电、湿度调节、医疗及其他相关温湿度检测控制等相关领域。RAgesmc

高容量HVCC系列电容

5月13日,Vishay推出最新系列小型径向引线高压单层瓷片电容器——Roederstein HVCC系列。该系列电容是业界唯一电容值高达2nF的器件,可在125%额定电压和+105℃温度条件下保证1000小时负载寿命,耗散因数小于1.5%。RAgesmc

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高容量HVCC器件无需并联两个1nF电容即可达到2nF电容值。对于设计人员来说,这样可以节省空间,降低组装成本,并提高牙科和行李扫描仪、医疗和工业x射线应用以及脉冲激光器的高压发生器可靠性。RAgesmc

器件容量范围100pF至2000 pF—标准容差为± 20%—电压范围为10kVDC至15kVDC,工作温度-30℃至+105℃。HVCC系列电容还可提供20kVDC额定电压, ± 10%容差器件,并可按要求定制引线样式。RAgesmc

Vishay现可提供样品并已实现量产,订货周期为8周。RAgesmc

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原创
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Momo Zhong
国际电子商情(Electronics Supply and Manufacturing-China)助理产业分析师,专注于PCB、电子工程、移动终端、智能家居等上下游垂直领域。
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