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传三星欲将其NAND闪存价格提高10%,美光有意效仿

据BusinessKorea报道,三星电子计划将其NAND闪存价格提高10%,原因是日本政府对半导体材料出口限制导致生产中断的担忧日益增加。

报道称,其他闪存制造商,如美光科技等公司也可能效仿。

此前,在东芝发生停电事故后,三星电子的供需状况有所改善。NAND闪存库存已经减少到四周,大约是DRAM库存的一半,而NAND闪存需求在价格大幅下降后这几天正在上升。

报道指出,三星电子的涨价计划与NAND闪存最近持续的价格下跌有关。今年6月NAND闪存的价格为3.93美元,是自2016年9月以来的最低价格,当时价格为3.75美元。而一年前的NAND闪存单价高达5.5美元。上个月,NAND闪存合约价格变化不大,而DRAM合约价格下跌11.73%。

东芝是业内第二大公司,在停电事故发生后,其产量减少了20%以上。当时的停电事故,除了对东芝的产量造成影响外,也对西部数据也在东芝的制造工厂生产NAND闪存造成了一定程度的影响。

与此同时,由于东芝和西部数据的市场份额分别高达19.3%和15.3%,因此,东芝的停电事故对“隔空”对作为竞争对手的三星电子和SK海力士等公司也带来了重大的影响。

有业内人士指出,全球半导体产业不太可能在明年上半年恢复,这意味着目前的价格上涨势头不太可能继续。相反,计划的价格上涨反映了NAND闪存制造商的绝望情绪,除了三星电子之外,这些NAND闪存制造商都处于亏损状态。

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