适用于标准栅极驱动电路的MOSFET
8月12日，Vishay推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET——SiSS22DN，业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件，10 V条件下最大导通电阻降至4 mW，采用热增强型3.3 mm * 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装。SiSS22DN专门用于提高功率转换拓扑结构的效率和功率密度，栅极电荷仅为22.5 nC，同时具有低输出电荷（QOSS）。iOTesmc
与逻辑电平60 V器件不同，SiSS22DN提高了典型VGS（th）和Miller（米勒）平台电压，适用于栅极驱动电压高于6 V的电路，器件最佳动态特性缩短死区时间，防止同步整流应用发生击穿。SiSS22DN业内低导通电阻比排名第二的产品低4.8%——与领先的逻辑电平器件不相上下——QOSS为34.2 nC，QOSS与导通电阻乘积，即零电压开关（ZVS）或开关柜拓扑结构功率转换设计中，MOSFET的重要优值系数（FOM）达到最佳水平。为实现更高功率密度，器件比6 mm * 5 mm封装类似解决方案节省65%的PCB空间。iOTesmc
SiSS22DN改进了技术规格，经过调校最大限度降低导通和开关损耗，多电源管理系统构件可实现更高效率，包括AC/DC和DC/DC拓扑结构同步整流、DC/DC转换器主边开关、降压-升压转换器半桥MOSFET功率级，以及通信和服务器电源OR-ing功能、电动工具和工业设备电机驱动控制和电路保护、电池管理模块的电池保护和充电。MOSFET经过100 % RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。iOTesmc
3D高密度测试芯片
8月7日格芯宣布，已流片生产基于Arm®的3D高密度测试芯片，可提升人工智能/机器学习（AI/ML）和高端消费电子移动及无线解决方案等计算应用的系统性能与能效。新芯片采用格芯12LP FinFET工艺制造，运用Arm 3D网状互连技术，核心间数据通路更为直接，可降低延迟，提升数据传输率，满足数据中心、边缘计算和高端消费电子应用的需求。iOTesmc
此外，两家公司还验证了一种3D可测试性设计（DFT）方法，使用格芯的晶圆与晶圆之间的混合键合，每平方毫米可连接多达100万个3D连接，拓展了12nm设计在未来的应用。iOTesmc
IHDM边绕电感器
8月21日，Vishay推出一款新型IHDM边绕通孔电感器——IHDM-1008BC-30，额定电流达150 A，适用于工业等应用。IHDM-1008BC-30采用铁粉合金磁芯技术，在-40℃至+180℃苛刻的工作温度范围内，具有出色的电感及饱和稳定性，功耗低，散热性能优异。iOTesmc
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该款器件边绕线圈的直流电阻（DCR）低至0.25 mW，最大限度减少损耗，改进额定电流性能，有助于提高效率。与基于铁氧体的解决方案相比，IHDM-1008BC-30在+125℃条件下，额定电流和饱和电流分别提高30%。电感达到饱和电流以后不会有电感值急剧的下降，饱和电流不受温度影响。iOTesmc
该电感器工作电压高达350 V，适用于大电流、高温应用中的DC/DC转换器、逆变器、电机和开关噪声抑制、大功率开关电源，包括工业太阳能系统，电动汽车充电站等。iOTesmc
全球首发RISC-V通用MCU
8月22日，兆易创新正式推出全球首个基于RISC-V内核的GD32V系列32位通用MCU产品，并提供从芯片到程序代码库、开发套件、设计方案等完整工具链支持并持续打造RISC-V开发生态。iOTesmc
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• 基于RISC-V的Bumblebee内核（与芯来科技合作设计）；iOTesmc
• 主频108MHz，16K-128K Flash闪存，8K-32K SRAM缓存；iOTesmc
• 2.6-3.6V供电，I/O口可承受5V电平；iOTesmc
• 配备1个支持三相PWM互补输出和霍尔采集接口的16位高级定时器可用于矢量控制；4个16位通用定时器；2个16位基本定时器；2个多通道DMA控制器；中断控制器（ECLIC）提供68个外部中断、可嵌套16个可编程优先级；iOTesmc
• 集成2个2.6M SPS采样率的12位高速ADC，提供16个可复用通道，支持16-bit硬件过采样滤波功能和分辨率可配置功能；2个12位DAC；iOTesmc
• 外设连接包括USAR *3、UART *2、SPI *3（支持四线制，新增多种传输模式，可扩展Quad SPI NOR Flash实现高速访问）、I2C *2（支持快速Plus(Fm+)模式，频率最高1MHz(1MB/s)）、I2S *2、CAN2.0B *2，USB 2.0 FS OTG *1（支持Device、HOST、OTG等多种模式），EXMC（外部总线扩展控制器，可连接NOR Flash、SRAM等外部存储器）；iOTesmc
• -40℃~85℃工业级操作温度；iOTesmc
• 每颗芯片唯一ID，gFlash专利技术，实现片上存储加密技术；iOTesmc
• 对应的Arm产品型号（GD32V对应GD32），封装与引脚兼容、软件开发兼容。iOTesmc
表面贴装电感器
8月29日，TT Electronics 推出两款新型表面贴装设备（SMD）功率电感器：用于高频率电源转换系统和EMI滤波器应用的HM66M系列，以及用于高密度和高频直流/直流（DC/DC）转换器应用的HM78M系列。iOTesmc
HM66M系列功率电感器专为复杂的工业和电子通信市场而设计。HM66M是一款屏蔽式微缩薄型SMD电感器，集成了铁氧体磁芯，以提供显著的电导率和温度优势。这些电感器的特点是高频损耗低，非常适合以GaN为基础的快速开关功率半导体工作的电源和变频器。功率电感已在700 kHz至4 MHz的频率范围内进行了优化，适用于要求开关频率高达4MHz且工作温度为125℃的系统。iOTesmc
HM78M系列功率电感器是一款屏蔽式、基于铁氧体的SMD电感器，专为工业市场中常见的高频直流/直流（DC/DC）转换器配置应用而设计。凭借其高电感和高电流值，这些功率电感器提供100 kHz至3 MHz的开关频率配置范围，使其适合用作降压转换器或EMI滤波器。iOTesmc
隔离智能开关
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8月29日，Silicon Labs（称“芯科科技”）推出了一系列紧凑、可靠的隔离智能开关，即使在最恶劣的工业环境中，它们依旧可以驱动任意负载。新型Si834x隔离开关非常适合驱动电阻和电感负载，例如工业控制系统中的电磁阀、继电器和灯等，这些系统包括可编程逻辑控制器（PLC）、I/O模块、继电器驱动器和伺服电机控制器等。每个隔离开关都进行了电气隔离，以确保安全性，通过采用Silicon Labs突破性的基于CMOS的隔离技术，与传统的基于光耦合器的隔离相比，具有更高的可靠性和性能，包括超过100kV/μs的高共模瞬变抗扰度（CMTI）。iOTesmc
Si834x隔离开关系列产品支持高侧和低侧开关选项、低导通电阻（145 mΩ RON）、符合IEC 61131-2标准的高达700mA的连续电流、全面的保护和诊断报告、以及用于工业自动化系统的先进配置、监控和控制。开关逻辑接口可以像四个低功耗CMOS数字输入一样简单，也可以像全串行外设接口（SPI）一样丰富和灵活，可通过4个MCU引脚控制多达128个通道。iOTesmc
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