向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了
广告

8月原厂新品推荐:MOSFET、测试芯片、通用MCU、隔离开关、功率电感器

面对即将到来的一年一度消费旺季,众多IC原厂摩拳擦掌,纷纷在8月推出了自己最高规格的新品。《国际电子商情》为业界一一细数本月新发布的通用MCU、电容电阻、MOSFET等产品。

适用于标准栅极驱动电路的MOSFET

8月12日,Vishay推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET——SiSS22DN,业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件,10 V条件下最大导通电阻降至4 mW,采用热增强型3.3 mm * 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装。SiSS22DN专门用于提高功率转换拓扑结构的效率和功率密度,栅极电荷仅为22.5 nC,同时具有低输出电荷(QOSS)。

与逻辑电平60 V器件不同,SiSS22DN提高了典型VGS(th)和Miller(米勒)平台电压,适用于栅极驱动电压高于6 V的电路,器件最佳动态特性缩短死区时间,防止同步整流应用发生击穿。SiSS22DN业内低导通电阻比排名第二的产品低4.8%——与领先的逻辑电平器件不相上下——QOSS为34.2 nC,QOSS与导通电阻乘积,即零电压开关(ZVS)或开关柜拓扑结构功率转换设计中,MOSFET的重要优值系数(FOM)达到最佳水平。为实现更高功率密度,器件比6 mm * 5 mm封装类似解决方案节省65%的PCB空间。

SiSS22DN改进了技术规格,经过调校最大限度降低导通和开关损耗,多电源管理系统构件可实现更高效率,包括AC/DC和DC/DC拓扑结构同步整流、DC/DC转换器主边开关、降压-升压转换器半桥MOSFET功率级,以及通信和服务器电源OR-ing功能、电动工具和工业设备电机驱动控制和电路保护、电池管理模块的电池保护和充电。MOSFET经过100 % RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

3D高密度测试芯片

8月7日格芯宣布,已流片生产基于Arm®的3D高密度测试芯片,可提升人工智能/机器学习(AI/ML)和高端消费电子移动及无线解决方案等计算应用的系统性能与能效。新芯片采用格芯12LP  FinFET工艺制造,运用Arm 3D网状互连技术,核心间数据通路更为直接,可降低延迟,提升数据传输率,满足数据中心、边缘计算和高端消费电子应用的需求。

此外,两家公司还验证了一种3D可测试性设计(DFT)方法,使用格芯的晶圆与晶圆之间的混合键合,每平方毫米可连接多达100万个3D连接,拓展了12nm设计在未来的应用。

IHDM边绕电感器

8月21日,Vishay推出一款新型IHDM边绕通孔电感器——IHDM-1008BC-30,额定电流达150 A,适用于工业和国防应用。IHDM-1008BC-30采用铁粉合金磁芯技术,在-40℃至+180℃苛刻的工作温度范围内,具有出色的电感及饱和稳定性,功耗低,散热性能优异。

20190821_IHDM1008BC-30.jpg

该款器件边绕线圈的直流电阻(DCR)低至0.25 mW,最大限度减少损耗,改进额定电流性能,有助于提高效率。与基于铁氧体的解决方案相比,IHDM-1008BC-30在+125℃条件下,额定电流和饱和电流分别提高30%。电感达到饱和电流以后不会有电感值急剧的下降,饱和电流不受温度影响。

该电感器工作电压高达350 V,适用于大电流、高温应用中的DC/DC转换器、逆变器、电机和开关噪声抑制、大功率开关电源,包括工业太阳能系统,电动汽车充电站,以及国防系统。

全球首发RISC-V通用MCU

8月22日,兆易创新正式推出全球首个基于RISC-V内核的GD32V系列32位通用MCU产品,并提供从芯片到程序代码库、开发套件、设计方案等完整工具链支持并持续打造RISC-V开发生态。

微信图片_20190829112550.jpg

• 基于RISC-V的Bumblebee内核(与芯来科技合作设计);

• 主频108MHz,16K-128K Flash闪存,8K-32K SRAM缓存;

• 2.6-3.6V供电,I/O口可承受5V电平;

• 配备1个支持三相PWM互补输出和霍尔采集接口的16位高级定时器可用于矢量控制;4个16位通用定时器;2个16位基本定时器;2个多通道DMA控制器;中断控制器(ECLIC)提供68个外部中断、可嵌套16个可编程优先级;

• 集成2个2.6M SPS采样率的12位高速ADC,提供16个可复用通道,支持16-bit硬件过采样滤波功能和分辨率可配置功能;2个12位DAC;

• 外设连接包括USAR *3、UART *2、SPI *3(支持四线制,新增多种传输模式,可扩展Quad SPI NOR Flash实现高速访问)、I2C *2(支持快速Plus(Fm+)模式,频率最高1MHz(1MB/s))、I2S *2、CAN2.0B *2,USB 2.0 FS OTG *1(支持Device、HOST、OTG等多种模式),EXMC(外部总线扩展控制器,可连接NOR Flash、SRAM等外部存储器);

• -40℃~85℃工业级操作温度;

• 每颗芯片唯一ID,gFlash专利技术,实现片上存储加密技术;

• 对应的Arm产品型号(GD32V对应GD32),封装与引脚兼容、软件开发兼容。

表面贴装电感器

8月29日,TT Electronics 推出两款新型表面贴装设备(SMD)功率电感器:用于高频率电源转换系统和EMI滤波器应用的HM66M系列,以及用于高密度和高频直流/直流(DC/DC)转换器应用的HM78M系列。

HM66M系列功率电感器专为复杂的工业和电子通信市场而设计。HM66M是一款屏蔽式微缩薄型SMD电感器,集成了铁氧体磁芯,以提供显著的电导率和温度优势。这些电感器的特点是高频损耗低,非常适合以GaN为基础的快速开关功率半导体工作的电源和变频器。功率电感已在700 kHz至4 MHz的频率范围内进行了优化,适用于要求开关频率高达4MHz且工作温度为125℃的系统。

HM78M系列功率电感器是一款屏蔽式、基于铁氧体的SMD电感器,专为工业市场中常见的高频直流/直流(DC/DC)转换器配置应用而设计。凭借其高电感和高电流值,这些功率电感器提供100 kHz至3 MHz的开关频率配置范围,使其适合用作降压转换器或EMI滤波器。

隔离智能开关

thumbnail_Si834x No Text.png

8月29日,Silicon Labs(称“芯科科技”)推出了一系列紧凑、可靠的隔离智能开关,即使在最恶劣的工业环境中,它们依旧可以驱动任意负载。新型Si834x隔离开关非常适合驱动电阻和电感负载,例如工业控制系统中的电磁阀、继电器和灯等,这些系统包括可编程逻辑控制器(PLC)、I/O模块、继电器驱动器和伺服电机控制器等。每个隔离开关都进行了电气隔离,以确保安全性,通过采用Silicon Labs突破性的基于CMOS的隔离技术,与传统的基于光耦合器的隔离相比,具有更高的可靠性和性能,包括超过100kV/μs的高共模瞬变抗扰度(CMTI)。

Si834x隔离开关系列产品支持高侧和低侧开关选项、低导通电阻(145 mΩ RON)、符合IEC 61131-2标准的高达700mA的连续电流、全面的保护和诊断报告、以及用于工业自动化系统的先进配置、监控和控制。开关逻辑接口可以像四个低功耗CMOS数字输入一样简单,也可以像全串行外设接口(SPI)一样丰富和灵活,可通过4个MCU引脚控制多达128个通道。

更多阅读

2月原厂新品汇总:IC、MPU、传感器、电阻、光电二极管

3月原厂新品推荐:汽车电子及移动设备领域

4月原厂新品推荐:输出光耦、图像传感器、无线平台、功率电容器

5月原厂新品推荐:FPGA、MOSFET、传感器、电容器

6月原厂新品推荐:传感模块、IC、图像传感器、整流器、电阻

7月原厂新品推荐:传感器、驱动器、电感器、收发器

责任编辑:Momo

原创
本文为国际电子商情原创文章,未经授权禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
  • 微信扫一扫,一键转发

  • 关注“国际电子商情” 微信公众号

您可能感兴趣的文章

相关推荐

可能感兴趣的话题