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全球DRAM投片仅成长4%,明年三巨头仍无大规模新增产能

全球DRAM投片仅成长4%,明年三巨头仍无大规模新增产能

全球内存产业产出量明年年成长为12%,为近十年来新低的水平。从产能与工艺的角度来看,全球内存投片只有4%的成长,三大主要内存厂明年几乎没有大规模新增的产能,明年1X/1Ynm依然是市场主要工艺,1Znm工艺呈现缓步成长。集邦咨询预估,明年内存价格将有机会在上半年止跌反弹……

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芝奇国际为全球高端电竞内存领导品牌,多年来透过独特的极限超频技术,将每一世代硬件效能发挥至极限,不仅提供电竞玩家更高性能内存产品,也同时树立下一世代高端硬件的规格标竿,成为加速人类科技进化的推手。Ytnesmc

DDR5即将问世,内存速度及容量势必再做提升,如何能持续开发出更高性能产品以满足电竞玩家需求,将会是各大存储厂商如何于电竞市场致胜的关键。Ytnesmc

叶茂盛:2020年智能手机发展与存储市场趋势分析

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图5:集邦咨询DRAMeXchange分析师  叶茂盛Ytnesmc

智能手机市场已经发展进入高原期,加上硬件创新幅度有限的因素,2020年生产量将大致持平,其中行动装置存储需求除传统上消费者越换越大的预期以外,明年受到5G手机渗透率提升影响,所需传输速度与容量要求皆有提升,在嵌入式产品界面方面,eMMC 5.1已难以负荷5G时代的基本传输要求,加上价格的诱因,UFS 2.1/3.0有望在2020年加速渗透,促使行动装置市场闪存位元出货成长达到32%,较2019年不到30%改善,也有助于整体闪存市场需求有较佳成长表现。Ytnesmc

徐征:利基型DRAM市场趋势分析

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图6:晋华集成副总经理  徐征Ytnesmc

目前利基型DRAM (specialty DRAM)主要应用于消费型电子产品。2019年DRAM市场供过于求,各大DRAM业者通过降价减产的方式降低库存水位,同时三大DRAM业者重新调整产线,加速1Znm制程,带动利基型DRAM的规格朝向DDR4迈进。Ytnesmc

需求端,目前利基型DRAM的位需求量持续提升已是市场共识,而中国庞大市场需求是中国DRAM制造业者们的商机所在;供给端,在三大供应商加速利基型DRAM规格迭代情况下,市场上普遍认为消费型电子市场DDR4及LPDDR4的渗透率将逐年提升。Ytnesmc

然而,大部分的消费型电子产品并不需要如此快速的规格转型,加上中国已领先全球着手布建5G系统,更有利于杀手级应用的产生,在此情形之下,倘若中国DRAM业者能够补足需求缺口,满足当下市场的需求,势必能减缓终端应用厂商面临被迫转换的压力,这将是中国DRAM业者成长的好机会。Ytnesmc

吴元雄:存储技术与解决方案发展

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图7:力晶积成电子存储器事业群总经理  吴元雄Ytnesmc

传统计算器架构中,动态随机存取存储器带宽是受限的。在一些存储器存取频繁的应用中,处理器往往会因带宽受限,无法获得充分数据进行有效运算,这就是所谓“内存墙”或 “memory wall”问题。Ytnesmc

力晶积成电子身为专业晶圆代工厂,除了逻辑晶圆代工之外,也是业界唯一专业动态随机存取存储器晶圆代工厂。力晶积成电子特此综合这两项专长,针对深度神经网络应用,开发了AIM(AI Memory)平台,旨在解决内存墙问题。Ytnesmc

力晶积成电子AIM平台,乃基于力晶先进之动态随机存取存储器制程技术,可用于制作各式深度神经网络加速电路。由于加速电路直接植入动态随机存取存储器阵列旁,如此加速电路可享有超高动态随机存取存储器带宽,完全解决内存墙问题。并且由于无需传统外部存储器接口,外部接口传输所导致之功耗及延迟也一并免除。Ytnesmc

刘家豪:IT基础架构转型驱动存储器市场新纪元

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图8:集邦咨询DRAMeXchange资深分析师  刘家豪

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