电感式位置传感器
12月17日，艾迈斯半导体（AMS）推出首款适用于高速汽车电机和工业电机的电感式位置传感器——AS5715。基于AS5715的新型转子位置传感解决方案具有广泛用于高速电机的旋转变压器的精确性和延迟性，同时还可显著降低物料成本、尺寸和重量。更重要的是，由于IC基于汽车功能安全完整性等级ASIL-C标准，且冗余方案支持ASIL-D标准，所以该解决方案是完全符合ISO 26262功能安全标准。HBXesmc
按价值计算，整个电机（包括牵引电机）市场的复合年增长率预计为8.3%，2021年估计将达到346亿美元。HBXesmc
CMOS传感器
12月19日，艾迈斯半导体（AMS）宣布，借助其最新推出的集成式X射线探测器芯片——AS5950，ams将可进一步降低计算机断层扫描（CT）设备的成本。凭借艾迈斯半导体在传感器设计和封装领域的专业知识，AS5950集成式X射线探测器芯片可提高CT探测器的性能，图像更详实，系统成本更低。HBXesmc
AS5950这款CMOS器件在同一芯片上集成一个高灵敏度光电二极管阵列和一个64通道模数转换器。AS5950单芯片更容易安装到CT探测器模块中。目前，CT扫描仪制造商需要在复杂的PCB上安装一个分立式光电二极管阵列，并通过较长的走线将其连接至分立式读取芯片。将8层和16层CT扫描仪中复杂的PCB组件更换为单个AS5950芯片大大降低了图像噪声，更重要的是降低了制造商的材料和生产成本。HBXesmc
MOSFET
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12月11日，Vishay推出采用小型热增强型PowerPAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET——SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是业内最低RS-S(ON)的60 V共漏极器件，专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC转换器以及电源的功率密度和效率。HBXesmc
日前发布的双片MOSFET在10V电压下RS-S(ON) 典型值低至10m，是3mm x 3mm封装导通电阻最低的60V器件，比这一封装尺寸排名第二的产品低42.5%，比Vishay上一代器件低89%。从而降低电源通道压降，减小功耗，提高效率。新型MOSFET现可提供样品并已实现量产，大宗订货供货周期为30周。HBXesmc
SiC FET
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12月9日，美商联合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布将推出四种新型SiC FET，其RDS（ON）值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，适用于电动汽车（EV）逆变器、高功率DC/DC转换器、大电流电池充电器和固态断路器等高功率应用。在这四款全新UF3C SiC FET器件中，一款产品额定电压值为650V，RDS（on）为7 mΩ，另外三款电压额定值为1200V，RDS（on）分别为9和16 mΩ。所有器件都采用通用型TO247封装。预计2020年第二季度实现量产。HBXesmc
降压稳压器
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12月9日，Vishay推出两款新型2A~12A microBUCK®系列同步降压稳压器，输入电压范围分别为4.5V至55V(SiC476/7/8/9) 和4.5V至60V(SiC466/7/8/9)。Vishay Siliconix器件采用小型5x5 PowerPAK封装，内含高性能n沟道沟槽式MOSFET与控制器，具有高效率和高功率密度，内部补偿功能则减少外部元器件数量。日前发布的microBUCK稳压器采用相同控制器IC和封装外形，同时提供一系列MOSFET额定值，设计人员可从中选择最佳性价比组合。HBXesmc
日前发布的稳压器工作电流仅为156µA，峰值效率达98%，设计人员可减少功耗提高功率密度。高效率结合5mm x 5mm PowerPAK封装优异的热设计，使稳压器能在较低温度下工作，从而提高长期稳定性，而且不需要加装散热片。microBUCK安全工作区范围宽，便于设计人员灵活满足各种工作温度和电流要求。因此，设计人员可以缩小PCB尺寸，简化热管理并降低系统成本。HBXesmc
IHDF边绕通孔电感器
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12月12日，Vishay推出一款新型IHDF边绕通孔电感器——IHDF-1300AE-10，额定电流72A，饱和电流高达230A，适合用于工业和国防应用。Vishay Dale IHDF-1300AE-10采用铁粉磁芯技术，最大高度仅为15.4mm，在-55℃至+125℃严苛的工作温度范围内，交流和直流功耗低，具有优异的散热性能。HBXesmc
日前发布的这款器件边绕线圈最大直流电阻（DCR）低至1.1m，最大限度减少损耗，有助于改善额定电流性能，提高效率。与铁氧体解决方案相比，IHDF-1300AE-10饱和电流提高75%。器件超薄封装便于设计师满足苛刻的机械冲击和振动要求，同时降低高度，节省空间。HBXesmc
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