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7月新品推荐:汽车GPU、开关IC、MOSFET、储能电容器

随着下半年半导体产业逐步回归正常轨道,芯片原厂的新品上市速度正不断加快。本月推荐的新品集中在汽车领域和新能源应用,MOSFET也有两款全新竞品值得关注。

汽车级图形处理器

7月8日,Imagination推出面向汽车领域的XS图形处理器(GPU)产品系列,可实现先进驾驶辅助系统(ADAS)加速和安全关键图形处理功能。据介绍,XS是迄今为止所开发的最先进的汽车GPU知识产权(IP),并且是业界首款符合ISO 26262标准的可授权IP,该标准旨在解决汽车行业中存在的功能安全风险。Lbhesmc

由于全景环视、数字仪表盘和ADAS等下一代车载系统都需要安全关键图形处理和计算功能,XS的设计采用了一种新型安全架构,该架构具有独特的计算和图形处理机制,对关键工作负载性能的提升可高达2倍,从而实现丰富、高性能且具备功能安全性的图形处理能力。Lbhesmc

XS GPU的主要特性包括:Lbhesmc

  • ADAS计算加速:XS产品系列专门针对ADAS加速进行了优化,可提供高性能且具备功能安全性的计算能力。
  • 安全关键图形处理:XS是业界首个专为安全关键图形处理应用而设计的GPU产品系列,在这些应用中GPU负责数字仪表盘、全景环绕和摄像系统等关键任务。
  • ISO 26262流程一致性:XS是汽车行业首款符合ISO 26262标准的GPU IP。整车厂(OEM)、一级供应商(Tier1)和半导体供应商现在可以深具信心地将符合ISO 26262标准的IP集成至其产品中。

据了解,Imagination的XS GPU产品系列现已可提供授权。Lbhesmc

汽车级开关IC

近期,Power Integrations发布已通过AEC-Q100认证的新款LinkSwitch™-TN2开关IC,新器件适合降压或非隔离反激式应用。新款汽车级LinkSwitch-TN2 IC采用750V集成MOSFET,可为连接到高压母线的电动汽车子系统提供简单可靠的电源,这些子系统包括HVAC、恒温控制、电池管理、电池加热器、DC-DC变换器和车载充电机系统。这种表面贴装器件不需要散热片,只需要很少的外围元件,而且占用的PCB面积非常小。Lbhesmc

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PI产品营销经理Edward Ong表示:“我们的汽车开关IC在减小尺寸的同时,还提高了汽车子系统的可靠性和稳定性。通过使用LinkSwitch-TN2电源直接从高压母线为辅助系统供电,汽车工程师可以降低对传统12V分布式电源轨的要求,节省装配和物料成本。”Lbhesmc

资料显示,7W(反激式)/360mA(降压式)LinkSwitch-TN2具有60 VDC至550 VDC的宽输入电压范围,可有效支持电动汽车应用中常见的400 VDC母线。新的电源IC可在各种输入电压、负载、温度和元件公差下提供优于+/-5%的精确调整。目前该样品已供货。Lbhesmc

SiC MOSFET

7月14日,英飞凌为其1200V CoolSiC™ MOSFET模块系列新增了一款62mm工业标准模块封装产品。它采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计,以及沟槽栅芯片技术,为碳化硅打开了250kW以上(硅IGBT技术在62mm封装的功率密度极限)中等功率应用的大门。在传统62mm IGBT模块基础上,将碳化硅的应用范围扩展到了太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引以及商用感应电磁炉和功率转换系统等。Lbhesmc

该62mm模块配备了英飞凌的CoolSiC MOSFET芯片,可实现极高的电流密度。其极低的开关损耗和传导损耗可以最大限度地减少冷却器件的尺寸。在高开关频率下运行时,可使用更小的磁性元件。借助英飞凌CoolSiC芯片技术,客户可以设计尺寸更小的逆变器,从而降低整体系统成本。Lbhesmc

它采用62mm标准基板和螺纹接口,具有高鲁棒性的结构设计,从而最大限度地优化并提高系统可用性,同时降低维修成本并减少停机损失。出色的温度循环能力和150℃的连续工作温度(Tvjop),带来出色的系统可靠性。其对称的内部设计,使得上下开关有了相同的开关条件。可以选装“预处理热界面材料”(TIM)配置,进一步提高模块的热性能。Lbhesmc

双MOSFET

7月9日,Vishay推出新款30 V n沟道MOSFET半桥功率级模块——SiZF300DT,将高边TrenchFET®和低边SkyFET® MOSFET与集成式肖特基二极管组合在一个小型PowerPAIR® 3.3 mm * 3.3 mm封装中。该器件提高了功率密度和效率,同时有助于减少元器件数量、简化设计,适用于计算和通信应用功率转换。Lbhesmc

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新发布器件中的两个MOSFET采用半桥配置内部连接。通道1MOSFET在10和4.5V条件下,最大导通电阻分别为4.5mW和7.0mW。通道2MOSFET在10V和4.5V条件下,导通电阻分别为1.84mW和2.57mW。两个MOSFET典型栅极电荷分别为6.9nC和19.4nC。Lbhesmc

新款双MOSFET模块现可提供样品并已实现量产,大宗订货供货周期为12周。Lbhesmc

储能电容器

7月13日,Vishay推出七款用于能量采集和备用电源应用的小型ENYCAPÔ双层储能电容器,外形尺寸从10mm * 20mm到12.5mm * 40mm,容值为5F至22F。Lbhesmc

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最新推出的小型ENYCAP系列电容器包括标准型220 EDLC、加固型225 EDLC-R、高压230 EDLC-HV和加固型高压235 EDLC-HVR,具有更高功率密度,节省各种工业、再生能源和汽车应用空间,包括智能电表、手持电子设备、机器人、能量采集设备、电子门锁系统、应急照明等。Lbhesmc

Vishay的ENYCAP电容器适用于各种标准和恶劣高湿环境,+85℃条件下使用寿命长达2,000小时,免维护,具有极高的设计灵活性。器件坚固耐用,经过1500小时85℃/相对湿度85%带电测试,耐潮能力达到最高等级,高压电容器额定电压达3.0V。器件经过AEC-Q200认证,符合RoHS标准,可进行快速充放电,提供通孔封装版本。Lbhesmc

外型尺寸更小的ENYCAP电容器现可提供样品并已实现量产,大宗订货供货周期为六周。Lbhesmc

责任编辑:MomoLbhesmc

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