向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了
广告

7月新品推荐:汽车GPU、开关IC、MOSFET、储能电容器

随着下半年半导体产业逐步回归正常轨道,芯片原厂的新品上市速度正不断加快。本月推荐的新品集中在汽车领域和新能源应用,MOSFET也有两款全新竞品值得关注。

汽车级图形处理器

7月8日,Imagination推出面向汽车领域的XS图形处理器(GPU)产品系列,可实现先进驾驶辅助系统(ADAS)加速和安全关键图形处理功能。据介绍,XS是迄今为止所开发的最先进的汽车GPU知识产权(IP),并且是业界首款符合ISO 26262标准的可授权IP,该标准旨在解决汽车行业中存在的功能安全风险。h2jesmc

由于全景环视、数字仪表盘和ADAS等下一代车载系统都需要安全关键图形处理和计算功能,XS的设计采用了一种新型安全架构,该架构具有独特的计算和图形处理机制,对关键工作负载性能的提升可高达2倍,从而实现丰富、高性能且具备功能安全性的图形处理能力。h2jesmc

XS GPU的主要特性包括:h2jesmc

  • ADAS计算加速:XS产品系列专门针对ADAS加速进行了优化,可提供高性能且具备功能安全性的计算能力。
  • 安全关键图形处理:XS是业界首个专为安全关键图形处理应用而设计的GPU产品系列,在这些应用中GPU负责数字仪表盘、全景环绕和摄像系统等关键任务。
  • ISO 26262流程一致性:XS是汽车行业首款符合ISO 26262标准的GPU IP。整车厂(OEM)、一级供应商(Tier1)和半导体供应商现在可以深具信心地将符合ISO 26262标准的IP集成至其产品中。

据了解,Imagination的XS GPU产品系列现已可提供授权。h2jesmc

汽车级开关IC

近期,Power Integrations发布已通过AEC-Q100认证的新款LinkSwitch™-TN2开关IC,新器件适合降压或非隔离反激式应用。新款汽车级LinkSwitch-TN2 IC采用750V集成MOSFET,可为连接到高压母线的电动汽车子系统提供简单可靠的电源,这些子系统包括HVAC、恒温控制、电池管理、电池加热器、DC-DC变换器和车载充电机系统。这种表面贴装器件不需要散热片,只需要很少的外围元件,而且占用的PCB面积非常小。h2jesmc

h2jesmc

PI产品营销经理Edward Ong表示:“我们的汽车开关IC在减小尺寸的同时,还提高了汽车子系统的可靠性和稳定性。通过使用LinkSwitch-TN2电源直接从高压母线为辅助系统供电,汽车工程师可以降低对传统12V分布式电源轨的要求,节省装配和物料成本。”h2jesmc

资料显示,7W(反激式)/360mA(降压式)LinkSwitch-TN2具有60 VDC至550 VDC的宽输入电压范围,可有效支持电动汽车应用中常见的400 VDC母线。新的电源IC可在各种输入电压、负载、温度和元件公差下提供优于+/-5%的精确调整。目前该样品已供货。h2jesmc

SiC MOSFET

7月14日,英飞凌为其1200V CoolSiC™ MOSFET模块系列新增了一款62mm工业标准模块封装产品。它采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计,以及沟槽栅芯片技术,为碳化硅打开了250kW以上(硅IGBT技术在62mm封装的功率密度极限)中等功率应用的大门。在传统62mm IGBT模块基础上,将碳化硅的应用范围扩展到了太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引以及商用感应电磁炉和功率转换系统等。h2jesmc

该62mm模块配备了英飞凌的CoolSiC MOSFET芯片,可实现极高的电流密度。其极低的开关损耗和传导损耗可以最大限度地减少冷却器件的尺寸。在高开关频率下运行时,可使用更小的磁性元件。借助英飞凌CoolSiC芯片技术,客户可以设计尺寸更小的逆变器,从而降低整体系统成本。h2jesmc

它采用62mm标准基板和螺纹接口,具有高鲁棒性的结构设计,从而最大限度地优化并提高系统可用性,同时降低维修成本并减少停机损失。出色的温度循环能力和150℃的连续工作温度(Tvjop),带来出色的系统可靠性。其对称的内部设计,使得上下开关有了相同的开关条件。可以选装“预处理热界面材料”(TIM)配置,进一步提高模块的热性能。h2jesmc

双MOSFET

7月9日,Vishay推出新款30 V n沟道MOSFET半桥功率级模块——SiZF300DT,将高边TrenchFET®和低边SkyFET® MOSFET与集成式肖特基二极管组合在一个小型PowerPAIR® 3.3 mm * 3.3 mm封装中。该器件提高了功率密度和效率,同时有助于减少元器件数量、简化设计,适用于计算和通信应用功率转换。h2jesmc

h2jesmc

新发布器件中的两个MOSFET采用半桥配置内部连接。通道1MOSFET在10和4.5V条件下,最大导通电阻分别为4.5mW和7.0mW。通道2MOSFET在10V和4.5V条件下,导通电阻分别为1.84mW和2.57mW。两个MOSFET典型栅极电荷分别为6.9nC和19.4nC。h2jesmc

新款双MOSFET模块现可提供样品并已实现量产,大宗订货供货周期为12周。h2jesmc

储能电容器

7月13日,Vishay推出七款用于能量采集和备用电源应用的小型ENYCAPÔ双层储能电容器,外形尺寸从10mm * 20mm到12.5mm * 40mm,容值为5F至22F。h2jesmc

h2jesmc

最新推出的小型ENYCAP系列电容器包括标准型220 EDLC、加固型225 EDLC-R、高压230 EDLC-HV和加固型高压235 EDLC-HVR,具有更高功率密度,节省各种工业、再生能源和汽车应用空间,包括智能电表、手持电子设备、机器人、能量采集设备、电子门锁系统、应急照明等。h2jesmc

Vishay的ENYCAP电容器适用于各种标准和恶劣高湿环境,+85℃条件下使用寿命长达2,000小时,免维护,具有极高的设计灵活性。器件坚固耐用,经过1500小时85℃/相对湿度85%带电测试,耐潮能力达到最高等级,高压电容器额定电压达3.0V。器件经过AEC-Q200认证,符合RoHS标准,可进行快速充放电,提供通孔封装版本。h2jesmc

外型尺寸更小的ENYCAP电容器现可提供样品并已实现量产,大宗订货供货周期为六周。h2jesmc

责任编辑:Momoh2jesmc

本文为国际电子商情原创文章,未经授权禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
  • 微信扫一扫,一键转发

  • 关注“国际电子商情” 微信公众号

  • 拆解华为5G基站:美国零部件占成本近3成

    自美国政府9月15日强化供应链的限制后,华为无法再取得由美国技术制造,或依赖美国设备生产的零部件,包括台积电等关键半导体企业均停止向华为供货。除了直接导致华为手机未来无法使用自研高端麒麟处理器外,也对全球份额第一的通信基站产生了影响...

  • 代工产能吃紧,IC设计厂商跟进涨价15%

    由于8英寸晶圆代工产能吃紧持续 ,且继华为之后,中芯也遭美制裁加重业界担忧,供应链“涨声”不断。国际电子商情从台媒获悉,半导体涨价风已从晶圆代工吹向上游IC设计。继8月底传出华为主动加价一成向面板触控驱动IC厂商拉货后,日前敦泰、联咏再传调价成功消息,素有IC设计“二哥”美名的联咏涨幅高达10-15%,打响十月芯片涨价第一枪...

  • 超大规模收购案不断,揭秘美企疯狂“买买买”的背后...

    2020年见证了非比寻常的半导体行业,一场旷日持久的疫情不但遮掩了全球半导体的持续下滑,也冲淡了中美科技冷战的硝烟。与之同步进行,一个被掩盖的现象下半年开始浮出水面,那就是半导体行业的一连串并购活动,动辄数百亿的并购大案,正在对半导体行业,甚至是全球高科技行业的都带去了无法估量的影响...

  • 重拳反击!我国出口管制法通过,12月实施!

    国际电子商情获悉,全国人大常委会在日前会议上表决通过《出口管制法》等多项决议。据了解,《出口管制法》被视为一段时间以来美方频频针对中国企业无理打压的反制措施。自今年12月1日起,针对任何国家或者地区滥用出口管制措施危害中国国家安全和利益的时,我国将对该国家或者地区对等采取必要措施...

  • 2020年新形势下,元器件电商如何演绎“变”与“不变”?

    据《国际电子商情》了解,2020年上半年电子产业链尽管受新冠疫情的冲击较大,但是元器件电商平台反而受惠疫情期间“非接触经济”而业绩表现良好。

  • 中国大陆晶圆代工份额大涨,今年可望拿下全球22%市占

    随着“华为禁令”正式起效,台积电对华为海思的出货在9月中旬按下“暂停”键,与此同时,代工市场的不确定性开始显现...

近期热点

广告
广告

EE直播间

更多>>

在线研讨会

更多>>