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11月新品推荐:传感器、DC-DC、无线模块、NNA、MOSFET

本月海内外原厂推出的电子新品集中在消费电子、汽车级、物联网等领域。

传感器

3D图像传感器dVVesmc

据观察,游戏、虚拟电子商务、3D线上教育等应用,采用3D深度传感器打造沉浸式增强现实(AR)体验,连接现实与数字世界,且市场需求强劲。预计至2024年,后置摄像头搭载3D传感器的智能手机出货量将达到每年5亿部以上。dVVesmc

11月2日,英飞凌与pmdtechnologies携手开发采用飞行时间(ToF)技术的3D深度传感器,其目标是打造最具沉浸式且智能的AR体验,以及在低光源条件下通过加快自动对焦速度,或运用图像分割技术(picture segmentation),拍出更漂亮的夜间人像照,以提升拍照效果。此新款芯片的开发,实现了以低功耗达到10米测量距离,为图像传感器、驱动器和处理能力的带来新一代应用。dVVesmc

据悉,新款芯片能整合到微型化相机模组中,为AR精准测量短距和远距的深度,同时满足低功耗要求,为图像传感器节省下超过40%的电量。该芯片将于2021年第二季度开始量产。dVVesmc

接近传感器dVVesmc

11月16日,Vishay推出两款分辨率高达20µm、适用于各种压力感测应用的新型全集成汽车级接近传感器——VCNL3030X01和VCNL3036X01。这两款传感器将光电二极管、放大器和ADC电路集成在4mm * 2.36mm,厚度仅为0.75mm的表面贴封装中。该芯片采用板载红外发射器(IRED),VCNL3036X01最多可配置三个外置IRED,采用含有内部逻辑电路的板载驱动器。dVVesmc

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据悉,该芯片经过AEC-Q101认证,适用于汽车、消费电子、智能家居、工业、办公和玩具产品,与前代传感器相比,提高了分辨率并降低成本。用于车辆转向控制、笔记本智能电源按钮和多点触控板,以及物联网(IoT)设备和厨用电器触摸板等压力感测应用时,该芯片可防止误触发,甚至允许用户戴手套。dVVesmc

新型接近传感器现可提供样品并已实现量产,大宗订货供货周期为6至12周。dVVesmc

神经网络加速器

11月12日,Imagination推出面向先进驾驶辅助系统(ADAS)和自动驾驶应用的新一代神经网络加速器(NNA)产品——IMG Series4。它拥有全新的多核架构,可提供600TOPS(每秒万亿次操作)甚至更高的超高性能,并且可为大型神经网络工作负载提供低带宽和极低的延迟。dVVesmc

功耗方面,Imagination的NNA架构旨在执行完整的网络推理,同时满足功能安全要求。它可以一次执行多个操作,从而最大化每瓦性能并提供行业领先的能效。dVVesmc

该芯片主要应用于洗车领域,服务对象包括汽车行业颠覆者、一级供应商、整车厂(OEM)和汽车系统级芯片(SoC)厂商。目前Series4已经开始提供授权,并将于12月在市场上全面供应。dVVesmc

无线模块

11月2日,Silicon(芯科科技)宣布扩充其预认证的无线模块产品系列,专门用于满足现代物联网应用开发需求。该产品系列包括xGM210PB、BGM220、MGM220和BGX220 Xpress,是业内独特的全栈多协议解决方案模块,满足商业和消费物联网应用,并具有灵活的封装选项和高度集成的设备安全性。dVVesmc

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据悉,Silicon高集成度的模块具有多种封装选项,包括系统级封装(SiP)和传统印制电路板(PCB)封装。SiP模块包含微型组件,空间受限的物联网设计通过基于模块的解决方案,从而消除了对复杂射频设计和认证的需求。PCB模块可实现灵活的引脚访问以及可扩展射频性能的其他选择。dVVesmc

其中,xGM210PB具有Secure Vault、ARM PSA2级认证的物联网设备安全性以及对蓝牙、Zigbee和OpenThread动态多协议的稳定支持,且支持Wi-Fi共存。xGM210PB模块针对物联网应用进行了优化,包括可连接照明、网关、语音助手和智能电表家用显示器,提供最大+20dBm的输出功率且优于-104dBm的灵敏度。dVVesmc

以上四款芯片现已量产,可提供样品和开发工具套件。dVVesmc

DC-DC转换器

11月18日,Silanna推出针对USB-PD应用的最新系列宽电压、高频负载点转换器。两个DC-DC转换器(降压稳压器)的SZPL3102A/3103A系列最高工作频率为2MHz,可实现领先的宽输入和宽输出范围转换器,并以小巧的3mm * 3mm QFN封装支持高达24VDC输入。dVVesmc

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据官方介绍,更高的开关频率意味着可使用更小体积和更低成本的输出滤波器,已经试用过样片的客户都感到非常满意, SZPL3102/3103能够以最小尺寸和重量实现突破性效率。其支持工具能够给客户提供更高的灵活性和信心,帮助快速提高性能和效率,最终提高设计的功率密度,而体积只有低频竞争解决方案的12%。SZPL3102/3103大大降低了BOM成本,并缩短了设计周期和上市时间。dVVesmc

SZPL3102A和SZPL3103A具有独特的功能,可优化其在USB端口电源应用中的性能。非常低的运行功耗可实现极低的空载功率,这是监管认证的一个重要指标。此外,SZPL3102A包含一个瞬时内部反馈路径,可允许进行干净且受控的启动操作,直到外部USB-PD控制器可以为自身设置偏压,并接管输出电压的控制为止。dVVesmc

Silanna结合了内部和外部电阻分压器的灵活性,以方便为客户提供定制设计支持。现正在向主要客户提供样片,并将于2020年下半年全面供货。dVVesmc

MOSFET

继2月份推出25V装置后,11月3日,英飞凌又推出了OptiMOS™ 40V低电压功率MOSFET,采用源极底置(SD, Source-Down)PQFN 封装,尺寸为 3.3mm * 3.3mm。这款40V SD MOSFET 适用于服务器的SMPS、电信和OR-ing,还适用于电池保护、电动工具和充电器等应用。dVVesmc

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SD封装的内部采用上下倒置的芯片,可以让源极电位(而非汲极电位)能通过导热片连接至PCB。与现有技术相比,此版本最终可使RDS(on)大大降低25%。相较于传统的PQFN封装,接面与外壳间的热阻(RthJC)亦获得大幅改善。SD OptiMOS可承受高达194A的高连续电流。此外,经过优化的配置可能性和更有效的PCB利用,可实现更高的设计灵活性和出色的性能。dVVesmc

目前,低电压功率MOSFET提供两种版本:标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。两个版本皆采用PQFN 3.3mm * 3.3mm封装,已开始接受订购。dVVesmc

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