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12月新品推荐:ISP处理器、隔离IC、驱动IC、MOSFET、SiC IPM、光电二极管

本月国内外芯片大厂集中上新,主控、被动芯片均有创新性产品,从侧面反映出半导体行业正在积极复苏的趋势。

ISP处理器

12月3日,安谋中国发布了全新“玲珑”多媒体产品线,其中首款产品“玲珑”i3/i5 ISP处理器由安谋中国本土团队自主研发,在降噪、清晰度和宽动态等指标上达到业界领先水平,具有高画质、低延时、可配置能力强、扩展兼容性高等特点。该款ISP处理器可广泛适用于安防监控、AIoT及智能汽车等领域的视频、图像处理工作,满足不同场景的数据处理需求。gFoesmc

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“玲珑”ISP处理器依照不同场景的数据处理需求划分为多个系列产品。i3系列主要针对低功耗的轻量级应用场景,支持2K视频处理及单路视频信号接入处理;i5系列主打中高端市场应用,支持4K视频及多路视频信号接入处理。分别具有以下技术亮点:gFoesmc

硬件架构灵活可配置,客户可自行选配可选模块进行集成;多元的工作模式,可兼容线性、原始/压缩的HDR数据,单路及多路摄像头输入,支持超高分辨率分屏处理;DMA接口数据输入输出模式可配,可在ISP多个节点输出不同格式的数据;软件API接口丰富,图像效果调试流程简易、清晰;提供丰富的软硬件参考设计,如标定工具、调优工具和MIPI转DVP数字电路等。gFoesmc

目前,“玲珑”i3/i5 ISP处理器均已可向客户交付。gFoesmc

隔离器芯片

川土微电子发售全系列集成隔离电源的隔离器芯片,这是国内首款集成隔离电源的隔离器芯片系列,能够在一颗芯片里同时完成信号隔离+电源隔离+RS-485/CAN信号收发;具备SOP16-W, POD=10.3mm x 7.5mm x 2.5mm的小尺寸封装,完全突破行业现有局限;全集成微型片上变压器、高达53%的转换效率、高隔离耐压5kVRMSgFoesmc

据悉,该系列新品涵盖了CA-IS36XX高性能数字隔离器(集成隔离电源)、CA-IS309X集成隔离电源的隔离式RS-485收发器、CA-IS306X集成隔离电源的隔离式CAN收发器。gFoesmc

CA-IS36XX是一系列集成高效电源转换器的高性能多通道数字隔离器,提供最高500mW的隔离式电源输出功率,节省空间,可满足各种输入和输出电压配置。该隔离芯片采用电容式耐压隔离,具有更好的隔离电压(VISO),更高的传输速率(DC-150Mbps)和更强抗干扰能力(CMTI)。gFoesmc

CA-IS309X是一系列集成高效电源转换器的高可靠性隔离式RS-485收发器,符合TIA/EIA-485标准。此器件采用片上二氧化硅(SiO2)电容作为隔离层,在RS-485协议控制器和物理层总线之间创建一个完全隔离的接口,与隔离电源集成在单个SOIC封装内,可有效防止数据总线或其他电路上的噪声和浪涌进入本地接地端。gFoesmc

CA-IS306X是一系列具有集成式高效电源转换器的隔离式控制区域网络(CAN)物理层收发器,符合ISO11898-2标准的技术规范。此器件采用片上SiO2电容作为隔离层,在CAN协议控制器和物理层总线之间创建一个完全隔离的接口,与隔离电源集成在单个SOIC封装内,可隔绝噪声和干扰并防止损坏敏感电路。gFoesmc

栅极驱动器IC

12月18日,英飞凌科技推出了EiceDRIVER™ X3 Enhanced系列analog(1ED34xx)和digital(1ED38xx)栅极驱动器IC。这些器件具备3A、6A和9A的典型输出电流,以及精确的短路检测、米勒钳位和软关断功能。此外,1ED34xx可通过外部电阻提供可调节退饱、滤波时间和软关断电流。由于减少了外部组件的数量,这些功能结合起来可缩短设计周期。1ED38xx通过I2C可配置多个参数,这增加了设计的灵活性,降低了硬件复杂性,缩短了评估时间。这些栅极驱动器适用于工业驱动、太阳能逆变器、不间断电源、电动汽车充电桩和其他工业应用。gFoesmc

1ED34xx和1ED38xx系列适用于IGBT以及 SiC和Si MOSFET单管和模块。输出电流高达9A,无需外接推挽放大电路。超过200 kV/µs的CMTI鲁棒性可避免误开关。两个栅极驱动器系列都具有40 V绝对最大输出电源电压和30 ns(最大)传输延迟匹配,从而缩短了死区时间。1ED38xx的I2C可配置选项包括短路检测、软关断、欠压锁定(UVLO)、米勒钳位和过温保护。此栅极驱动器系列还提供了通过软件设置的两级关断(TLTOff)。gFoesmc

1ED34xx和1ED38xx栅极驱动器采用小型的DSO-16细间距封装,爬电距离为8 mm。通过UL 1577认证的5.7 kV RMS隔离,结合精确的阈值和定时,能实现出色的应用安全,专为承受恶劣的工业应用环境而设计。gFoesmc

60V MOSFET

12月15日,Vishay推出了一款符合AEC-Q101要求的N通道60V MOSFET——SQJ264EP。这是采用PowerPAK® SO-8L非对称双芯片封装的业界首款此类器件。新SQJ264EP旨在满足汽车行业节省空间以及提高DC/DC开关模式电源效率的需求。这个新器件在一个5mm x 6mm的紧凑型封装中集成了一个高边和一个低边MOSFET,低边MOSFET的最大导通电阻低至8.6 mW。gFoesmc

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与单个MOSFET解决方案相比,通过将两个TrenchFET® MOSFET封装在一个非对称封装中,新发布的这款汽车级器件减少了元件数量和电路板空间需求,同时提高了功率密度。此外,其控制(高边)和同步(低边)MOSFET在裸片尺寸上的优化组合,可在占空比低于50%的功率转换中提供高于对称双器件的效率。gFoesmc

SQJ264EP的通道1 MOSFET在10V时最大导通电阻为20mW,典型栅极电荷为9.2nC,而通道2 MOSFET在10V时的导通电阻为8.6mW,典型栅极电荷为19.2nC。由于没有内部连接的开关节点,SQJ264EP为设计人员提供了将晶体管配置为不同拓扑的灵活性,包括同步降压或同步升压DC/DC转换器。gFoesmc

由于可在超过+175℃的高温环境下工作,双MOSFET能够提供信息娱乐系统、显示器、LED照明以及电动自行车等汽车应用所需的耐用性和可靠性。同时,SQJ264EP的样品和批量产品现已开始提供,大宗订单的交货期为12周。gFoesmc

SiC IPM

12月11日,英飞凌科技推出了采用转模封装的1200 V碳化硅(SiC)集成功率模块(IPM),以及其SiC解决方案。CIPOS™ Maxi IPM IM828系列是业界在这一电压级别上的第一款产品。该系列为变速驱动应用中的三相交流电动机和永磁电动机提供了一种紧凑的变频解决方案,具有出色的导热性能和广泛的开关速度。具体应用包括工业电机驱动器、泵驱动器和用于暖通空调(HVAC)的有源滤波器。gFoesmc

CIPOS Maxi IPM集成了改进的6通道1200 V绝缘体上硅(SOI)栅极驱动器和六个CoolSiC™ MOSFET,以提高系统可靠性,优化PCB尺寸和系统成本。它采用DIP 36x23D封装,使其成为1200V IPM的最小封装,具有同类产品中最高的功率密度和最佳性能。IM828系列的隔离双列直插式封装具有出色的热性能和电气隔离性,满足高要求设计的EMI和过载保护要求。gFoesmc

该SiC IPM坚固耐用的6通道SOI栅极驱动器提供内置的死区时间,以防止瞬态损坏。它还在所有通道上提供欠压锁定(UVLO)功能,并具备过流关断保护功能。凭借其多功能引脚,该IPM可针对不同用途提供高度的设计灵活性。除了保护功能外,IPM还配备了独立的UL认证温度热敏电阻。可以访问发射极引脚以监视相电流,从而使该器件易于控制。gFoesmc

光电二极管

12月18日,Vishay光电子产品部推出业界首款标准表面贴封装、并经过汽车应用认证的四象限硅PIN光电二极管——K857PE。该器件感光度高,串扰仅为0.1 %,几乎无段间公差,适用于汽车、消费电子和工业市场各种传感控制应用。gFoesmc

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新发布的器件经过AEC-Q101认证,采用四支单片PIN二极管—每支感光区面积为1.6 mm2—集成在4.72mm x 4.72mm x 0.8mm单体封装中(正贴)。K857PE封装侧面不透明,消除杂散光对光电二极管的辐照影响,具有优异信噪比。器件光响应线性度适于车用雨量/日光传感器、工业自动化系统、激光准直和虚拟现实等各种应用的小信号探测。gFoesmc

光电二极管基于外延技术,感光范围690nm至1050nm,Ee=1mW/cm2,波长850nm条件下,区段反向光电流为8.5µA。器件配有日光滤光片,半感光度角为±60°,可在-40℃至+110 ℃温度范围内工作。K857PE符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素,可在车间存放168小时,潮湿敏感度等级达到J-STD-020标准。目前该器件已于2020年第4季度实现量产,供货周期为10周。gFoesmc

责任编辑:MomogFoesmc

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