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长江存储年中试产192层3D NAND?官方辟谣

长江存储强调,关于公司下一步建设计划具体情况请以公司官方渠道为准。

日经亚洲评论12日引述未具名消息人士报导,长江存储计划在2021下半年,将存储器芯片的月产量倍增至10万片硅晶圆,约占全球产出7%。相较之下,全球最大NAND 型快闪存储器制造商三星的月产出为48万片硅晶圆,美国最大存储器厂商美光(Micron Technology, Inc.)则月产18万片硅晶圆。rfwesmc

除了扩产现有芯片,长江存储也打算加快科技发展进程,近期,有消息人士表示,长江存储计划最早将于2021年年中试产第一批192层3D NAND闪存芯片。此外,计划到2021年下半年将存储芯片的月产量提高一倍,至10万片晶圆。rfwesmc

当然,消息补充称,由于192层工艺的复杂性,需要时间确保量产芯片质量,这一计划有可能会被推迟到今年下半年。rfwesmc

对于上述消息,1月13日长江存储发出《声明》称“均为不实言论” 。长江存储强调,关于公司下一步建设计划具体情况请以公司官方渠道为准。rfwesmc

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责任编辑:Momorfwesmc

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