2021到来,芯片市场的上新速度不减。本月新品集中于5G基站、物联网、汽车级等应用,推荐的厂商有英飞凌、Qorvo、东芝等等。
2021年1月4日,英飞凌科技推出全新 EiceDRIVER™ 2EDL8栅极驱动IC产品系列,以满足移动网络基础设备DC-DC电信砖的增长需求。这款双通道接面隔离式栅极驱动IC能为隔离式DC-DC降压转换器/电信砖提供高功率密度、高效率和耐用度,助力打造5G和LTE电信基础设备的宏基站。JkNesmc
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新款2EDL8系列包含四个版本,分为两种不同的上拉电流和两种不同的输入配置。3A(安培)版本适合用于改装设计,领先业界的4A(安培)版本则适用于降低MOSFET开关耗损。JkNesmc
其中,2EDL802x的双通道可分别独立运作,是一次侧对角驱动全桥及二次侧同步整流级用于降低续流(freewheeling)损耗的理想选择。2EDL812x采用差分输入结构,并内置直通(shoot-through)保护,是DC-DC砖式转换器非对角驱动一次侧半桥级的完美选择。JkNesmc
2EDL8具备整合式120V自举二极管和精准的通道对通道传播延迟匹配(典型值±2ns)。此系列所有产品皆采用符合业界标准的PG-VDSON-8无引线封装和引脚输出。JkNesmc
1月26日,Qorvo推出针对基站基础设施部署[包括5G大规模MIMO(m-MIMO)]量身定制的高性能低噪声放大器(LNA)系列产品——QPL9547、QPL9057、QPL9058和QPL9504。全新系列LAN外形小巧,兼具业界最低的噪声系数(2GHz时可达0.3dB)与出色的可靠性和可扩展性。JkNesmc
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该系列的旗舰产品QPL9547 LNA采用Qorvo新一代增强模式赝晶型高电子迁移率晶体管 (pHEMT)工艺,可为蜂窝基站提供市场领先的噪声系数和更高的接收器灵敏度。这款LNA可实现内部匹配,采用2mm x 2mm紧凑型封装,为系统设计节省了空间。该产品系列中的其他LNA(如QPL9057、QPL9058和QPL9504)均经过优化,可提供5G无线基础设施所需的高增益和禁用引脚功能。JkNesmc
目前,全系列产品现已量产,开始供货。JkNesmc
1月13日,东芝电子推出五组全新的微控制器——M4K、M4M、M4G、M4N和M3H,且均属于TXZ+™族。其中M4K、M4M、M4G和M4N组基于Arm® Cortex®-M4内核;M3H组基于Arm® Cortex®-M3内核。全组均可实现低功耗,适合多种类型的应用,如电机控制、互联物联网设备、先进传感功能等。JkNesmc
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该系列高级微控制器的最高工作频率达200MHz,闪存存储容量最大为2MB,并集成12位模数转换器,还集成了应用专用外围设备,如高效率电机控制引擎或丰富的连接接口。JkNesmc
工程样片将从2020财年第四季度开始提供(2021年1月到3月),量产将从2021财年第二季度开始(2021年7月到9月)。此外,还将同时提供相关文档、开发工具和示例软件。JkNesmc
1月6日,Summit Wireless推出了一款全新的物联网(IoT)收发器模块,该模块旨在将音频信号以无线的方式从电视和条形音箱低成本地传输到环绕声和低音炮音箱,从而便捷地获得沉浸式声效体验。JkNesmc
这款名为“Discovery”的全新模块由Summit Wireless先进的Wi-Fi兼容软件提供支持,该软件专为固定的低延迟无线音频传输而设计。这款收发器模块可在宽达10平方米的房间内保持多达4个独立的无线音频通道完全同步。Discovery模块非常适合入门级家庭娱乐系统,包括条形音箱、电视、低音炮和杜比全景声(DolbyAtmos®)应用等。JkNesmc
Discovery模块引入了一个名为“ConexUs™”的新型无线扬声器配对过程选项,该选项只需一个简单的按钮即可对扬声器进行配对并为其分配合适的音频通道。一旦扬声器接通电源并放置在所需的家庭影院配置中,配对过程通常只需不到60秒的时间。ConexUs配对过程无需访问路由器、网络密码、特殊用户界面或移动应用程序,从而极大地简化了消费者的开箱即用体验。JkNesmc
1月28日,Silicon Labs推出在其AEC-Q100合规的Si5332-AM时钟发生器系列中采用的SmartClockTM新技术,为业界广泛应用的基于硅的汽车时钟解决方案组合扩展了更多的功能。全新的SmartClockTM技术可主动监测参考时钟以检测潜在故障,并提供内置的时钟冗余功能。JkNesmc
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Silicon表示,汽车电子设计传统上依赖于石英晶体和振荡器,它们在整个使用寿命中容易发生故障。随着汽车应用对时钟的要求变得越来越复杂,所需的精密时钟数量也在不断增加。我们的SmartClockTM新技术为系统设计人员提供了新工具,可以主动监测系统时钟的运行状况和可靠性,提高每个设计的弹性和操作性。JkNesmc
如果检测出故障情况,SmartClockTM会与外部的系统微控制器或系统安全管理器共享信息,它们会转而指示Si5332-AM切换到冗余的备份源,以确保系统继续安全运行。在仅需对单一时钟进行运行监测的应用中,新型的Si5118-AM SmartClockTM合成器可以在参考时钟源和端点之间运行。这些创新的功能有助于解决汽车网络、先进驾驶辅助系统、自动驾驶以及车载信息娱乐系统(IVI)/数字驾舱等应用的电子设计中日益复杂的时钟挑战。JkNesmc
艾迈斯半导体本月带来两款泛光照明器。一款是全球首款符合AEC-Q102和ISO 26262标准的VCSEL泛光照明器,另一款是针对工业市场2D/3D传感应用推出的VCSEL红外泛光照明器。JkNesmc
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1月12日推出的新型TARA2000-AUT系列VCSEL(垂直腔面激光发射器)泛光照明器,非常适合基于2D近红外成像或3D TOF传感的新型光学车内传感(ICS)系统,支持下一代汽车辅助驾驶和自动驾驶技术。JkNesmc
在监测驾驶员驾驶过程中注意力是否高度集中的驾驶员状态监测系统(DMS)中,较高的光输出功率可覆盖整个照明区域(FOI),意味着一颗高功率TARA2000-AUT照明器即可取代多个低功率发射器。这将使得汽车OEM厂商可以利用该技术来减小模块占用的空间、减少元器件数量并降低成本。TARA2000-AUT的峰值光输出中心波长为940nm,光谱非常窄,使汽车OEM厂商可以轻松应对阳光带来的干扰,提升监测系统的性能和可靠性。JkNesmc
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1月19日推出的红外VCSEL泛光照明器EGA2000系列,旨在满足工业制造商为机器人、协作机器人、自动导引车以及使用2D/3D光学传感的智能设备开发各种创新应用。JkNesmc
在对所有关键元器件实行严格品控的供应链管理下,艾迈斯半导体自主研发和生产的VCSEL和匀光片可保证每一颗EGA2000系列产品都能够提供均匀、严格符合设计规格的高功率泛光照明,而这对于测距、物体检测、脸部识别这类新兴应用尤为重要——这些应用均需配合2D或是更复杂的基于飞行时间(ToF)或立体视觉(SV)3D技术,其高效地泛光性能乃是重中之重。JkNesmc
1月11日,Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的100Vp沟道TrenchFET® MOSFET——SQJ211ELP,用以提高汽车应用功率密度和能效。该器件不仅是业内首款鸥翼引线结构5mm x 6mm紧凑型PowerPAK® SO-8L封装器件,而且10V条件下其导通电阻仅为30mΩ,达到业内优异水平。JkNesmc
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据悉,这款汽车级MOSFET与最接近的DPAK和D2PAK封装竞品器件相比,导通电阻分别降低26%和46%,占位面积分别减小50%和76%。SQJ211ELP低导通电阻有助于降低导通功耗,从而节省能源,10V条件下优异的栅极电荷仅为45nC,减少栅极驱动损耗。JkNesmc
这款新型MOSFET可在+175℃高温下工作,满足反向极性保护、电池管理、高边负载开关和LED照明等汽车应用牢固性和可靠性要求。此外,SQJ211ELP鸥翼引线结构还有助于提高自动光学检测(AOI)功能,消除机械应力,提高板级可靠性。JkNesmc
SQJ211ELP现可提供样品并已实现量产,供货周期为14周。JkNesmc
1月28日,Vishay推出十款新型650V碳化硅(SiC)肖特基二极管。该器件采用混合PIN Schottky(MPS)结构设计,通过降低开关损耗提升高频应用能效,不受温度变化的影响—从而使二极管能够在更高的温度下工作。JkNesmc
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新发布的MPS二极管可屏蔽肖特基势垒产生的电场,减少漏电流,同时通过空穴注入提高浪涌电流能力。与硅肖特基器件相比,新型二极管处理电流相同的情况下,正向压降仅略有上升,坚固程度明显提高。JkNesmc
该器件适用于服务器、电信设备、UPS和太阳能逆变器等应用领域的功率因数校正(PFC)续流、升降压续流和LLC转换器输出整流,为设计人员实现系统优化提供高灵活性。二极管采用2L TO-220AC和TO-247AD 3L封装,额定电流为4A~40A,可在+175℃高温下工作。JkNesmc
目前,新型SiC二极管现可提供样品并已实现量产,供货周期为10周。JkNesmc
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从分销到原厂
国际电子商情《2024年度全球电子元器件分销商营收TOP50》(以下简称2024全球TOP50)发布,全球前十中大部分名次出现洗牌。2024全球TOP50中,大中华区分销商的业绩复苏明显,部分美洲、日本分销商的营收仍为负增长。此外,基于32家上市分销商近三年的营收、净利润,我们还进行了增长潜力指数排名……
搬起石头砸自己的脚。
得AI者得天下?
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BIS明确指出即使芯片在海外生产,若母公司或总部位于中国等“禁运国家”,仍受美国管控。这一规定是美国“长臂管辖”的体现,旨在从源头限制中国等国家获取先进算力芯片技术,阻碍相关国家半导体产业和人工智能等领域的发展。
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