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2月新品推荐:电源模块、IGBT单管、加速平台、热敏电阻、光电二极管

农历新春佳节已过,电子产业如期回归忙碌轨道。本月《国际电子商情》为业界推荐数款IC新品,分别应用于工业、汽车、服务器、AI边缘计算、可穿戴等领域。

电源模块

2月23日,Silicon Labs(芯科科技)推出全新的多合一隔离解决方案Si823Hx栅极驱动器板,可为最近发布的Wolfspeed WolfPACK™电源模块提供支持。Wolfspeed电源模块可用于众多电源应用,包括工业和汽车市场中的电动汽车(EV)充电器和电机驱动器。该板包含Si823Hx隔离栅极驱动器和集成了DC-DC转换器的Si88xx数字隔离器,可以紧凑且经济高效的设计提供卓越的性能,并针对各种模块进行了优化。9ckesmc

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据介绍,Si823Hx栅极驱动器板可高效地驱动和保护采用任何开关技术的电源模块,包括在要求最严苛的大功率应用中使用的先进碳化硅(SiC)模块。9ckesmc

通过在小型封装中内置死区时间控制和重叠保护功能,双通道Si823Hx隔离栅极驱动器提供了较大价值,其能够以较少的设计工作量来安全地驱动半桥拓扑。高度集成的Si88xx器件不仅可以将电源模块的温度传输给控制器,还可为板上电路提供所有电源,从而进一步降低成本和简化设计。9ckesmc

IGBT 单管

2月23日,英飞凌科技推出650V关断电压的CoolSiC™ Hybrid IGBT单管。新款器件结合了650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT及CoolSiC™肖特基势垒二极管的主要优点,具有出色的开关频率和更低的开关损耗,特别适用于DC-DC和功率因数校正(PFC)。其常见应用包括:电池充电基础设施、储能系统、光伏逆变器、不间断电源(UPS),以及服务器和电信开关电源(SMPS)。9ckesmc

由于IGBT反并联SiC肖特基势垒二极管,在dv/dt和di/dt值几乎不变下,CoolSiC™ Hybrid IGBT能大幅降低开关损耗。与标准的Si二极管解决方案相比,新产品可降低多达60%的Eon和30%的Eoff。也可在输出功率保持不变下,开关频率提高至少40%。较高的开关频率有助于减小无源器件的尺寸,进而降低物料成本。该Hybrid IGBT可直接替代TRENCHSTOP™ 5 IGBT,无需重新设计,便能使每10kHz开关频率提升0.1%的效率。9ckesmc

此产品系列可作为全Si解决方案和高效能SiC MOSFET设计之间的衔接,与全Si设计相比,Hybrid IGBT可提升电磁兼容性和系统可靠性。由于SiC肖特基势垒二极管的单极性特性,使二极管能快速开关,而不会有严重的振荡和寄生导通的风险。此系列提供TO-247-3或TO-247-4引脚的Kelvin Emitter封装供客户选择。Kelvin Emitter封装的第四引脚可实现超低电感的栅极发射极控制回路,并降低总开关损耗。9ckesmc

AI深度学习加速平台

2月2日,凌华科技推出高度紧凑且支持GPU的全新DLAPx86系列深度学习加速平台,是目前市场上较为紧凑的GPU深入学习加速平台。DLAPx86系列可用于部署边缘处的大规模深度学习,采集边缘产生的数据并采取行动。DLAPx86系列针对大规模边缘AI布署所设计,可将深度学习带进终端,拉近与现场资料、现场决策应变的距离。该平台的优化配置可加速需要大量内存的计算密集型AI推理和任务学习,助力各行业应用的AI部署。9ckesmc

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DLAPx86系列优势:(1)高性能异构架构——采用Intel®处理器和NVIDIA Turing™ GPU架构,提供比其他技术更高的GPU加速运算以及优化的每瓦效能和每单位投资效能。(2)DLAPx86系列的最小体积仅为3.2升,是移动医疗成像设备等紧凑型移动设备和仪器的理想选择。(3)DLAPx86系列采用坚固耐用型设计,可承受高达50摄氏度/240瓦特的散热温度及2Grms的振动强度,并提供高达30Grms的防震保护,具备工业、制造业和医疗环境所需的可靠性。9ckesmc

DLAPx86在边缘AI应用中在效能、体积、重量、功耗等设计取得平衡,将每瓦效能、每单位投资效能极大化,应用案例包括:9ckesmc

  • 移动医疗成像设备:C型臂、内窥镜系统、手术导航系统
  • 制造生产:对象识别、机器人拾取和放置、质量检验
  • 用于知识迁移的边缘AI服务器:结合预训练AI模型与本地数据集

热敏电阻

2月18日,Vishay推出新款符合AEC-Q200标准的NTC热敏电阻——NTCLE350E4,采用PEEK绝缘镍铁(NiFe)合金引线,热梯度低。而且其热敏电阻耐高温达+185℃,适合各种汽车应用快速、高精度温度检测。9ckesmc

NiFe合金NTCLE350E4传感器导线导热性目前在市场上最低。因此,器件热梯度小于0.01K/K(或1%),几乎不向周围环境散发热量,可进行高精度温测,优于铜等其他导线材料几个度量级。为加强高湿度条件下的可靠性,传感器PEEK绝缘引线与封装环氧树脂之间具有高粘合强度。NTC检测芯子最大直径为2.4mm,空气中快速响应时间为6秒。9ckesmc

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NTCLE350E4具有高精度、快速响应和耐高温能力,适用于内燃发动机冷却液、燃料、歧管气体压力(MAP / TMAP)传感器,以及暖通空调(HVAC)应用。在电力牵引电机中,器件可灌封或模压到传感器中,保护大电流连接器。除废气再循环(EGR)应用外,NTCLE350E4还可以用作变速箱系统和液冷起动发电机系统的油温传感器(OTS)。9ckesmc

目前,NTCLE350E4现可提供样品并已实现量产,供货周期为12周。9ckesmc

光电二极管

2月19日,Vishay推出新款可见红外高感光度高速硅PIN光电二极管——VEMD8081,扩充光电二极管产品组合。该器件采用矩形4.8mm x 2.5mm顶视表面贴封装,厚度薄至0.48mm,典型反向光电流为33µA,提高可穿戴设备和医疗应用生物传感器性能。9ckesmc

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VEMD8081在相同封装尺寸条件下,反向光电流比其前身VEMD8080大15%,为设计人员提供直接替代器件,增加信号输出提高性能,或减小LED电流延长电池寿命。9ckesmc

VEMD8081位于两个绿色脉动LED之间,可在运动追踪器和智能手表等可穿戴设备中进行心率检测。光电二极管接收皮肤反射回来的光,将其转换为输出电流,器件提高了灵敏度,可进行更精确的测量。VEMD8081矩形形状最大化光电二极管感光区,消除一般正方形光电二极管浪费的面积。结合红光和红外发射器,器件适用于医疗监护仪的SpO2测量。9ckesmc

目前VEMD8081现可提供样品并已实现量产,供货周期为10周。9ckesmc

责任编辑:Momo9ckesmc

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