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4月新品推荐:智能模块、传感器、nvSRAM、MEMS麦克风、MOSFET

本月将推荐8款上新产品,包括控制模块、SiC智能功率模块、控制器IC、TMR传感器IC、红外传感器、nvSRAM、MEMS麦克风、MOSFET,多应用在智能工厂、航天航空、汽车及车舱、智能硬件等领域。

运动控制和触发模块

4月14日,凌华科技推出两款全新EtherCAT模块—— ECAT-4XMO运动控制和触发模块,以及ECAT-TRG4触发模块,适用于凌华科技6通道EU系列数字I/O设备。由此,EU从站系列产品线得以完美补足,可提升自动组装、测试和检查设备的性能,如手机玻璃屏检测、电池组装、相机镜头组装和测试、点胶设备和检查设备等。9iFesmc

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ECAT-4XMO运动控制和触发模块是一款4通道控制和高速触发模块,可连接至EtherCAT或非EtherCAT电机,包括步进电机、线性电机、直流驱动电机及交流电机。ECAT-4XMO的高级功能包括高精度运动插补、连续轨迹规划、轴同步、以Point Table定位进行电路限制和2D补偿。9iFesmc

ECAT-TRG4的卓越性能则包括高速位置比较触发器(4通道,10MHz线性/表格)、脉冲输出(12MHz)、编码输入(20MHz),并支持编码器信号中继器操作。ECAT-TRG4还具备灵活的扩展接口,可轻松连接摄像头和气枪。在测试应用中,EtherCAT系统可节省高达10%的总体拥有成本(TCO),并提高30%的生产率。9iFesmc

SiC智能功率模块

4月27日,CISSOID推出了一种基于轻质AlSiC平板基板(Flat Baseplate)的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块(IPM),以满足航空和其他特殊工业应用中针对自然空气对流或背板冷却的需求。此项高温芯片和模块技术平台亦将大力推动电动汽车动力总成系统(电机、电控及变速箱)的深度整合,以使其体积、重量及相应成本大幅降低,并实现最佳能源效率。9iFesmc

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CISSOID的IPM技术平台可迅速适应新的电压、功率和冷却要求,极大地加速了基于SiC的功率转换器的设计,从而实现了高效率和高功率密度。嵌入式栅级驱动器解决了与快速开关SiC晶体管有关的多个挑战:例如用负驱动和有源米勒钳位(AMC)来防止寄生导通;去饱和检测(DeSAT)和软关断(SSD)可以快速且安全地应对短路事件。栅极驱动器上的欠压锁定(UVLO)和DC总线电压监视系统以确保正常运行,等等。9iFesmc

新的风冷模块 (CMT-PLA3SB340AA和CMT-PLA3SB340CA) 系专为无法使用液体冷却的应用而设计,例如航空机电执行器和功率转换器等等。该模块的额定阻断电压为1200V,最大连续电流为340A;导通电阻仅有3.25mΩ,而开关损耗仅为分别为8.42mJ和7.05mJ(在600V 300A条件下)。该功率模块的额定结温为175℃,而栅极驱动器的额定环境温度为125℃,通过AlSiC扁平底板冷却,热阻较低、耐热性强。9iFesmc

4功率因数校正控制器IC

4月13日,Power Integrations推出内含Qspeed™低反向恢复电荷(Qrr)升压二极管的HiperPFS™-4功率因数校正(PFC)控制器IC。该组合可以为75W至400W的PC、电视机和类似应用提供超过98%的满载效率。9iFesmc

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PI介绍称,使用HiperPFS-4 IC的设计在整个负载范围内表现出极高的效率,在230VAC下的空载功耗仅为36mW。HiperPFS-4产品系列不仅非常适合PC和电视机应用,而且也适用于电池充电器、电动工具、工业电源和LED照明。HiperPFS-4 IC中集成的有源器件的额定电压为600V,从而可以轻松满足常用的80%降额规范。9iFesmc

HiperPFS-4 IC将连续导通模式(CCM) PFC控制电路、升压二极管和600V MOSFET集成在一个器件中。通过加入升压二极管,减少了散热片的安装,从而使设计更简单,温升性能更佳。而且,将Qspeed二极管集成在IC内部可以将走线上的寄生电感最小化,进而在交流输入发生浪涌的情况下具有更高的可靠性,功率开关在瞬态期间其两端呈现的电压尖峰最多可降低50V。因此,当采用385VDC的恒压母线供电时,集成的600V MOSFET能够轻松满足80%的降额要求。9iFesmc

HiperPFS-4 IC可以在20%以上负载时实现大于0.95的功率因数。Qspeed升压二极管针对连续导通模式PFC操作进行了优化,具有非常低的反向恢复损耗,其性能接近碳化硅器件,却不会带来成本的增加。目前,4功率因数校正(PFC)控制器IC现已开始批量供货。9iFesmc

TMR传感器IC

艾普凌科有限公司(ABLIC)推出了“S-5701 B系列”表面贴装隧道磁阻(TMR)传感器IC,这款磁传感器IC具有超低电流消耗、高磁灵敏度、长寿命的特点,工作电流消耗仅为160nA。它具有高灵敏度和超低电流消耗(160nA)的特点,使其成为一款解决传统磁簧开关局限性的创新产品。9iFesmc

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S-5701 B系列使用3.3V电源电压时,IC的平均电流消耗为160nA,约为普通AMR IC电流消耗的六分之一。其工作电压范围:1.7至5.5V,工作温度范围为-40至125℃,可满足广泛的工作环境要求。同时采用超薄TSOT-23-3S封装,可提供BOP = 1.0mT的高磁灵敏度产品。9iFesmc

据悉,窗户开关传感器、电子钥匙、烟雾探测器,煤气表、水表、智能电表等应用都可食用该IC产品。9iFesmc

室外用红外传感器模块

4月26日,Vishay宣布,其Heimdall封装的TSSP77038红外(IR)传感器模块新增扩展温度“E”选项的装置——TSSP77038ETR。由于该器件采用牢固的Heimdall封装设计,可在更宽的温度范围下工作,储存温度扩展至-40 ℃至+110 ℃,工作温度扩展至-30 ℃至+85℃,专门满足户外应用的特殊要求,包括车库门光栅系统、门锁以及包装和垃圾箱传感器。9iFesmc

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与Vishay的TSAL6200红外发射管配合使用,50 mA正向电流下,TSSP77038ETR检测距离达8 m。该装置适合探测物体距离,可用于玩具、遥控飞机和机器人,还可用作反射式传感器,用于干手机、毛巾或肥皂盒、自动水龙头、卫生间、自动售货机落物探测以及安全门和宠物出入门。9iFesmc

传感器模块可接收峰值波长为940 nm的发射器的红外脉冲,工作电压2.5 V~5.5 V,供电电流低至0.7 mA,对38 kHz载波频率敏感。器件对电源电压纹波噪声不敏感,可屏蔽EMI,日光滤光片可抑制可见光。传感器模块符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素。9iFesmc

目前,TSSP77038ETR现可提供样品并已实现量产,供货周期为8周。9iFesmc

nvSRAM

4月1日,英飞凌科技旗下的Infineon Technologies LLC宣布推出第二代非易失性静态RAM(nvSRAM)。新一代器件已通过QML-Q和高可靠性工业规格的认证,支持苛刻环境下的非易失性代码存储和数据记录应用,包括航天和工业应用。9iFesmc

256Kb STK14C88C和1Mb STK14CA8C nvSRAM采用32引脚300mil双列直插式陶瓷封装,符合MIL-PRF-38535 QML-Q规格(-55℃至125℃)和英飞凌的工业标准(-40℃至85℃)。5V和3V版本均支持用于航天、通信和导航系统以及工业高炉和铁路控制系统的引导代码、数据记录和校准数据存储。英飞凌还提供晶圆销售,以支持封装系统。9iFesmc

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MEMS麦克风

4月21日,英飞凌科技推出XENSIV™ IM67D130A。这款新器件结合了英飞凌在汽车行业的专业知识与高端MEMS麦克风的领先技术,可满足汽车应用对高性能、低噪声MEMS麦克风的需求。XENSIV™ IM67D130A是市场上首款通过汽车应用认证的麦克风,这将有助于简化设计工作,并降低认证失败的风险。9iFesmc

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该麦克风的工作温度范围从-40℃到+105℃,可适用于各种恶劣的汽车环境。该产品具有130 dB SPL的高声学过载点(AOP),可以在嘈杂的环境中捕获无失真的音频信号。因此,IM67D130A很适合车舱应用,例如免提系统、紧急呼叫、舱内通信和主动降噪(ANC)。不仅如此,该产品也非常适合汽车外部应用,例如警笛或路况检测。上述特征使得该产品作为辅助传感器,用于高级驾驶辅助系统和预测性维护。9iFesmc

将67 dB的高信噪比(SNR)与超低失真相结合,该麦克风可为语音识别应用提供最佳的语音质量和出色的语音交互智能。此外,该产品还具有紧凑的灵敏度匹配,可为多麦克风阵列提供优化的波束形成算法。XENSIV MEMS麦克风IM67D130A完全符合AEC-Q103-003汽车应用标准。9iFesmc

MOSFET

4月7日,Vishay推出通过AEC-Q101认证、全球先进的p沟道80V TrenchFET® MOSFET——SQJA81EP。新型器件导通电阻达到80Vp沟道器件优异水平,可提高汽车应用功率密度和能效。并且采用欧翼引线结构5.13mm x 6.15mm PowerPAK® SO-8L小型单体封装,10V条件下最大导通电阻仅为17.3mW /典型值为14.3mW。9iFesmc

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日前发布的汽车级MOSFET导通电阻比最接近的DPAK封装竞品器件低2 %,比前代解决方案低31%,占位面积减小50%,有助于降低导通功耗,节省能源,同时增加功率密度提高输出。SQJA81EP 10 V条件下优异的栅极电荷仅为52nC,减少栅极驱动损耗,栅极电荷与导通电阻乘积,即用于功率转换应用的MOSFET优值系数(FOM)达到业界出色水平。9iFesmc

该新器件可在+175℃高温下工作,满足反向极性保护、电池管理、高边负载开关和LED照明等汽车应用牢固性和可靠性要求。此外,SQJA81EP鸥翼引线结构还有助于提高自动光学检测(AOI)功能,消除机械应力,提高板级可靠性。9iFesmc

SQJA81EP现可提供样品并已实现量产,供货周期为14周。9iFesmc

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