据市调机构TrendForce调查显示，DRAM价格自Q1正式反转向上后，需求端为避免陷入后续价格更高及货源不足的情况，于Q2加大采购力道。除了笔电持续受惠于远距办公与教学使动能稳健外；云端服务器业者的备库存需求亦逐步回温。此外，较为利基的产品如graphics DRAM与consumer DRAM拉货力道亦十分强劲，使Q2各家DRAM供应商的出货成长幅度均优于预期。DRAM报价方面，涨幅则较Q1扩大，在出货量与报价同步走升的情况下，带动原厂的营收均较Q1明显进步，推升Q2整体DRAM总产值达241亿美元，季增26%。0vSesmc
时序进入Q3，供应链长短料问题已逐渐浮出台面，并影响到终端产品的组装，故已有部分厂商对于相对长料的存储器开始出现减少拉货的规划，其中以笔电厂商的态度最为明显。因此，尽管目前原厂仍多半对于整体市况维持正面看法，但随着买方DRAM库存持续处于高档，部分产品Q3的拉货成长恐将趋缓。该机构预期，Q3在原厂力守涨价的情势下，平均合约价仍将上扬，惟涨幅收敛至3~8%。0vSesmc
DRAM价大幅走扬、先进制程比重拉升，原厂Q2获利水平有明显进步
以营收表现来看，三大DRAM原厂的表现相当一致，出货量与平均销售单价同样呈现量价齐扬走势，且出货增幅均优于预期。除了报价上涨会激励采购备货意愿，加上今年来各种缺料问题频传，更加强化买方提前备货心态，以避免成为终端产品组装中的瓶颈。因此，三星（Samsung）、SK海力士（SK hynix）及美光（Micron）的营收涨幅均超过两成，且前三名中以三星30.2%的成长率跃升最为明显。而Q3由于三大原厂DRAM报价仍将持续走扬，出货成长幅度亦相当，估计市占的变化不会太大。0vSesmc
以获利表现来看，受到报价大幅上涨，加上先进制程的比重逐渐拉升助力，Q2获利增长幅度显著。三星由于Q1正值1Znm量产初期，良率较低，至Q2已正式放量生产，带动其营业利益率由34%一举提升至46%；SK海力士同样因新制程良率提升使获利提升至38%；而美光本次财报季区间（3~5月）报价涨幅约略等同于韩厂，其营业利益率亦由上季的26%上升至37%。预估Q3在量价齐扬的情况下，原厂获利将持续上扬，而龙头厂三星的营业利益率将可望站上50%，回到近三年前的水平。0vSesmc
Specialty DRAM热度延续到Q2，台系厂商业绩表现不俗
台厂方面，Q2受惠于specialty DRAM报价涨幅依旧维持高档，客户积极抢货的情况并无降温，大幅推升台厂营收表现。南亚科（Nanya Tech）受到报价大涨约三成的带动，Q2营收季增约28%，而营业利益率由Q1的17.1%上升至31.2%，且业者强调Q3仍持续看升；华邦（Winbond）整体订单需求仍十分强劲，DRAM的Q2报价涨幅更甚NAND Flash，不仅带动DRAM营收较上季成长39%，也使其DRAM业务占总营收比重上升至46%。0vSesmc
值得注意的是，上述两家台厂目前仍面临产能不足的情形，在新厂完工前已无多余空间再增添机台设备，因此短时间的业绩成长仅能仰赖报价走扬。南亚科需待2024年新厂完工才可加入投产，短时间仅有先进制程1A/1Bnm的转进带来些微的位元增长；华邦亦需等到2022年下半年高雄路竹厂加入量产后，才有机会舒缓产能不足；力积电（PSMC）营收仅计自家生产之标准型DRAM产品，不包含DRAM代工业务，DRAM营收Q2成长约7%，不过若加计代工营收，成长则达到19%，且同样面临产能有限状况，需在逻辑IC与存储器产品之间作取舍。0vSesmc
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