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3月新品推荐:SoC、驱动器芯片、IGBT、碳化硅MOSFET

进入3月,海内外半导体厂商密集推出新产品,热闹非凡。仅ESMC分析师团队收到的原厂最新产品信息就有近20款,其他优秀的电子组件、解决方案更是不胜枚举。我们相信这将是半导体产业稳步复苏的信号之一,而这些新品集中覆盖的汽车、工业控制、服务器、消费电子等多个应用领域,有望成为全年增速明显的市场方向。以下主要介绍8款新品:

驱动器芯片

3月28日,英飞凌科技推出了新一代EiceDRIVER 2EDN栅极驱动器芯片系列。新器件是对现有2EDN驱动器芯片产品线的补充,可减少外接组件的数量,并节省设计空间,从而实现更高的系统效率、卓越的功率密度和持续的系统稳健性。随着新产品的推出,2EDN系列驱动器芯片可广泛应用于服务器、电信设备、DC-DC转换器、工业SMPS、电动汽车充电桩、电机控制、低速轻型电动汽车、电动工具、LED照明和太阳能系统等应用中,提升功率开关器件的性能。lpSesmc

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新一代EiceDRIVER 2EDN驱动器芯片系列包括稳定可靠的双通道低边4A/5A栅极驱动器IC。它不仅适用于高速功率MOSFET,还适用于基于宽禁带(WBG)材料的开关器件。这些栅极驱动器可以助力工程师满足不同封装尺寸的设计要求,确保系统在进入欠压闭锁(UVLO)状态之前安全关断,并加快UVLO功能的响应速度,从而确保系统的稳定运行,增强抗干扰能力。lpSesmc

新一代EiceDRIVER 2EDN驱动器芯片系列共有14款器件,采用了各种不同的封装形式。除了可兼容、可替代互换的8引脚DSO、TSSOP和WSON封装之外,英飞凌现在还提供超小尺寸的6引脚SOT23封装(2.8x2.9mm2)和TSNP封装(1.1x1.5mm2)。SOT23和TSNP封装取消了不常使用的使能(EN)信号,因而能够有效节省空间、优化系统设计,从而提高功率密度,并提升板上温度循环(TCoB)的稳健性。lpSesmc

CDR发射芯片

Semtech推出全新的Tri-Edge GN2555和GN2556芯片。新产品是Semtech Tri-Edge时钟和数据恢复(CDR)集成激光驱动器的芯片组,是专为下一代数据中心长距离(LR)光链路传输打造的电芯片解决方案。lpSesmc

GN2555是一款集成直接调制激光(DML)驱动器的四通道50G PAM4 CDR,而GN2556是一款内置外部调制激光(EML)驱动器的四通道50G PAM4 CDR。GN2555和GN2556完全符合IEEE 802.3bs和Open Eye MSA标准协议和规范。据介绍,新产品是基于Semtech的Tri-Edge PAM4 CDR技术研发的,该模拟CDR技术是一种可靠且经过验证的数据中心光模块电芯片解决方案。CDR与激光驱动器的集成,为光模块客户提供了更低的功耗、更小的尺寸和更低的成本。此外,GN2555 DML驱动器和GN2556 EML驱动器独有的激光补偿专利技术,可以为数据中心互连带来更多的低成本激光器选择。lpSesmc

SoC

Microchip Technology(美国微芯科技公司)通过旗下子公司冠捷半导体(SST)宣布,其SuperFlash memBrain神经形态存储器解决方案为知存科技(WITINMEM)神经处理SoC解决了这一难题。这是首款批量生产的SoC,可使亚毫安级系统在开机后立即实时降低语音噪音并识别数以百计的指令词。lpSesmc

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Microchip与知存科技合作,将Microchip基于SuperFlash技术的memBrain模拟内存计算解决方案整合到知存科技的超低功耗SoC中。该SoC采用用于神经网络处理的存算一体技术,包括语音识别、声纹识别、深度语音降噪、场景检测和健康状态监测。知存科技目前正在与多个客户合作,将在2022年向市场推出基于该SoC的产品。lpSesmc

转换器

3月25日,Teledyne e2v推出经太空认证的EV12AQ600,这是其拥有QML-Y太空认证的高性能产品组合中的四核多通道ADC。lpSesmc

EV12AQ600是一款QML-Y高速模数转换器。它支持高达6.4GSP的采样率,这也是世界上用于太空应用的最高采样率之一。它有7GHz的模拟带宽和许多优秀性能,比如可以将ADC从1个通道转换为4个通道的交叉点开关,采样延迟调整,以及简单的多芯片同步功能。它已经成功地通过了高达150Krad的辐射测试,实现宇航认证。lpSesmc

据介绍,由于EV12AQ600 ADC中嵌入的功能,航天系统制造商将能够简化其设计,减少其电路板上的组件数量,并受益于独特的四输入开关的灵活性。再加上可靠的辐射性能,这将减小尺寸、重量和功率(SWaP)并提高下一代太空系统的可重构性,从而产生重大影响。lpSesmc

IGBT

3月21日,英飞凌科技推出采用TO247PLUS封装的全新EDT2 IGBT。该器件专门针对分立式汽车牵引逆变器进行了优化,进一步丰富了英飞凌车规级分立式高压器件的产品阵容。得益于其出色的品质,EDT2 IGBT符合并超越了车规级半导体分立器件应力测试标准AECQ101,因而能够大幅提升逆变器系统的性能和可靠性。该IGBT采用汽车级微沟槽场中止单元设计,所用技术已成功应用于EasyPACK 2B EDT2和HybridPACK等多款逆变器模块。lpSesmc

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为了满足目标应用的要求,英飞凌新推出的EDT2 IGBT产品系列具备出色的抗短路能力。此外,它所采用的TO247PLUS封装具有更大的爬电距离,更有利于进行系统设计。同时,EDT2技术专门针对牵引逆变器进行了优化,击穿电压为750V,可支持高达470 VDC的电池电压,并显著降低开关和导通损耗。lpSesmc

碳化硅MOSFET

Microchip(微芯科技)宣布扩大其碳化硅产品组合,推出业界导通电阻【RDS(on)】最低的3.3kV碳化硅MOSFET和额定电流最高的碳化硅SBD,让设计人员可以充分利用其耐用性、可靠性和性能。Microchip扩大的碳化硅产品组合为电气化交通、可再生能源、航空航天和工业应用的设计人员开发更小、更轻和更高效的解决方案提供了便利。lpSesmc

许多基于硅的设计在提高效率、降低系统成本和应用创新方面已经达到极限。虽然高压碳化硅为实现这些目标提供了一种有效的替代方案,但到目前为止,3.3 kV碳化硅功率器件的市场供应仍然有限。Microchip已能提供700V、1200V和1700V裸片、分立器件、模块和数字栅极驱动器等碳化硅解决方案, 3.3 kV MOSFET和SBD的加入使这一系列解决方案更加丰富。lpSesmc

Microchip的3.3 kV碳化硅功率器件包括业界最低导通电阻为25毫欧(mOhm)的MOSFET和业界最高额定电流为90安培的SBD。MOSFET和SBD均提供裸片或封装形式。这些更强的性能水平能够帮助设计人员简化设计,创建功率更高的系统,并使用更少的并联元件来实现更小、更轻和更高效的电源解决方案。lpSesmc

电阻器

3月28日,Vishay推出0805外形尺寸小型器件,扩充其TNPV e3系列汽车级高压薄膜扁平片式电阻器。该是业内先进的0805外形尺寸小型器件,工作电压达450V,公差低至± 0.1%,TCR仅为±10 ppm/K。lpSesmc

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TNPV0805 e3体积小、电压高,可替换较大封装的电阻和多个相似外形尺寸的器件,且不影响精度,减少元件数量,节省电路板空间,降低成本。器件经过AEC-Q200认证,典型应用包括汽车和工业逆变器电压测量、电池管理系统分压器、车载充电器以及测试测量设备。lpSesmc

TNPV e3系列电阻外形尺寸分别为0805、1206和1210,阻值为121k至3.01M,工作温度-55℃至+155℃、最大外形尺寸器件工作电压最高可达1000 V。电阻在各种环境条件下非常稳定可靠,额定功率和+70℃环境温度下,1000小时最大电阻变化率≤0.05%,具有优异的防潮性(85℃,85%相对湿度),耐硫能力符合ASTM B 80规定。lpSesmc

电感器

3月2日,Vishay推出新型商用版汽车级5mm x 5mm x 3.4mm 2020外形尺寸器件——IHLE-2020CD-51和IHLE-2020CD-5A,扩充IHLE系列超薄、大电流电感器,其集成式电场屏蔽可减小EMI。新产品外型尺寸在市场上同类器件中处于先进水平,不需要单独板级法拉第(Faraday)屏蔽,从而降低成本,节省电路板空间。lpSesmc

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该电感器采用铜镀锡集成式屏蔽罩遏制EMI产生的电场和磁场,集成式屏蔽罩接地时,1cm处(电感器中心位置上方)电场可减小-20 dB。电感器可在+155℃高温下工作,4个引脚共面性小于100µm,适用于DC/DC转换器储能,频率最高可达3MHz,在电感器自谐振频率(SRF)范围内大电流滤波应用中具有出色的噪音衰减性能。lpSesmc

IHLE-2020CD-51应用领域包括服务器和桌面PC、笔记本电脑、大电流负载点(POL)转换器、小型大电流电源、FPGA以及电池供电设备。IHLE-2020CD-5A通过AEC-Q200认证,适用于汽车发动机和传动控制单元、娱乐/导航系统、LED驱动器、仪表盘、ADAS器件/传感器、PWM控制电机噪声抑制。lpSesmc

电感器封装采用100%无铅(Pb)屏蔽复合结构,噪声减小到极低水平,具有高抗热冲击、耐潮湿和抗机械振动能力,可无饱和处理高瞬变电流尖峰。IHLE-2020CD-5和IHLE-2020CD-5A符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素。lpSesmc

责编:Momoz
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