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央视:我国科学家在下一代光电芯片制造领域获重大突破

央视:我国科学家在下一代光电芯片制造领域获重大突破

据央视新闻报道,9月14日晚,国际顶级学术期刊《自然》发表了我国科学家在下一代光电芯片制造领域的重大突破。

国际电子商情15日从央视新闻获悉,9月14日晚,国际顶级学术期刊《自然》发表了我国科学家在下一代光电芯片制造领域的重大突破。cgnesmc

报道称,南京大学张勇、肖敏、祝世宁领衔的科研团队,发明了一种新型“非互易飞秒激光极化铁电畴”技术,将飞秒脉冲激光聚焦于材料“铌酸锂”的晶体内部,通过控制激光移动的方向,在晶体内部形成有效电场,实现三维结构的直写和擦除。cgnesmc

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图自央视新闻cgnesmc

这一新技术,突破了传统飞秒激光的光衍射极限,把光雕刻铌酸锂三维结构的尺寸,从传统的1微米量级(相当于头发丝的五十分之一),首次缩小到纳米级,达到30纳米,大大提高了加工精度。cgnesmc

这一重大发明,未来或可开辟光电芯片制造新赛道,有望用于光电调制器、声学滤波器、非易失铁电存储器等关键光电器件芯片制备,在5G/6G通讯、光计算、人工智能等领域有广泛的应用前景。‍cgnesmc

责编:Elaine
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