预计闪存将占据资本支出的最大份额，而DRAM资本支出今年以最高的速度增长，未来3D NAND闪存市场需求过高的风险很高并且不断增长......

NAND Flash市场第三季，智能手机、笔记本电脑等主要消费性产品出货量的季度成长有限，加上模组厂库存水位高，供过于求态势将延续，使得各产品合约价第三季继续下探，NAND Flash价格平均跌幅预估将近10%......

DRAMeXchange调查显示，2018年Q2由于供给吃紧情况延续，带动整体DRAM报价走扬，DRAM营收较上季成长11.3%，再创新高…

海力士将在公司总部韩国兴建新的半导体制造工厂，将在2018年底动工、预计于2020年10月完工，投资金额为3.5万亿韩元(相当于31亿美元)......

存储器市场DRAM持续稳健发展，价格平稳或小涨；NAND Flash则因供过于求，价格缓跌。外界预期DRAM市场第3季将可喜迎旺季......

拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND，指该芯片具备市场上最高闸极堆栈的产品......

6月5日晚间，位于无锡的SK海力士工厂突然发生火灾。

中国反垄断机构启动了对于三星、海力士、美光三家企业的调查，内容可能涉及三家厂商在近年来DRAM(内存)市场的价格飞涨以及业界反映的产品搭售问题......

2018年第一季随着需求进入淡季循环，促使价格向下修正，第一季NAND Flash品牌厂营收季减3%；第二季市场仍处于小幅供过于求的状态......

第一季受到智能手机市场回温、新机发表，以及行动式内存平均单价上涨的影响，全球行动式内存产值来到84.35亿美元，较去年第四季提升约5.3%，再度刷新历史记录......

全球前五大半导体供应商的销售额市场占有率总和，在2017年总计占据了整体市场的约43%；该数字与十年前相较增加了10%......

SK海力士预计在近3个月开始量产GDDR6存储器模块，使用GDDR6存储器设计的英伟达显示卡很有可能也即将问世......

路透社1月15日报道，经历长达一年半时间的猛涨后，部分存储芯片的价格陡然下跌，之后韩国三星电子公布的第四季度获利预估令人失望，让那些押注芯片荣景会至少再持续一年的投资者感到紧张，担心2018年的快闪存储器价格恐有崩跌的危机。

随着东芝、三星、英特尔、长江存储等都将扩增NAND Flash产能，对NAND Flash产业的影响将在2019年转趋明显，并使得整体产业可望呈现供过于求状况......

由于芯片需求强劲、内存定价居高不下、市场竞争激烈等因素持续带动晶圆厂投资向上攀升，许多业者都以前所未见的手笔投资新建晶圆厂与相关设备。

据报道，中国经济监管机构密切关注手机存储芯片近期价格飙升势头，或将调查潜在的公司价格操纵行为，且已就此问题约谈三星。业内人士猜测几大寡头之间存在价格联盟，毕竟这一价格联盟在2000年期间曾经出现，后被美国司法部处以7.3亿美元罚款，怀疑三星、海力士等公司是否在故技重施......