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SK海力士或向NVIDIA供应HBM3 DRAM新内存,附HBM3标准细节

据存储芯片制造商称,英伟达最近完成了对 SK 海力士 HBM3 样品的性能评估。SK 海力士将为预计于 2022 年第三季度开始出货的 NVIDIA 系统提供 HBM3。

据存储芯片制造商称,英伟达最近完成了对 SK 海力士 HBM3 样品的性能评估。SK 海力士将为预计于 2022 年第三季度开始出货的 NVIDIA 系统提供 HBM3。Uxgesmc

SK 海力士还透露,在 10 月份宣布开发此类内存约七个月后,它已开始大规模生产 HBM3。Uxgesmc

SK 海力士表示,NVIDIA的 H100 是世界上最大、最强大的加速器,并补充说其 HBM3 有望以高达 819GB/s 的内存带宽提高加速计算性能。Uxgesmc

SK 海力士总裁兼首席营销官 Kevin (Jongwon) Noh 在一份声明中表示:“公司通过与英伟达的密切合作,在高端 DRAM 市场确保了一流的竞争力。我们的目标是成为深入了解和解决客户问题的解决方案提供商。”通过持续的开放合作来满足需求。”Uxgesmc

Uxgesmc

SK海力士HBM3内存Uxgesmc

HBM3内存标准Uxgesmc

JEDEC发布的HBM3高带宽内存标准,相比HBM2和HBM2e标准有大幅的提升。Uxgesmc

JEDEC表示,HBM3是一种创新的方法,是更高带宽、更低功耗和单位面积容量的解决方案,对于高数据处理速率要求的应用场景来说至关重要,比如图形处理和高性能计算的服务器。新一代HBM3内存主要属性包括:Uxgesmc

  • 将经过验证的HBM2架构扩展到更高的带宽,将HBM2的每引脚数据速率提高一倍,并定义高达6.4 Gb/s的数据传输速率,相当于819GB/s。
  • 将独立通道的数量从HBM2的8个增加到16个,每个通道有两个伪通道,HBM3实际上支持32个通道。
  • 支持4层、8层和12层TSV堆栈,并为未来扩展至16层TSV堆栈做好准备。
  • 支持单层8Gb到32Gb的存储密度,意味着容量从4GB(4层8Gb)到64GB(16层32Gb),预计第一代HBM3设备将基于单层16Gb。
  • 为了满足市场对高级平台RAS(可靠性、可用性、可维护性)的需求,HBM3引入了片上纠错技术(ECC),以及实时错误报告和透明度。
  • 通过在主机接口上使用低摆幅(0.4V)信号和较低 (1.1V)工作电压来提高能效。

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SK海力士是对于HBM内存的研发一直非常积极,早在2021年6月份就展示了第一款HBM3内存,提供了665 GB/s的带宽。随后在2021年10月份,SK海力士已宣布成功开发出了HBM3内存,成为全球首家开发出新一代HBM内存的公司。Uxgesmc

责编:EditorDan
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