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三星开始生产3nm工艺芯片,采用GAA架构,性能功耗比大幅提升

三星电子宣布已开始其 3nm 工艺节点的初始芯片生产,该节点采用环栅 (GAA) 晶体管架构。三星首次实施的 GAA 技术多桥 C 通道 FET (MBCFET) 突破了 FinFET 的性能限制,通过降低电源电压水平来提高功率效率,同时通过增加驱动电流能力来提高性能,韩国表示科技公司。

三星电子宣布已开始其 3nm 工艺节点的初始芯片生产,该节点采用环栅 (GAA) 晶体管架构。三星首次实施的 GAA 技术多桥 C 通道 FET (MBCFET) 突破了 FinFET 的性能限制,通过降低电源电压水平来提高功率效率,同时通过增加驱动电流能力来提高性能,韩国表示科技公司。UnMesmc

三星表示,它正在开始将纳米片晶体管与半导体芯片一起用于高性能、低功耗计算应用,并计划扩展到移动处理器。UnMesmc

“随着我们在将下一代技术应用于制造业(例如代工行业的第一个高 K 金属栅极、FinFET 以及 EUV)方面继续展示领先地位,三星迅速发展。我们寻求通过世界上第一个 3nm 工艺继续保持这种领先地位与 MBCFET 合作,”三星电子总裁兼代工业务负责人 Siyoung Choi 表示。“我们将继续在有竞争力的技术开发中积极创新,并建立有助于加速实现技术成熟的流程。”UnMesmc

最大化 PPA 的设计技术优化

三星表示,其专有技术使用具有更宽通道的纳米片,与使用具有更窄通道的纳米线的 GAA 技术相比,可以实现更高的性能和更高的能源效率。利用 3nm GAA 技术,三星将能够调整纳米片的通道宽度,以优化功耗和性能,以满足各种客户需求。UnMesmc

此外,GAA 的设计灵活性对于设计技术协同优化 (DTCO) 非常有利,有助于提升功耗、性能、面积 (PPA) 优势。与5nm工艺相比,第一代3nm工艺相比5nm可以降低高达45%的功耗,提升23%的性能,减少16%的面积,而第二代3nm工艺是为了降低功耗高达到 50%,性能提高 30%,面积减少 35%,三星表示。UnMesmc

责编:EditorDan
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