半导体晶圆厂全球布局及产能盘点（上）

日前，中国海关总署将“集成电路”原产地认定改为了流片地，一度引发了半导体行业从业者的关注。这意味着，在美国流片的芯片无法再通过第三国封装转口至中国来避税。若流片环节在中国大陆地区或与中国存在关税优惠协定的国家/地区，就可以享受优惠税收政策。4dOesmc

值得注意的是，半导体巨头们经过多年布局，早已将产能分散到不同地区。在此背景下，《国际电子商情》梳理了半导体巨头的晶圆厂布局及产能。受篇幅所限，本系列文章拆分为上、下两篇，上篇聚焦晶圆代工厂(Foundry)，下篇关注垂直整合制造商(IDM)。4dOesmc

美、日先进工艺占比将提升，中国大陆成熟制程占比加大

在正式开始讨论各晶圆代工厂的工厂布局及产能分配之前，我们首先可以观察各国/地区先进工艺与成熟工艺版图及产能分配情况。4dOesmc

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图1：2023至2027年，全球先进制程(左)、成熟制程(右)版图占比 制图：国际电子商情 数据来源：TrendForce4dOesmc

此前，TrendForce针对2023至2027年期间的先进制程和成熟制程进行了预测。4dOesmc

中国台湾的先进制程版图占比从71%下降到54%，美国从9%增长到21%，日本从0增长到4%。先进工艺版图的变化主要由台积电海外布局带动——因地缘政治因素的影响，半导体区域化程度进一步加深，台积电把部分先进工艺产能转移到美国、日本，这些地区的台积电新工厂在未来几年将陆续达产。4dOesmc

在成熟制程(大于28nm)方面，2023至2027年期间，随着中国大陆地区的扩产、新建项目陆续达产，在28nm及以上成熟制领域快速抢占市场，该地区成熟制程的占比从31%飙升到47%。对比之下，中国台湾地区的占比明显降低，从45%缩减到36%。4dOesmc

据短期内的市场预测，2025年台积电的8英寸产能利用率预计保持在约80%的水平，占据全球20%左右的8英寸晶圆市场份额。同时，在12英寸晶圆领域，台积电的投片规模占比预计接近41%。而除三星拥有11%的占比外，其他晶圆代工厂的占比均在个位数。4dOesmc

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图2：2025年全球晶圆代工产业各企业营收占比预计 制表：国际电子商情 数据来源：TrendForce4dOesmc

图2是2025年全球晶圆代工厂营收占比，全球90%的晶圆代工营收被五大晶圆代工厂占据——台积电(TSMC)约占66%，三星(Samsung)约占9%，联电(UMC)、中芯国际(SMIC)、格罗方德(Global Foundries)各占5%。在此基础上，笔者梳理了全球前10大晶圆代工厂的晶圆厂布局及产能等信息。4dOesmc

台积电

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表1：台积电全球晶圆厂布局(本表只统计已量产晶圆厂)4dOesmc

台积电晶圆厂数量众多，笔者依据已量产和待量产分拆成两个表格。4dOesmc

根据表1显示，截至目前，台积电在全球至少有14座已经量产的晶圆厂——在中国台湾有4座12英寸超大晶圆厂(Fab 12、Fab 14、Fab 15、Fab 18)、4座8英寸晶圆厂(Fab 3、Fab 5、Fab 6、Fab 8)和1座6英寸晶圆厂(Fab 2)；在中国大陆有1座12英寸晶圆厂(Fab 16)、1座8英寸晶圆厂(Fab 10)；在美国有1座12英寸晶圆厂(Fab 21)、1座8英寸晶圆厂(Fab 11)；在日本有1座12英寸晶圆厂(JASM Fab 1)。4dOesmc

基于以上晶圆厂，截至2024年底，台积电及其子公司所拥有及管理的年产能超过1,600万片12英寸晶圆当量，仅4座超大12英寸晶圆厂的年产能就超过了1,274万片。台积电也在8英寸晶圆领域发力，SEMI数据显示，2024年全球8英寸晶圆厂月产能达690万片(全年约8,280万片)，其中台积电占约7.2%(以600万片/年估算)。4dOesmc

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表2：台积电待量产晶圆厂4dOesmc

近几年来，台积电在全球各地也新建、规划了数座12英寸晶圆厂。2025年台积电将会有不少新产能开始陆续达产，其位于台湾的两座12英寸晶圆厂在2025年开始量产，这两座晶圆厂专为2nm及以下制程建设。其中，在新竹市的Fab 20计划2025年进行试产，试产线月产能为3,000-3,500片，到年底月产能达5万片晶圆，2026年目标月产能12至13万片；在高雄市的Fab 22 2025年下半年量产，该工厂服务于AI、5G、IoT等高增长领域。4dOesmc

另据台积电此前公布的规划，该公司将在美国亚利桑那州分阶段扩建至6座晶圆厂，同时还将配备2座先进的封装设施和1座研发中心，共同构建起一个全面的半导体制造生态系统。业内分析师认为，台积电可能会以其在该州的首座晶圆厂(Fab 21)为基础，分三期建设最终形成包含6座工厂的千兆级晶圆厂集群，目标是主导3nm及更先进制程产能。4dOesmc

如今，Fab 21已经量产(4nm)芯片，其目标月产能为2.4万片。此外，台积电还计划后续在亚利桑那州生产更先进的芯片，2026年实现3nm量产，2030年实现2nm量产。根据规划，台积电在亚利桑那州所有晶圆厂建设完毕后，该公司大概会有30%的2nm芯片将在美国制造。不过，受成本超支、人才短缺等问题影响，后续扩建进度滞后于原计划。台积电2025年财报显示，该项目已经连续四年亏损，业界推测，台积电可能优先完成‌3-4座工厂‌的阶段性目标，后续视供应链和市场需求再行决策。4dOesmc

在日本，台积电与索尼、丰田等合资的JASM项目(12英寸)的二期(JASM Fab 2)规划将于2027年投产，JASM Fab 2计划生产6/7nm芯片，产能规划为5万片/月。该项目的一期已经于2024年Q4正式量产，主要生产28/22nm车用芯片，一期目标产能为5万片/月。4dOesmc

为满足欧洲汽车及工业领域日益增长的产能需求。台积电还与博世、英飞凌及恩智浦半导体在德国德累斯顿共同投资建设了欧洲半导体制造公司(ESMC)，台积电持有70%的股份，博世、英飞凌和恩智浦半导体各占股10%。该工厂将采用台积电在28/22nm平面CMOS及16/12nm FinFET前沿工艺技术，每月生产4万片12英寸晶圆，预计在2027年投产。4dOesmc

三星

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图3：三星在全球的生产中心（包括晶圆厂和封测厂） 图片来源：三星官网4dOesmc

三星在全球的晶圆代工布局主要分布在韩国器兴、平泽、华城，美国德州，中国西安。4dOesmc

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表3：三星Foundry晶圆厂布局4dOesmc

三星在韩国的12英寸晶圆代工产能以华城为核心，形成三角支撑布局，而平泽作为新兴基地正在持续扩建。其12英寸晶圆代工厂在韩国的布局如下：在器兴有1座、华城有3座、在平泽至少有1座。三星在华城正在扩建2nm生产线，但尚未完全投产。此外，平泽计划建设5个厂区，目前P1、P2、P3已建成，P4、P5正在建设中，P3工厂虽以存储芯片为主，但也包含晶圆代工产能。4dOesmc

三星在中国西安也有一个12英寸NAND闪存生产基地，其一期2014年投产，二期2021年满产。根据规划，该基地1、2期总产能25万片/月，约占三星NAND总产量的40%，主要生产3D NAND闪存芯片，面向消费电子及数据中心存储市场。4dOesmc

三星在美国工有2座晶圆厂——奥斯汀厂生产65nm至14nm的逻辑芯片，其产能占三星逻辑芯片总产能的30%(约4万片/月12英寸晶圆)；泰勒晶圆厂于2021年宣布投资建设，原计划在2024年下半年投产，采用5nm工艺进行生产，初期月产能设定为2.5万片晶圆。该工厂主要致力于生产适用于移动设备、5G、高性能计算和AI领域的芯片。然而，由于通货膨胀和政府补贴审批延迟等问题，工厂的量产时间被推迟了。4dOesmc

在8英寸产线方面，三星在韩国器兴共有6条8英寸晶圆产线，主要面向成熟制程工艺，未来或转向特种工艺。这6条8英寸产线规划产能为20万片/月，但其2024年产能利用率只有50%，即10万片/月。4dOesmc

格罗方德

格罗方德(Global Foundries)是一家美国的晶圆代工厂。2018年8月，格罗方德宣布搁置7nm及以下先进制程研发计划。未来，公司主要面向汽车、移动设备、家庭和工业物联网、通信基础设施和数据中心四大市场提供性能、功率和可靠性兼备的产品。4dOesmc

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图4：格罗方德全球分布情况 图片来源：格罗方德官网4dOesmc

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表4：格罗方德晶圆厂布局4dOesmc

截至2025年5月，格罗方德在全球实际运营至少6座晶圆厂，分布于美国、德国和新加坡地区。其中，2017年启动建设的成都12英寸厂原计划为全球首条22nm FD-SOI产线，但2024年相关资料未将其列为核心基地，推测其可能受建设延迟或战略调整影响。4dOesmc

在宣布退出7nm及以下工艺之后，格罗方德还积极展开了精简瘦身的举措，出售了数座晶圆厂。例如，2019年1月，格罗方德宣布出售其新加坡的Fab3e晶圆厂(8英寸)给世界先进；2019年4月，又宣布出售纽约州的Fab 10晶圆厂(12英寸)给安森美。这些举措标志着格罗方德战略重心的转移，聚焦于优化现有产能与高利润领域，以适应市场变化并提升竞争力。4dOesmc

中芯国际

中芯国际向全球客户提供8英寸和12英寸晶圆代工与技术服务，该公司总部位于上海，在上海、北京、天津、深圳建有多座8英寸和12英寸晶圆厂。4dOesmc

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图5：中芯国际全球布局(蓝色圆点为其晶圆代工厂布局) 图片来源：中芯国际官网4dOesmc

中芯国际的晶圆厂主要集中在中国大陆地区。从中芯国际2024年整体来看，其8英寸晶圆月产能为45万片，12英寸晶圆月产能为25万片。目前，中芯国际在上海、北京、天津、深圳建有三座8英寸晶圆厂和四座12英寸晶圆厂，四地均各有一座12英寸晶圆厂在逐步推进中。4dOesmc

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表5：中芯国际晶圆厂布局4dOesmc

中芯国际自2020年起规划了四座12英寸晶圆厂(中芯京城、中芯深圳、中芯东方、中芯西青)，规划新增总产能34万片/月，到2025年，这些晶圆厂开始陆续达产，叠加现有厂区扩建和先进制程研发项目，公司正加速构建覆盖全国的成熟制程产能网络。4dOesmc

联华电子

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表6：联电晶圆厂布局4dOesmc

联华电子(以下简称联电)拥有4座12英寸晶圆厂，7座8英寸晶圆厂和1座6英寸晶圆厂。其12英寸晶圆厂产能及制程工艺如下：4dOesmc

• 位于台南的Fab 12A于2002年进入量产，运用先进14nm制程为客户生产客制化产品；12A的研发制造复合厂区由三个独立的晶圆厂，P1 & 2、P3 & 4、及P5 & 6厂区组成，目前产能超过8.7万片/月。
• Fab 12i位于新加坡白沙晶圆科技园区，是联电的特殊技术中心，提供客户多样化的应用产品所需IC，产能达5万片/月；目前，Fab 12i正在进行扩建，扩建计划分两期完成，一期新增3万片/月(2026年量产)。
• 位于中国厦门的联芯(12X厂)于2016年第四季量产，其总设计产能为5万片/月。
• 2019年10月，联电取得位于日本的USJC所有股权，提供最小至40nm的逻辑和特殊技术，该工厂产能约为3.84万片/月。

华虹集团

表7：华虹集团晶圆厂布局4dOesmc

华虹集团(HHGroup)作为全球领先的特色工艺晶圆代工企业，特色工艺在其技术发展中占据重要的地位。华虹集团包括华虹宏力和上海华力的产能。4dOesmc

华虹宏力自建设中国大陆第一条8英寸集成电路生产线起步，目前在上海金桥和张江建有三座8英寸晶圆厂(华虹一厂、二厂及三厂)，月产能约18万片。华虹宏力工艺技术覆盖1微米至90nm各节点，其嵌入式非易失性存储器(eNVM)、功率器件、模拟及电源管理和逻辑及射频等差异化工艺平台。4dOesmc

此外，华虹宏力和国家集成电路产业投资基金股份有限公司、无锡锡虹联芯投资有限公司等在无锡高新技术产业开发区内，合资设立了华虹半导体(无锡)有限公司。其一期项目有一座月产能4万片的12英寸晶圆厂(华虹七厂)，工艺节点覆盖90nm至65/55nm，支持物联网等新兴领域应用。4dOesmc

上海华力则定位于先进逻辑工艺晶圆代工，主要覆盖逻辑集成电路代工服务。上海华力有两座12英寸晶圆厂(华虹五厂和华虹六厂)，合计月产能约7.5万片，可提供65/55nm至28/22nm不同技术节点的芯片制造技术服务。4dOesmc

世界先进

世界先进拥有共5座8英寸晶圆厂，其中4座位于台湾，1座位于新加坡，2025年年产能约为345万片8英寸晶圆。该公司专注于成熟制程（0.5μm至0.11μm工艺节点），主要服务于消费电子、汽车电子、数据中心等领域。4dOesmc

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图6：世界先进5座8英寸晶圆厂产能分布 图片来源：世界先进官网4dOesmc

其晶圆一厂是世界先进(VIS)的创始厂，早期以DRAM生产为主，2004年转型为逻辑代工；晶圆二厂2008年收购自华邦电子的8英寸厂，初期以存储芯片为主，后逐步转向逻辑代工；晶圆三厂2014年收购自南亚科技的8英寸厂，并整合胜普电子设备；晶圆五厂是2022年购入友达光电的L3B厂房（原38厂）；新加坡厂（四厂）是2020年收购格罗方德的Fab 3E 8英寸厂。4dOesmc

2024年，世界先进宣布与恩智浦合资建设首座12英寸厂（VSMC），总投资78亿美元，计划2027年量产，月产能达5.5万片12英寸晶圆（等效八英寸约11万片）。该厂主攻车用PMIC、模拟及混合信号芯片，预计2029年完全达产。4dOesmc

力积电

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图7：力积电晶圆制造厂信息 图片来源：力积电官网4dOesmc

力积电拥有4座12英寸晶圆厂与2座8英寸晶圆厂，每月提供40万片（等效8英寸晶圆）的代工产能，最新P5厂将继续扩大产能。力积电当前量产制程以55nm至22nm为核心，同时保留更成熟的180nm至90nm生产能力，暂未涉足10nm以下先进制程。其技术路线强调通过工艺优化和细分市场深耕实现差异化竞争。4dOesmc

高塔半导体

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图8：高塔半导体晶圆厂布局 图片来源：高塔半导体官网4dOesmc

以色列晶圆代工厂高塔半导体（Tower）通过收购、合作与自建，形成了覆盖北美、欧洲、亚洲的多区域晶圆厂网络，其核心布局如下：4dOesmc

• 以色列米格达勒埃梅克8英寸晶圆厂：其工艺覆盖0.18μm至0.13μm，支持Sensors、Power、RF SOI、SiGe等产品，专注模拟、射频和高性能电路，服务于汽车、工业及消费电子领域，
• 美国加利福尼亚州纽波特比奇8英寸晶圆厂：工艺覆盖0.5μm至0.13μm，支持SiGe、MEMS、RF SOI、SiPho等产品。
• 德克萨斯州圣安东尼奥基地的8英寸晶圆厂：专注0.18μm工艺的RF SOI、Power、SiGe、SiPho等产品。
• 高塔半导体通过与松下合资的TPSCo(高塔持股51%)掌控三座工厂：砺波（8英寸）聚焦18μm工艺的车用模拟芯片及分立器件；鱼津(12英寸)专注于65/45nm的射频CMOS/SOI和图像传感器；新井(8英寸)作为补充产能支撑车规芯片制造。
• 高塔半导体与意法半导体在意大利阿格拉合作建设12英寸晶圆厂是，两者共享洁净室和基础设施，该晶圆厂最高支持65nm工艺，主要用于汽车、工业以及个人消费电器中的功率、模拟混合信号与射频芯片制造。
• 高塔半导体与英特尔合作：后者在其新墨西哥州的12英寸晶圆厂生产高塔半导体的65nm电源管理BCD流程等产品。

东部高科

韩国晶圆代工厂东部高科(DB HiTek)凭借0.35微米至90nm的制造工艺技术，月产量可达15.4万片8英寸晶圆，其产品广泛应用于电视、电脑、移动设备、汽车等领域的核心零部件。该公司不仅推动逻辑代工技术的先进化，还逐步扩大模拟、混合信号等高盈利性半导体代工服务的比重，持续巩固其业务基础。4dOesmc

晶和集成

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图9：晶和集成技术蓝图 图片来源：晶和集成官网4dOesmc

目前，晶合集成12英寸晶圆单月产能超10万片，其产品涵盖DDIC、CIS、MCU、PMIC及逻辑应用等平台。2024年，取得55nm中高阶BSI及堆栈式CIS芯片工艺平台实现大批量生产；55nm车载显示驱动芯片量产；40nm高压OLED显示驱动芯片现已实现批量生产；28nm逻辑芯片通过功能性验证，成功点亮电视面板等成果。4dOesmc